Сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия (СБОМ)

для оптической волны вблизи объекта рассеяния, где Ко – волновой

вектор излучения в вакууме, Кх,у – волновые вектора для плоских вол в пространстве. А- комплексная амплитуда. Уравнение определяет набор плоских волн распространяющихся в пространстве при Кх,у < Ко.

Из этого уравнения для плоских волн следует ограничение на пространственное разрешение достигаемое в оптической микроскопии:

Минимальное расстояние между двумя объектами наблюдаемыми раздельно в микроскопе, n – индекс рефракции, Θ – угол соответствующий половине апертуры объектива.

При Кх,у > Ко. Решение уравнения возможно, но волна будет распространяться только в х-у плоскости и экспоненциально затухать в Z направлении. Это так называемое затухающее или ближнее поле. может быть зарегистрировано

оптическая микроскопия работает в режиме дальнего поля
Вблизи любого излучающего объекта

существует область ближнего поля
Экспоненциально затухающие волны на расстояниях ~ l
Для регистрации ближнепольного излучения необходимо приблизиться к исследуемому объекту на расстояние << l

света с апертурой < l
Сканирование на расстоянии d~10 нм от

поверхности образца
Сбор и детектирование оптического сигнала
Исследование локальных оптических свойств объекта с разрешением << l

оптическому зонду
Высокая эффективность
Отсутствие утечки света
Правильная круглая апертура
Высокий порог оптического

повреждения
Оптоволокно с напылением
Вытягивание оптоволокна при нагреве лазером или спиралью накаливания или
Травление оптоволокна в плавиковой кислоте или HF
Напыление металла на поверхность волокна (Al, Au, Pt)
Стандартные АСМ зонды с отверстием или безапертурные
Зонды, заполненные светоизлучающим составом
При травлении получают рыхлую (плохо для напыления металла) поверхность, но большой торцевой угол (большая светосила)
Безапертурные зонды СТМ

Вытягивание

Травление

Нанесение Al покрытия

300 nm

300 nm

Трением Напылением под острым углом
Травлением в кислоте
Травлением ионным пучком Ga

клея. Вынужденные колебания
камертона на частоте, близкой к резонансной частоте системы

зонд - кварцевый
резонатор, возбуждаются с помощью дополнительного пьезовибратора. При этом зонд
совершает колебательное движение параллельно поверхности образца. Измерение силы взаимодействия зонда с поверхностью производится посредством регистрации
изменения амплитуды и фазы изгибных колебаний кварцевого резонатора на частоте
возбуждения U(t)).

(АСМ)
Контроль поперечных сил
Используется редко из-за паразитного влияния лазерного излучения детектора

обратной связи

Контролируется амплитуда резонансных колебаний кварцевой вилки, которая зависит от силы взаимодействия зонда с поверхностью

факторов
С апертурными зондами
Радиус апертуры зонда 20–200 нм
Радиус кончика зонда с

покрытием
Толщина скин-слоя Al покрытия > 5 нм
Предельное полученное разрешение близко к расчетному ≈ 12нм
С безапертурными зондами
Радиус закругления кончика зонда < 5 нм
Возможность получить практически атомарное разрешение
Соотношение сигнал/шум

прозрачные образцы
Зонд создает локализованное излучение ближнего поля вблизи поверхности образца
Прошедший

свет фокусируется оптической системой микроскопа и детектируется ФЭУ в области дальнего поля
В процессе сканирования одновременно строится рельеф поверхности и величина интенсивности прошедшего света

образцы
Зонд создает локализованное излучение ближнего поля вблизи поверхности образца
Отраженный свет

фокусируется оптической системой микроскопа и детектируется ФЭУ в области дальнего поля
В процессе сканирования одновременно строится рельеф поверхности и величина интенсивности отраженного света

оптических свойств на поверхности InAs

поглощения/отражения
Поляризация
Двулучепреломление
Дихроизм
Магнито- и электрооптические эффекты
Длина волны
Флюоресценция и фосфоресценция
Рамановская спектроскопия

мкм
Флюоресценция
Проходящий свет

молекул
Влияние расстояния зонд – молекула на характер флуоресценции
Возможность передачи возбуждения

от одной (донорной) молекулы к другой (акцептор)
Усиление поля безапертурным зондом.
Введение красящих молекул в нефлуорисцирующие материалы.

отдельных молекул DiIC18 включенных в пленку PMMA толщиной в 10-nm.

Поляризация возбуждающего излучения менялась на противоположную (a) и (b) и затем на круговую. Видно соответствующее изменение излучения молекулы. Молекула обведенная кругом имеет дипольный момент перпендикулярный плоскости образца
Масштабная метка - 300 nm.

(a) и флуоресцентное ближнеплльное изображение с использованием металлического зонда-усилителя -

(b) агрегированного состояния молекул красителя в пленке РVS на стеклянной подложке. Tтопографическое сечение вдоль линии (A–B) дает ширину на полувысоте 35-nm для выделенной особенности и соответствующую 30-nm FWHM для флуоресцентного изображения

Использование металлического зонда приводит к усилению градиента поля вблизи его острия что в свою очередь значительно увеличивает интенсивность процессов связанных с полевым возбуждением – флюоресценции и резонансным возбуждением плазмонов. В этом случае удается получить разрешение до 30 нм в режиме флюоресценции.

