Разделы презентаций


Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать презентация, доклад

Содержание

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение заряда, поля и потенциала вблизи поверхности. Поверхностные и контактные явления в

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Статистика электронов и дырок в полупроводниках
Плотность состояний : написать

выражения и нарисовать графики зависимостей плотности состояний в зонах от

энергии электронов.
Функция распределения Ферми: написать выражение и нарисовать графики.
Выразить концентрацию электронов в зоне проводимости через уровень Ферми (для невырожденного случая).
Чему равно произведение концентрации электронов на концентрацию дырок (для невырожденного случая)?
Выразить концентрацию электронов в зоне проводимости через уровень Ферми для вырожденного случая.
Нарисовать график температурной зависимости концентрации электронов в донорном полупроводнике.



Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать выражения и нарисовать графики зависимостей плотности состояний

Слайд 21. Поверхность металлов и полупроводников
Атомная структура поверхности кристалла
Барьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

заряда, поля и потенциала вблизи поверхности.

Поверхностные и контактные
явления в полупроводниках

2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика

3. Электрон-дырочный (p-n) переход
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика
Инжекция неосновных носителей заряда
Емкость p-n перехода

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния.

Слайд 3Шероховатая поверхность
Среднеквадратичная шероховатость:
Идеально гладкая
сингулярная грань
4
Вицинальные террасированные поверхности
Вид

сверху
Атомно-гладкие поверхности

Шероховатая поверхностьСреднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая сингулярная грань4 Вицинальные террасированные поверхностиВид сверхуАтомно-гладкие поверхности

Слайд 4T=575C
2 часа
T=650C
2 часа
Изображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и

после нагрева в равновесных условиях
Исходная поверхность
3 мкм
V.L. Alperovich,

I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina,
A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (2009)

Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями?

Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать!

T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность

Слайд 5Атомная структура поверхности GaAs(001)
Структура GaAs(001)
Вид сверху
1. Симметрия поверхности

GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка,

а на поверхности – только 2 порядка.

2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры.

3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной.

Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид сверху1. Симметрия поверхности GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть

Слайд 6Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)
димер
Нереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)
Атомная

структура поверхности GaAs(001)

Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная структура поверхности GaAs(001)

Слайд 7Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) картины дифракции электронов
Увеличение периода поверхностной кристаллической

ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между

дифракционными рефлексами)
Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) картины дифракции электронов Увеличение периода поверхностной кристаллической ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки

Слайд 9Профиль электронной плотности у поверхности металла

Профиль электронной плотности у поверхности металла

Слайд 12Поверхностные электронные состояния

Поверхностные электронные состояния

Слайд 13Поверхностные состояния в полупроводниках

Поверхностные состояния в полупроводниках

Слайд 14Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Слайд 23Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии

Туннельный диод:  зонная диаграмма в равновесии

Слайд 24Вольт-амперные характеристики туннельного диода

Вольт-амперные характеристики  туннельного диода

Слайд 25Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода
Обратное смещение
Равновесие
V=0

Объяснение вольт-амперной характеристики  туннельного диода Обратное смещениеРавновесиеV=0

Слайд 31Экскурсия 2 декабря (четверг):
10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние

света
НОК НГУ


Экскурсия 2 декабря (четверг): 10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние светаНОК НГУ

Слайд 35Экскурсии 11 ноября (четверг):
10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в

низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)
15:00 Шкляев Александр Андреевич,

вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОЦ НГУ, к. 34

Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)15:00

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика