Разделы презентаций


Тиристоры

Карта презентацииОбщие сведенияЗонная диаграммадинистораВАХ динистораЗонные диаграммы и токи диодного тиристора в открытом состоянииЗависимость коэффициента пердачи α от тока эмиттераЗависимость коэффициента М от напряжения VG. Умножение в коллекторном переходеТринисторВАХ тринистора

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Тиристоры
Начать просмотр

Тиристоры Начать просмотр

Слайд 2Карта презентации
Общие сведения
Зонная диаграмма
динистора
ВАХ динистора
Зонные диаграммы и токи диодного
тиристора

в открытом состоянии
Зависимость коэффициента пердачи
α от тока эмиттера
Зависимость коэффициента

М от напряжения VG.
Умножение в коллекторном переходе

Тринистор

ВАХ тринистора

Карта презентацииОбщие сведенияЗонная диаграммадинистораВАХ динистораЗонные диаграммы и токи диодного тиристора в открытом состоянииЗависимость коэффициента пердачи α от

Слайд 3Тиристор представляет собой четырехслойный р1-n1-р2-n2 прибор, содержащий три последовательно соединенных

р-n перехода (П1, П2 и П3). Обе внешние области называют

эмиттерами (Э1,Э2), а внутренние области – базами (Б1, Б2) тиристора (рис. 1а). Переходы П1 и П2 называются эмиттерными, переход П3 – коллекторный переход.
Управляющий электрод может быть подключен к любой из баз (Б1, Б2) тиристора.
Прибор без управляющих электродов работает как двухполюсник и называется диодным тиристором (динистором). Прибор с управляющим электродом является трехполюсником и называется триодным тиристором (тринистором).

Структура тиристора

Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более р-n переходами, вольтамперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения.

Тиристор представляет собой четырехслойный р1-n1-р2-n2 прибор, содержащий три последовательно соединенных р-n перехода (П1, П2 и П3). Обе

Слайд 4При создании тиристора в качестве исходного материала выбирается подложка n-

или р-типа. Диффузией с обеих сторон подложки одновременно создают слои

р1 и р2. На заключительной стадии путем сплавления (или диффузии) с одной стороны подложки создают слой n2. Структура полученного тиристора имеет вид:

p1+ n-1 p+2 n-2
При создании тиристора в качестве исходного материала выбирается подложка n- или р-типа. Диффузией с обеих сторон подложки

Слайд 5Диаграмма динистора на различных участках ВАХ
Вольтамперная характеристика диодного тиристора приведенная

на рисунке 4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора

соответствует положительному напряжению VG, подаваемому на первый p1-эмиттер тиристора.
Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения VG падает на коллекторном переходе П3, который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П1 и П2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.
Диаграмма динистора на различных участках ВАХВольтамперная характеристика диодного тиристора приведенная на рисунке 4, имеет несколько различных участков.

Слайд 6Диаграмма динистора на различных участках ВАХ

При достижении напряжения VВ, называемого

напряжением включения Uвкл, или тока JВ, называемого током включения Jвкл,

ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.
Диаграмма динистора на различных участках ВАХПри достижении напряжения VВ, называемого напряжением включения Uвкл, или тока JВ, называемого

Слайд 7Тринистор
Накоплением объемных зарядов в базах Б1 и Б2 можно управлять,

если у одной из баз имеется контакт, который называется управляющим

электродом
На управляющий электрод базы подается напряжение такой полярности, чтобы прилегающий к этой базе эмиттерный переход был включен в прямом направлении. Это приводит к росту тока через эмиттерный переход и снижению Uперекл. На рисунке приведено семейство ВАХ тиристора при различных значениях управляющего тока.
Критическое значение тока Iупр, при котором тринистор включается, минуя запертое состояние, называется током спрямления.

семейство ВАХ тиристора

ТринисторНакоплением объемных зарядов в базах Б1 и Б2 можно управлять, если у одной из баз имеется контакт,

Слайд 8ВАХ тринистора
В открытом состоянии тиристор находится до тех пор, за

счёт проходящего тока поддерживаются избыточные заряды в базах. Если ток

уменьшить до критического значения Iу, р-п-переход коллектора окажется включенным в обратном направлении, произойдёт перераспределение падений напряжений на р-п-переходах и тиристор перейдёт в закрытое состояние
ВАХ тринистораВ открытом состоянии тиристор находится до тех пор, за счёт проходящего тока поддерживаются избыточные заряды в

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика