Слайд 2Уильям Шокли, Джон Бардин, Уолтер Браттейн,
Слайд 4 Транзистором называется полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх
выводов и способный усиливать мощность. Классификация:
По материалу полупроводника
– обычно германиевые или кремниевые;
По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимо- стью (p-n-p - структура) или с обратной проводимостью (n-p-n - структура);
По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные);
По частотным свойствам; НЧ (<3 МГц); СрЧ (3ч30 МГц); ВЧ и СВЧ (>30 МГц);
По мощности. Маломощные транзисторы ММ (<0,3 Вт), средней мощности СрМ (0,3ч3 Вт), мощные (>3 Вт).
Слайд 5В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов:
электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название
– биполярные.
Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая – коллектором. Таким образом в транзисторе имеются два р-n- перехода: эмиттерный – между эмиттером и базой и коллекторный – между базой и коллектором.
Слайд 7Особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов
в эмиттере, базе и коллекторе. В эмиттере концентрация носителей заряда
максимальная. В коллекторе – несколько меньше, чем в эмиттере. В базе – во много раз меньше, чем в эмиттере и коллекторе.
Слайд 8потенциальная диаграмма
Эффективная толщина базы Wэф, т.е. расстояние между границами обеднённых
слоёв, меньше толщины базы W. Увеличение отрицательного напряжения на коллекторе
расширяет обеднённый слой коллекторного перехода и, следовательно, вызывает уменьшение эффективной толщины базы.
Это явление носит название эффекта Эрли. Модуляция толщины базы объясняет некоторый подъём выходных характеристик при увеличении отрицательного напряжения К-Б. Коллекторный ток при этом увеличивается, так как меньшая часть дырок теряется в базе вследствие рекомбинации с электронами
Слайд 9Эмиттером называется область транзистора назначением которой является инжекция носителей заряда
в базу.
Коллектором называют область, назначением которой является экстракция носителей
заряда из базы.
Базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда.
Слайд 10Полный ток эмиттера IЭ определяется количеством инжектированных эмиттером основных носителей
заряда. Основная часть этих носителей заряда достигая коллектора, создает коллекторный
ток Iк. Незначительная часть инжектированных в базу носителей заряда рекомбинируют в базе, создавая ток базы IБ. Следовательно, ток эмиттера разделятся на токи базы и коллектора, т.е. IЭ = IБ + Iк.
Слайд 11В электрическую цепь транзистор включают таким образом, что один из
его выводов (электрод) является входным, второй – выходным, а третий
– общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: ОБ, ОЭ и ОК.
Слайд 12Статическими характеристиками транзисторов называют графически выраженные зависимости напряжения и тока
входной цепи (входные ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ). Вид
характеристик зависит от способа включения транзистора.
Входной характеристикой является зависимость:
IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const.
Выходной характеристикой является зависимость:
IК = f(UКБ) при IЭ = const .
Слайд 13Измерение статических характеристик транзисторов
Слайд 15Транзистор в схеме ОЭ дает усиление по току. Коэффициент усиления
по току в схеме ОЭ:
Если коэффициент для
транзисторов = 0,90,99, то коэффициент = 999. Это является важнейшим преимуществом включения транзистора по схеме ОЭ, чем, в частности, определяется более широкое практическое применение этой схемы включения по сравнению со схемой ОБ.
Слайд 17Простейший усилительный каскад с общим эмиттером
