1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Содержание

1. 1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
2. Рельеф («морфология») поверхностиШероховатая поверхностьСреднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая
3. T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым
4. Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид
5. Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная структура поверхности GaAs(001)
6. Атомные реконструкции поверхности GaAs(001): картины дифракции электронов
7. Слайд 7
8. Профиль электронной плотности у поверхности металла
9. Слайд 9
10. Слайд 10
11. Поверхностные электронные состояния
12. Поверхностные состояния в полупроводниках
13. Зонная диаграмма поверхности полупроводника
14. Слайд 14
15. Слайд 15
16. 1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура
17. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)
18. Слайд 18
19. Электрон-дырочный (p-n) переход
20. Прямое и обратное смещение на p-n переходе
21. Слайд 21
22. Слайд 22
23. Слайд 23
24. Слайд 24
25. Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии
26. Вольт-амперные характеристики туннельного диода
27. Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода Обратное смещениеРавновесиеV=0
28. Слайд 28
29. Слайд 29
30. Слайд 30
31. Слайд 31
32. Слайд 32
33. Слайд 33
34. Экскурсия 2 декабря (четверг): 10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние светаНОК НГУ
35. Слайд 35
36. Слайд 36
37. Слайд 37
38. Слайд 38
39. Слайд 39
40. Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур
41. Слайд 41
42. Скачать презентанцию

Рельеф («морфология») поверхностиШероховатая поверхностьСреднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая сингулярная граньВид сверху[10][01]a0 – постоянная решетки;  – угол отклонения от сингулярной грани; tg=a0 /b, b – ширина террас qВицинальная (отклоненная от сингулярной грани)

Главная
Разное
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Слайды и текст этой презентации

Слайд 11. Поверхность металлов и полупроводников
Атомная структура поверхности кристалла
Барьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

заряда, поля и и потенциала вблизи поверхности.

Поверхностные и контактные
явления в полупроводниках

2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика

3. Электрон-дырочный (p-n) переход
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика
Инжекция неосновных носителей заряда
Емкость p-n перехода

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния.

Слайд 2Рельеф («морфология») поверхности
Шероховатая поверхность
Среднеквадратичная шероховатость:
Идеально гладкая сингулярная грань
Вид сверху
[10]
[01]
a0

– постоянная решетки;  – угол отклонения от сингулярной грани;

tg=a0 /b, b – ширина террас

Вицинальная (отклоненная от сингулярной грани) поверхность

Рельеф («морфология») поверхностиШероховатая поверхностьСреднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая сингулярная граньВид сверху[10][01]a0 – постоянная решетки;  – угол отклонения

Слайд 3T=575C
2 часа
T=650C
2 часа
Изображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и

после нагрева в равновесных условиях
Исходная поверхность
3 мкм
V.L. Alperovich,

I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina,
A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (2009)

Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями?

Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать!

T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность

Слайд 4Атомная структура поверхности GaAs(001)
Структура GaAs(001)
Вид сверху
1. Симметрия поверхности

GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка,

а на поверхности – только 2 порядка.

2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры.

3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной.

Слайд 5Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)
димер
Нереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)
Атомная

структура поверхности GaAs(001)

Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная структура поверхности GaAs(001)

Слайд 6Атомные реконструкции поверхности GaAs(001): картины дифракции электронов
Увеличение периода поверхностной кристаллической

ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между

дифракционными рефлексами)

Атомные реконструкции поверхности GaAs(001): картины дифракции электронов Увеличение периода поверхностной кристаллической ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки

Слайд 7

Слайд 8Профиль электронной плотности у поверхности металла

Слайд 9

Слайд 10

Слайд 11Поверхностные электронные состояния

Слайд 12Поверхностные состояния в полупроводниках

Слайд 13Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Слайд 14

Слайд 15

Слайд 161. Поверхность металлов и полупроводников
Атомная структура поверхности кристалла
Барьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

заряда, поля и и потенциала вблизи поверхности.

Поверхностные и контактные
явления в полупроводниках

2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика

Слайд 17Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)

Слайд 18

Слайд 19Электрон-дырочный (p-n) переход

Слайд 20Прямое и обратное смещение на p-n переходе

Слайд 25Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии

Слайд 26Вольт-амперные характеристики туннельного диода

Слайд 27Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода
Обратное смещение
Равновесие
V=0

Слайд 34Экскурсия 2 декабря (четверг):
10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние

света
НОК НГУ

Слайд 40Экскурсии 11 ноября (четверг):
10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в

низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)
15:00 Шкляев Александр Андреевич,

вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОЦ НГУ, к. 34

Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)15:00

Слайд 41

Скачать презентацию

Разделы презентаций

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Содержание

Слайды и текст этой презентации

Слайд 11. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение

Слайд 2Рельеф («морфология») поверхностиШероховатая поверхностьСреднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая сингулярная граньВид сверху[10][01]a0

– постоянная решетки;  – угол отклонения от сингулярной грани;

Слайд 3T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и

после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность 3 мкмV.L. Alperovich,

Слайд 4Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид сверху1. Симметрия поверхности

GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка,

Слайд 5Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная

структура поверхности GaAs(001)

Слайд 6Атомные реконструкции поверхности GaAs(001): картины дифракции электронов Увеличение периода поверхностной кристаллической

ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между

Слайд 8Профиль электронной плотности у поверхности металла

Слайд 11Поверхностные электронные состояния

Слайд 12Поверхностные состояния в полупроводниках

Слайд 13Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Слайд 161. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение

Слайд 17Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)

Слайд 19Электрон-дырочный (p-n) переход

Слайд 20Прямое и обратное смещение на p-n переходе

Слайд 25Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии

Слайд 26Вольт-амперные характеристики туннельного диода

Слайд 27Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода Обратное смещениеРавновесиеV=0

Слайд 34Экскурсия 2 декабря (четверг): 10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние

светаНОК НГУ

Слайд 40Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в

низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)15:00 Шкляев Александр Андреевич,

Похожие презентации

Обратная связь

Что такое TheSlide.ru?

Слайд 11. Поверхность металлов и полупроводников
Атомная структура поверхности кристалла
Барьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

Слайд 2Рельеф («морфология») поверхности
Шероховатая поверхность
Среднеквадратичная шероховатость:
Идеально гладкая сингулярная грань
Вид сверху
[10]
[01]
a0

Слайд 3T=575C
2 часа
T=650C
2 часа
Изображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и

после нагрева в равновесных условиях
Исходная поверхность
3 мкм
V.L. Alperovich,

Слайд 4Атомная структура поверхности GaAs(001)
Структура GaAs(001)
Вид сверху
1. Симметрия поверхности

Слайд 5Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)
димер
Нереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)
Атомная

Слайд 6Атомные реконструкции поверхности GaAs(001): картины дифракции электронов
Увеличение периода поверхностной кристаллической

Слайд 161. Поверхность металлов и полупроводников
Атомная структура поверхности кристалла
Барьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

Слайд 27Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода
Обратное смещение
Равновесие
V=0

Слайд 34Экскурсия 2 декабря (четверг):
10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние

света
НОК НГУ

Слайд 40Экскурсии 11 ноября (четверг):
10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в

низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)
15:00 Шкляев Александр Андреевич,