низкой температуре (10 K) квантовых точек и квантовой проволоки записанные

при различных энергиях регистрации в схеме (облучение/регистрация: (a) фотоэмиссия квантовой плоскости, (b) фотоэмиссия квантовой проволоки и (c) фотоэмиссия из квантовых точек.

– поглощение в оптической области;
b – поглощение в ИК-области; c

– комбинационное рассеяние света, вверху – стоксово, внизу – антистоксово

Спектральные линии-спутники сопровождают каждую линию первичного света.
Сдвиг спутников по частоте относительно первичной линии характеризует рассеивающее вещество и равно собственным частотам молекулярных колебаний.
Спутники представляют собой две группы линий, расположенных симметрично относительно возбуждающей линии.

(a) и одновременно детектируемая топографическая карта
(b) одностенной фулереновой

трубки (SWNT) на стекле. Область сканирования 1 × 1 μm2. Рамановский спектр записывался при возбуждении лазером 633 nm. Дополнительные топографические структуры не дают вклад в рамановский спектр подтверждая высокую химическую селективность метода
(c) Внизу сечения вдоль пунктирной линии. Высота трубки 1.4 nm. Величины по оси - У
количество счетов фотонов для рамановской спектроскопии и высота в нанометрах для топографии.

метода и увеличения интенсивности спектра КР.
Использование зонда уменьшает анализируемую область

с 300 до 10 нм.

усиления рамановского спектра с помощь металлического зонда по сравнению с

полученным без усиления для пленки (a) молекул C60 на стекле
И (b) молекул красителя (Brilliant Cresyl Blue) на поверхности золотой пленки

90 градусов, то свет не сможет проникнуть вглубь среды с

меньшим показателем преломления, и большая часть световой энергии (при низкой экстинкции) отразится от поверхности раздела сред.
В случае наличия тонкой металлической пленки на поверхности плотной оптической среды, ближнее поле просачивающееся сквозь границу раздела поглощается в пленке с возбуждением поверхностных плазмонов. Частота плазмонного резонанса на поверхности будет в √2 раз меньше частоты объемного плазмона.

Отражение света при прохождении света из более оптически плотной среды в менее оптически плотную среду

Возбуждение делокализованных плазмонов

возбуждения поверхностного плазмона, Б – зависимость отражения света от угла

падения в схеме Кречмана.

случае равенства волнового вектора плазмона и проекции волнового вектора излучения

(электрической составляющей) на параллельную поверхности ось х. Сильнее всего с электронами в проводящей пленке взаимодействует плоско поляризованная волна, у которой вектор электрического поля лежит в плоскости падения (π-поляризованная волна )

При возникновении поверхностного плазмонного резонанса (ППР) часть энергии излучения поглощается на спектрах поглощения наблюдается пик при соответствующей длине волны

и диаметра. С удлинением цилиндра при фиксированном диаметре основания полоса

поглощения для поперечного плазмона сдвигается в коротковолновую область и ее интенсивность уменьшается, а полоса ППР продольного плазмона смещается в длинноволновую область и ее интенсивность растет

Зависимость ППР от размера и геометрии частиц

MGITC (malachite green isothiocyanate), нанесенного на золото:
а – спектр,

полученный без подвода иглы;
б – спектр после подвода металлической иглы

Два механизма усиления сигнала при ППР

существует два основных механизма увеличения сечения взаимодействия излучения с адсорбированными молекулами:
первый – электромагнитный механизм, который состоит в том, что возбуждение поверхностного плазмона вызывает усиление электрического поля вокруг наноразмерных металлических структур
второй - химическая модель предполагает появление новых электронных состояний при хемосорбции, и возможность переноса заряда между исследуемой молекулой и металлической наночастицей. Данная модель объясняет возможное различие относительных интенсивностей и числа полос в спектре ГКР и в спектре КР одного и того же вещества

затухающего ближнего поля при полном внутреннем отражении в призме а)

и b) то же при напылении пленки серебра толщиной 53 nm на поверхности призмы. Скан 40 μm 40 μm. Экспоненциально затухающий хвост связан с распространением плазмонов.
Картинка между – двухмерная фотография области сканирования.

Поверхностные направляющие движения плазмонов вдоль каналов образованных сжатием золотой поверхности. (a) -Топографическое изображение (30 μm на 30 μm) каналов. (b–f ) - интенсивность поверхностных плазмонов записанная стекловолоконным зондом при возбуждении длинами волн: 713 nm, 750 nm, 785 nm, 815 nm, и 855 nm, соответственно.

диэлектрических свойств
Черной стрелкой отмечено место ввода оптического излучения. А)

– гетероструктура проволоки не пропускает излучение В) – изменение диэлектрических свойств приводит к распространению волны на ~ 10 мкм

и плазмонных компонентов, которые уже в ближайшем будущем будут использованы

при создании светодиодов, нанолазеров, высокочувствительных сенсоров и датчиков для мобильных устройств, высокопроизводительных оптоэлектронных процессоров, насчитывающих до нескольких десятков тысяч ядер, для видеокарт, персональных компьютеров и суперкомпьютеров.

Российский процессор с элементами оптоэлектроники на основе наночастиц соединений меди. Впервые было показано возможность использования меди для создания структур работающих с плазмонами и поляритонами.