Разделы презентаций


Полупроводниковые приборы

Содержание

Области электроники ЭлектроникаВакуумная электроникаКвантовая электроникаТвердотельная электроника

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Основы микроэлектроники
Лекция 2 Полупроводниковые приборы
Бунаков А.А.
Башкирский государственный педагогический университет им.М.Акмуллы

Основы микроэлектроникиЛекция 2		Полупроводниковые приборыБунаков А.А.Башкирский государственный педагогический университет им.М.Акмуллы

Слайд 2Области электроники
Электроника
Вакуумная электроника
Квантовая электроника
Твердотельная электроника






Области электроники ЭлектроникаВакуумная электроникаКвантовая электроникаТвердотельная электроника

Слайд 3План лекции
► Общие сведения о полупроводниках
► Полупроводниковый диод
► Биполярный транзистор

План лекции► Общие сведения о полупроводниках► Полупроводниковый диод► Биполярный транзистор

Слайд 4Общие сведения о полупроводниках

Общие сведения о полупроводниках

Слайд 5Электропроводность — важнейшее свойство твердых тел — объясняется движением свободных

электронов (утративших валентную связь с ядрами атомов)
Ом-1см-1

Электропроводность — важнейшее свойство твердых тел — объясняется движением свободных электронов (утративших валентную связь с ядрами атомов)

Слайд 6Собственные полупроводники
Собственными полупроводниками называются полупроводники, не содержащие примесей, влияющих

на их электропроводность

Собственные полупроводники Собственными полупроводниками называются полупроводники, не содержащие примесей, влияющих на их электропроводность

Слайд 7Примесные полупроводники
Примесные полупроводники, электропроводность которых определяется примесями, обладают резко выраженной

электронной или дырочной электропроводностями.

Примесные полупроводникиПримесные полупроводники, электропроводность которых определяется примесями, обладают резко выраженной электронной или дырочной электропроводностями.

Слайд 8Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
Дрейфовый ток в кристалле

возникает в виде упорядоченного движения электронов и дырок под действием

внешнего электрического поля.
Диффузионный ток создается движением заряженных частиц (электронов и дырок) из областей кристалла с повышенной концентрацией в область, обедненную носителями.
Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках Дрейфовый ток в кристалле возникает в виде упорядоченного движения электронов и

Слайд 9Электронно-дырочный переход
Электронно-дырочным или р-n переходом называется тонкий приконтактный слой

между двумя частями полупроводникового кристалла, одна из которых обладает электронной,

а другая — дырочной электропроводностью.
Электронно-дырочный переход Электронно-дырочным или р-n переходом называется тонкий приконтактный слой между двумя частями полупроводникового кристалла, одна из

Слайд 10Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод

Слайд 11Полупроводниковый диод
Полупроводниковым диодом называется прибор, содержащий элемент с одним р-n

переходом. Принцип действия диодов основан на использовании односторонней электропроводности.

Полупроводниковый диодПолупроводниковым диодом называется прибор, содержащий элемент с одним р-n переходом. Принцип действия диодов основан на использовании

Слайд 12Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост)
Полный мост

Однополупериодный выпрямитель (четвертьмост) Полный мост

Слайд 13Биполярный транзистор

Биполярный транзистор

Слайд 14Биполярный транзистор
Биполярным транзистором называется полупроводни­ковый прибор, кристалл которого выполнен с

двумя взаимодействующими р-n переходами.
Джон Бардин, Уильям Шокли, 
 Уолтер Браттейн

Биполярный транзисторБиполярным транзистором называется полупроводни­ковый прибор, кристалл которого выполнен с двумя взаимодействующими р-n переходами. Джон Бардин, Уильям Шокли, 

Слайд 15Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа)

Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа)

Слайд 16Схемы включения биполярных транзисторов

Схемы включения биполярных транзисторов

Слайд 17Характеристики транзистора,
Входной характеристикой является зависимость:
IБ = f(UБЭ) при UКЭ

= const (б).
Выходной характеристикой является зависимость:
IК = f(UКЭ) при

IБ = const (а).

а

б

Характеристики транзистора, Входной характеристикой является зависимость:IБ = f(UБЭ) при UКЭ = const (б).Выходной характеристикой является зависимость: IК

Слайд 18Режимы работы биполярных транзисторов
Активный режим, на эмиттерном переходе напряжение

прямое, а на коллекторном – обратное.
Режим отсечки, или запирания, достигается

подачей обратного напряжения на оба перехода (оба р-n- перехода закрыты).
Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба р-n- перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения.
Режимы работы биполярных транзисторов Активный режим, на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное.Режим отсечки,

Слайд 19Простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе

Простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе

Слайд 20Классификация
по материалу: германиевые и кремниевые;
по виду проводимости областей: типа р-n-р

и n-p-n;
по мощности: малой (Рмах ≤ 0,3Вт), средней (Рмах ≤

1,5Вт) и большой мощности (Рмах > 1,5Вт);
по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ.
Классификацияпо материалу: германиевые и кремниевые;по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n;по мощности: малой (Рмах ≤ 0,3Вт),

Слайд 21Полевой транзистор
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля,

создаваемого входным сигналом.

Полевой транзисторПолевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Слайд 22полевые транзисторы
полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
полевые транзисторы с изолированным каналом

МДП-транзисторы

полевые транзисторыполевые транзисторы с управляющим p-n-переходомполевые транзисторы с изолированным каналом МДП-транзисторы

Слайд 23Пполевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Пполевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Слайд 24Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Слайд 25Схемы включения полевых транзисторов:
а) ОИ; б) ОЗ; в) ОС

Схемы включения полевых транзисторов:а) ОИ; б) ОЗ; в) ОС

Слайд 26Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах

Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах

Слайд 27Структурная классификация транзисторов.

Структурная классификация транзисторов.

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика