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Ma carrière scientifique

Fig.1. Les principaux domaines d'application des procédés avec NNGP en technologie microélectronique.СhaireFig. 2. Représentation schématique des mécanismes de gravure au plasma:a) plasma-chimique, b) ion-plasma, c) gravure réactive ion-plasma.a) b) c)

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Слайд 1Fait par: Kozin Artem
Ma carrière scientifique

Fait par: Kozin Artem Ma carrière scientifique

Слайд 2Fig.1. Les principaux domaines d'application des procédés avec NNGP en

technologie microélectronique.
Сhaire
Fig. 2. Représentation schématique des mécanismes de gravure au

plasma:
a) plasma-chimique, b) ion-plasma, c) gravure réactive ion-plasma.

a)

b)

c)

Fig.1. Les principaux domaines d'application des procédés avec NNGP en technologie microélectronique.СhaireFig. 2. Représentation schématique des mécanismes

Слайд 3Intérêts scientifiques
Fig. 3. La textolite en feuille est gravée dans

une solution de chlorure de fer pour éliminer une surface

de cuivre ouverte

Le plasma est le quatrième état de la matière, caractérisé par un degré élevé d'ionisation et l'égalité des concentrations de charges positives et négatives (quasi-neutralité).

Intérêts scientifiquesFig. 3. La textolite en feuille est gravée dans une solution de chlorure de fer pour

Слайд 4Fig. 4. Vue générale et conception de l'installation semi-industrielle Platran-100XT.
Installation

et procédure expérimentale

Fig. 4. Vue générale et conception de l'installation semi-industrielle Platran-100XT.Installation et procédure expérimentale

Слайд 5Spectres d'émission de plasma CF4
Fig. 5. Spectre d'émission du plasma

CF4 (WRF = 950 W, Udc = -101 V, G =

40 cm3 /min (p=2,8mTor)), plage de mesure: a) 180-300 nm, b) 300-600 nm, c) 600-1000 nm.

a)

b)

c)

Spectres d'émission de plasma CF4Fig. 5. Spectre d'émission du plasma CF4 (WRF = 950 W, Udc =

Слайд 6Lignes et bandes pour l'analyse de la cinétique de gravure
Dans

le cas général, l'intensité de rayonnement des raies et des

bandes est décrite par l'expression correspondant au mécanisme d'excitation directe des atomes par impact électronique et mort radiative:

I – intensité du rayonnement, R – vitesse de gravure, ne – concentration d'électrons, N – concentration d'atomes ou de molécules de gaz; k – coefficient de vitesse de processus.

Lignes et bandes pour l'analyse de la cinétique de gravureDans le cas général, l'intensité de rayonnement des

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