Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Полевые транзисторы с управляющим pn- переходом Вопрос № Контактные явления. р
Содержание
- 1. Полевые транзисторы с управляющим pn- переходом Вопрос № Контактные явления. р
- 2. За счёт разницы в уровнях Ферми на
- 3. n и p полупроводники «до приведения в
- 4. n и p ПП «после приведения в контакт» Вблизи границы раздела
- 5. Одна из реальных технологий получения pn-перехода: метод сплавления Температура плавления индия +156оСТемпература плавления германия +938оС
- 6. Распределение поля и заряда в симметричном рn-переходе
- 7. асимметричный рn-переход: сильно легированная р-область слаболегированная n-область
- 8. ВАХ1 – прямое смещение2 – обратное смещение, ток насыщения3 – пробой
- 9. Типичные ЗД pn-перехода при разных смещенияхрn-переход обладает
- 10. Слайд 10
- 11. Слайд 11
- 12. Примеры применения полупроводниковых диодовФотодиод – преобразование
- 13. Однополупериодный ПП выпрямитель со сглаживанием
- 14. Двухполупериодный ПП выпрямитель со сглаживанием
- 15. Транзистор структуры p–n–pТранзисторТранзистор структуры n–p–n
- 16. Включение в цепь транзистора p–n–p-структуры
- 17. ТиристорТири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе
- 18. Тиристорные структурыРис. 1. Схемы тиристора: a) Основная четырёхслойная p-n-p-n структура b) Диодный тиристор с) Триодный тиристор.
- 19. ВАХ тиристора
- 20. Вопрос № Фотопроводимость полупроводников
- 21. 1Фуллерены: С60, С70, …, С108, …С960,…Фуллерены открыты в 1985: Г.Крото (UK), Р.Керл, Р.Смелли (США)
- 22. 21998Нанотрубки
- 23. Скачать презентанцию
За счёт разницы в уровнях Ферми на контакте возникает двойной электрический слой, контактная разность потенциалов (КРП).
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2За счёт разницы в уровнях Ферми на контакте возникает двойной
электрический слой, контактная разность потенциалов (КРП).
Слайд 3n и p полупроводники «до приведения в контакт»
Дырки (основные
носители тока в рПП), подвижные квазичастицы
Электроны проводимости (основные носители тока
в nПП), подвижные квазичастицыОтрицательные ионы акцепторной примеси, неподвижные частицы
Положительные ионы донорной примеси, неподвижные частицы
Слайд 5Одна из реальных технологий получения pn-перехода: метод сплавления
Температура плавления
индия +156оС
Температура плавления германия +938оС
Слайд 9Типичные ЗД pn-перехода при разных смещениях
рn-переход обладает односторонней проводимостью
«-»
«+»
Обратное смещение,
барьер
стал выше, рn-переход закрыт,тока нет
«смещение» - постоянное напряжение
Слайд 12 Примеры применения полупроводниковых диодов
Фотодиод – преобразование светового сигнала в
электрический, обратносмещённый pn-переход (-p, +n)
Выпрямитель – преобразование переменного тока в
постоянныйСолнечный элемент – преобразование световой энергии в электрическую, pn-переход без смещения
Светодиод – преобразование электрического сигнала в световой, прямосмещённый pn-переход (+p, -n)
Лавинный диод – стабилитрон, защита чувствительной аппаратуры от высокого напряжения
Слайд 17Тиристор
Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный
на основе монокристалла полупроводника с
четырёх-
слойной структурой р-n-p-n-типа, обладающий свойствами
электрического вентиля и имеющий нелинейную
разрывную вольт-амперную характеристику (ВАХ).
Тиристор способен переключаться между
состояниями с высокой и низкой проводимостью.
Схемное обозначение
Слайд 18Тиристорные структуры
Рис. 1. Схемы тиристора:
a) Основная четырёхслойная
p-n-p-n структура
b)
Диодный тиристор
с) Триодный тиристор.
Слайд 211
Фуллерены: С60, С70, …, С108, …С960,…
Фуллерены открыты в 1985: Г.Крото
(UK), Р.Керл, Р.Смелли (США)
