Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать

выражения и нарисовать графики зависимостей плотности состояний в зонах от

энергии электронов.
Функция распределения Ферми: написать выражение и нарисовать графики.
Выразить концентрацию электронов в зоне проводимости через уровень Ферми (для невырожденного случая).
Чему равно произведение концентрации электронов на концентрацию дырок (для невырожденного случая)?
Выразить концентрацию электронов в зоне проводимости через уровень Ферми для вырожденного случая.
Нарисовать график температурной зависимости концентрации электронов в донорном полупроводнике.

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

заряда, поля и потенциала вблизи поверхности.

Поверхностные и контактные
явления в полупроводниках

2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика

3. Электрон-дырочный (p-n) переход
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика
Инжекция неосновных носителей заряда
Емкость p-n перехода

сверху
Атомно-гладкие поверхности

после нагрева в равновесных условиях
Исходная поверхность
3 мкм
V.L. Alperovich,

I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina,
A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (2009)

Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями?

Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать!

GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка,

а на поверхности – только 2 порядка.

2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры.

3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной.

структура поверхности GaAs(001)

ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между

дифракционными рефлексами)

света
НОК НГУ

низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)
15:00 Шкляев Александр Андреевич,

вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОЦ НГУ, к. 34