Основные этапы развития электронной техники

средств, которым располагает современная электроника, был создан всего за несколько

десятилетий. Фундамент электроники был заложен трудами физиков в XVIII– XIX в. Выделяют несколько этапов развития электроники.

А. Лодыгин изобрел лампу накаливания с угольным стержнем; в 1883

г. Т. Эдисон открыл явление термоэлектронной эмиссии; в 1874 г. Ф. Браун открыл выпрямительный эффект в контакте металла с полупроводником; в 1895 г. А. Попов использовал этот эффект для детектирования радиосигналов и т.д.).

Александр Степанович Попов

Томас Алва Эдисон

и газоразрядных электроприборов (в 1904 г. Д. Флеминг сконструировал электровакуумный

диод; в 1907 г. Ли–де–Форест изобрел триод; в 1920 году Бонч–Бруевич разработал генераторные лампы с медным анодом и водяным охлаждением, мощностью до 1 кВт; в 1924 г. Хеллом разработана экранированная лампа с двумя сетками (тетрод) и в 1930 г. лампа с тремя сетками (пентод); в 1929 г. В. Зворыкиным был изобретен кинескоп; с 30–х годов ведется разработка приборов СВЧ–диапазона и т.д.). В настоящее время электровакуумные приборы занимают значительную нишу в ряду существующих классов приборов электроники и работают в области высоких уровней мощностей (106–1011 Вт) и частот (108–1012 Гц).

и внедрения дискретных полупроводниковых приборов. К дискретным полупроводниковым приборам относятся

диоды, транзисторы, фотоэлементы, а также полупроводниковые приборы, управляемые внешними факторами, — фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, терморезисторы.

диоды

транзисторы

микроэлектроники (Роберт Нойс предложил идею монолитной интегральной схемы и, применив

планарную технологию, изготовил первые кремниевые монолитные интегральные схемы).

Роберт Нортон Нойс

гг. – интегральные схемы малой степени интеграции, 102 транзисторов на

кристалле размером 0,25 × 0,5 мм (МИС).
1969 – 1975 гг. – интегральные схемы средней степени интеграций, 103 транзисторов на кристалле (СИС).
1975 – 1980 гг. – интегральные схемы с большой степенью интеграции, 104 транзисторов на кристалле (БИС).
1980 – 1985 гг. – интегральные микросхемы со сверхбольшой степенью интеграции, 105 транзисторов на кристалле (СБИС).
С 1985 г. – интегральные микросхемы с ультрабольшой степенью интеграции, 107 и более транзисторов на кристалле (УБИС). Полупроводниковая электроника и микроэлектроника являются основными направлениями при изучении курса электроники в ПГАТИ, поэтому на них следует обратить особое внимание.

позволяющая реализовать определенную функцию аппаратуры без применения стандартных базовых элементов

(диодов, резисторов, транзисторов и т.д.), базируясь непосредственно на физических явлениях в твердом теле.

Среди разнообразных приборов функциональной электроники наибольшее распространение получили:
акустоэлектронные приборы;
приборы на волнах пространственного заряда в твердом теле;
приборы с зарядовой связью;
оптоэлектронные устройства с распределенным взаимодействием и т.п.

– наноэлектроника. Нанотехнологии позволяют манипулировать атомами (размещать в каком–либо порядке

или в определенном месте), что дает возможность конструировать новые приборы с качественно новыми свойствами.

Наноэлектроника производит:
Датчики
Дискретные компоненты
Интегральные схемы

микросхема

Датчик давления

Силовой транзистор

достижения в различных областях знаний. При этом, с одной стороны,

электроника ставит задачи перед другими науками и производством, стимулируя их дальнейшее развитие, и с другой стороны, вооружает их качественно новыми техническими средствами и методами исследования.