L.P.Kouwenhoven et al.,
Phys.Rev. B38, 3625 (1988)
Гетероструктура GaAs – AlxGa1-xAs
1.
Не зависит от длины !2. Диссипация без
рассеяния !
зависит
от расстояния l
и
от импульса k
Вычисляем сопротивление
по реккурентной формуле (по индукции)
Мы воспользовались формулой, полученной после усреднения
R << 1,
T ~ 1
R
T
R
Пока N мало, R N и RN растут линейно: RN ~ N.
Это – закон Ома .
при
1D − локализация (продолжение)
R N R N-1 1
R
Длина пробега l = l /R
ОПРЕДЕЛЕНИЕ
Другая форма записи
ξ = l / |ln T | l /R = l
В одноканальном 1D–проводнике ξ = l !!
Димерная модель. Одномерная цепочка периодически расположенных пар ям двух сортов (Еa и Еb )
Если |Ea− Eb| < 2J, то делокализованным оказывается состояние
J − интеграл перекрытия
Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть