TheSlide.ru

Выпускная квалификационная работа на тему:

Содержание

1. Выпускная квалификационная работа на тему:
2. Принцип создания инверсии зонных состояний в полупроводнике 1
3. Принцип действия полупроводникового лазера с p-n-переходом а-нулевое смещение; б-смещение в прямом направлении2
4. Спектральная характеристика полупроводникового лазера Блок-схема макета для снятия спектральной характеристики диодного лазера.3
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового
6. Излучательная характеристика полупроводникового лазераБлок-схема для снятия излучательной характеристики полупроводникового лазера. 5
7. Заключение1. Выполнен обзор литературы;2. Собраны стенды для
8. Скачать презентанцию

Принцип создания инверсии зонных состояний в полупроводнике 1

Главная
Разное
Выпускная квалификационная работа на тему:

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Выпускная квалификационная работа на тему:
«Исследование характеристик и параметров инфракрасного полупроводникового лазера»
Выполнил:
Гареев

Ринат Расимович
Руководитель выпускной квалификационной работы:
Доцент, кандидат физико-математических наук
Шакиров Барый Галимьянович
Министерство

науки и высшего образования Российской Федерации
Башкирский государственный университет
Физико-технический институт

Выпускная квалификационная работа на тему:«Исследование характеристик и параметров инфракрасного полупроводникового лазера»Выполнил:Гареев Ринат РасимовичРуководитель выпускной квалификационной работы:Доцент, кандидат

Слайд 2 Принцип создания инверсии зонных состояний в полупроводнике
1

Принцип создания инверсии зонных состояний в полупроводнике 1

Слайд 3 Принцип действия полупроводникового лазера с p-n-переходом

а-нулевое смещение; б-смещение в

прямом направлении
2

Принцип действия полупроводникового лазера с p-n-переходом а-нулевое смещение; б-смещение в прямом направлении2

Слайд 4Спектральная характеристика полупроводникового лазера
Блок-схема макета для снятия спектральной характеристики

диодного лазера.
3

Спектральная характеристика полупроводникового лазера Блок-схема макета для снятия спектральной характеристики диодного лазера.3

Слайд 5 Диаграмма направленности излучения полупроводникового лазера
Экспериментальный стенд для изучения

диаграммы направленности излучения полупроводникового лазера.

Углы расходимости 1≈60

и 1≈300

4

Диаграмма направленности излучения полупроводникового лазера Экспериментальный стенд для изучения диаграммы направленности излучения полупроводникового

Слайд 6 Излучательная характеристика полупроводникового лазера
Блок-схема для снятия излучательной характеристики полупроводникового

лазера.
5

Излучательная характеристика полупроводникового лазераБлок-схема для снятия излучательной характеристики полупроводникового лазера. 5

Слайд 7Заключение
1. Выполнен обзор литературы;
2. Собраны стенды для экспериментальных измерений;
3. Проведены

измерения и построены спектральная и излучательная характеристики.
4. Определены параметры ИК

полупроводникового лазера :
λ max=852 нм,
∆λ ≈10 нм, 1≈60 и 1≈300;
5. Размеры активной области: R1 ≈5мкм и R2 ≈ 1мкм

6

Заключение1. Выполнен обзор литературы;2. Собраны стенды для экспериментальных измерений;3. Проведены измерения и построены спектральная и излучательная характеристики.4.

Скачать презентацию

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.

Для правообладателей