Выполнил студент гр. ЭВТ-12-1б Грачев Э.И. Общие сведения о свойствах и

характеристиках
полупроводниковых приборов

устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, основу которой составляют полупроводниковые приборы. Поэтому,

для понимания процессов функционирования электронных устройств необходимо знание устройства и принципа действия основных типов полупроводниковых приборов.

Введение

характеристиках полупроводниковых приборов
Задачи:
Рассмотреть разновидности приборов
Познакомиться

с основными свойствами приборов.

Цель и задачи

сопротивлению занимают место между проводниками и диэлектриками. Разная величина проводимости

обусловлена разной величиной энергии, которую надо затратить на то, чтобы освободить валентный электрон от связей с атомами, расположенными в узлах кристаллической решетки. Проводимость полупроводников зависит от наличия примесей и температуры.
В полупроводниках присутствуют подвижные носители заряда двух типов: отрицательные электроны и поло­жительные дырки.

Полупроводники

Основная его функция - это проводить электрический ток в одном

направлении, и не пропускать его в обратном. Состоит диод из двух слоев полупроводника типов N и P.
диод проводит ток в направлении от анода к катоду, и не проводит обратно.

дИОДЫ

этого значения, диод является очень плохим проводником. Vϒ у кремниевых приборов примерно

0.7V, у германиевых – около 0.3V.
ID_MAX - максимальный ток через диод при прямом включении
IOP – обратный ток утечки (очень маленькая величина)
PIV- диод способен выдерживать ограниченное напряжение (пробоя PIV)

Вольт амперная характеристика
Диода

усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
У биполярного

транзистора три контакта (электрода). Контакт, выходящий из центрального слоя, называется база (base). Крайние электроды носят названия коллектор и  эмиттер.

напряжения база-эмиттер Uбэ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер.
Выходной характеристикой называют

зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ при фиксированном токе базы.
Коэффициент усиления по току – соотношение тока коллектора IС к току базы IB.
Входное сопротивление – сопротивление в транзисторе, которое «встречает» ток базы. Обозначается Rin (Rвх). Чем оно больше - тем лучше для усилительных характеристик прибора,
поскольку со стороны базы обычно находиться источник слабого сигнала, у которого нужно потреблять как можно меньше тока.
Частотная характеристика – зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты входящего сигнала. С повышением частоты, способность транзистора усиливать сигнал постепенно падает.

Основные характеристики

канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое

входное сопротивление.

Полевые транзисторы