Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
0 9
Содержание
- 1. 0 9
- 2. Семейство TTLНедостаток – большое энергопотреблениеПрактически невозможно использовать
- 3. Полевой транзисторMOS FETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TransistorsnMetal-+
- 4. Полевой транзисторMOS FETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TransistorsКарманыn- Канал
- 5. Полевой транзисторMOS FETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TransistorsКарманы-+Режим обеднения канала.Depletion mode.
- 6. Полевой транзисторMOS FETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TransistorsКарманы+-Режим обогащения канала.Enhancement mode.
- 7. Полевой транзисторКак сделать?Вариант 1MetalOxideSemiconductorМеталлОкисел(Диэлектрик)ПолупроводникМОП транзисторили МДП транзисторMOS Transistorn - channel
- 8. Полевой транзисторКак сделать?Вариант 1МОП транзисторили МДП транзисторMOS Transistorn - channelЗатворGateИстокSourceСтокDrain
- 9. Полевой транзисторMOSFET обозначениеЗатворGateИстокSourceСтокDrainЗатворGateИстокSourceСтокDrainn - channelp - channelGDSGDSGDSGDS
- 10. Полевой транзисторMOSFET включение и характеристикиGDSDepletionEnhancementНеудобный ключОткрывается плюсом.Закрывается минусом.
- 11. Полевой транзистор с управляющим p-n переходомJFET (Junction Field-Effect Transistor)DepletionEnhancementЭто не ключТранзистор не насыщается
- 12. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFETНу и как этот транзистор открыть?
- 13. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFETБолее точная структураОсновные носителиПодложкаНеосновные носители
- 14. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET0
- 15. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET+
- 16. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET+2
- 17. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET+4Инверсия типа проводимости
- 18. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET+4Индуцированный канал
- 19. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET+4
- 20. Полевой транзистор с индуцированным каналомMOSFET+Только режим обогащенияEnhancement modeСмещенная парабола
- 21. Полевые транзисторыEnhancementMOSFETn-channelp-channelJFETMOSFETEnhancementMOSFETТипыПолевой транзистор с индуцированным каналом
- 22. Полевой транзистор - развитиеhttp://ieeexplore.ieee.org/ieee_pilot/articles/96jproc02/96jproc02-appenzeller/article.htmlMOSFETFinFET (3D MOSFET)
- 23. Комплементарная пара полевых транзисторов
- 24. КМОП логика. Инвертор.n-channelp-channelПередаточная характеристика симметрична, т.к. транзисторы комплементарны!
- 25. КМОП логика. Питание и логические уровни.Напряжение питания
- 26. КМОП логика. Основные логические элементы.ИнверторСравните с инвертором ТТЛ
- 27. КМОП логика. Основные логические элементы.2 ИЛИ-НЕ2 NOR001010100110
- 28. КМОП логика. Основные логические элементы.2 И-НЕ2 NAND001011101110
- 29. КМОП логика. Потребление.Pd (Power Dissipation)
- 30. Семейство CMOS
- 31. Семейство CMOS
- 32. ЭлектростатикаМодель человеческого телаHuman Body Model (HBM)R =
- 33. Электростатика
- 34. Электростатика
- 35. ЭлектростатикаUccGndUccGnd
- 36. Семейство CMOS. Цоколевка.74XXYYYCD4YYY74XXYYYTTLCMOS74XX4YYY7400CD4011
- 37. Скачать презентанцию
Семейство TTLНедостаток – большое энергопотреблениеПрактически невозможно использовать в устройствах с автономным питанием.Причина – биполярный транзистор управляемый током базы.Необходим новый электронный компонент
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Семейство TTL
Недостаток – большое энергопотребление
Практически невозможно использовать в устройствах с
автономным питанием.
компонент
Слайд 5Полевой транзистор
MOS FET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
Карманы
-
+
Режим обеднения канала.
Depletion mode.
Слайд 6Полевой транзистор
MOS FET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
Карманы
+
-
Режим обогащения канала.
Enhancement mode.
Слайд 7Полевой транзистор
Как сделать?
Вариант 1
Metal
Oxide
Semiconductor
Металл
Окисел
(Диэлектрик)
Полупроводник
МОП транзистор
или
МДП транзистор
MOS Transistor
n - channel
Слайд 8Полевой транзистор
Как сделать?
Вариант 1
МОП транзистор
или
МДП транзистор
MOS Transistor
n - channel
Затвор
Gate
Исток
Source
Сток
Drain
Слайд 9Полевой транзистор
MOSFET обозначение
Затвор
Gate
Исток
Source
Сток
Drain
Затвор
Gate
Исток
Source
Сток
Drain
n - channel
p - channel
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Слайд 10Полевой транзистор
MOSFET включение и характеристики
G
D
S
Depletion
Enhancement
Неудобный ключ
Открывается плюсом.
Закрывается минусом.
Слайд 11Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
JFET (Junction Field-Effect Transistor)
Depletion
Enhancement
Это не
ключ
Транзистор не насыщается
Слайд 13Полевой транзистор с индуцированным каналом
MOSFET
Более точная структура
Основные носители
Подложка
Неосновные носители
Слайд 20Полевой транзистор с индуцированным каналом
MOSFET
+
Только режим обогащения
Enhancement mode
Смещенная парабола
Слайд 21Полевые транзисторы
Enhancement
MOSFET
n-channel
p-channel
JFET
MOSFET
Enhancement
MOSFET
Типы
Полевой транзистор с индуцированным каналом
Слайд 22Полевой транзистор - развитие
http://ieeexplore.ieee.org/ieee_pilot/articles/96jproc02/96jproc02-appenzeller/article.html
MOSFET
FinFET (3D MOSFET)
Слайд 24КМОП логика. Инвертор.
n-channel
p-channel
Передаточная характеристика симметрична, т.к. транзисторы комплементарны!
Слайд 25КМОП логика. Питание и логические уровни.
Напряжение питания Ucc может меняться
в широких пределах.
Передаточная характеристика будет просто масштабироваться.
Uin0
(0÷30%)Ucc
(70÷100 %) Ucc
Uin1
Uout0
0 В
Uout1
Ucc
Слайд 32Электростатика
Модель человеческого тела
Human Body Model (HBM)
R = 330 Ом
C =
150 пФ
U = 2 ÷ 8 кВ
