Двух- и трехмерные точечные источники

диффузанта
m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух-

и трехмерного источников
Формула Пуассона

N(x,y,z,t) = N(x,t)∙N(y,t)∙N(z,t)

Ar
БСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3
2 B2O3 + 3Si → 3Si02 +

4В
ТПИ – BN (нитрид бора)
BCl3 и BBr3
Фосфор (P), мышьяк (As) и сурьма (Sb)
PCl3, оксихлорид фосфора POCl3
PH3 (фосфин); 2 РH3 → 3H2 + 2P
P2O5, ФСС (nP2O5∙mSiO2)
2 Р2О5 + 5Si → 5SiО2 + 4P
Поверхностные источники: ортофосфаты кремния, (NH4)H2PO3, ФСС
ТПИ: нитрид фосфора, фосфид кремния, ФСС, метафосфат алюминия, пирофосфат кремния

в запрещенной зоне полупроводника.
Все основные донорные и акцепторные примеси

в кремнии (элементы V и III групп) имеют Еа≈ 0.06 эВ. Исключением является In: Еа≈0.16 эВ от Еv (используется при создании фотоприемных устройств).
Примеси, имеющие энергетические уровни, расположенные вблизи середины ЗЗ, например, Au, применяются для снижения времени жизни ННЗ.
Предельная растворимость примеси.
Р (1,5·1021 см-3), As (2·1021 см-3), Sb (5·1019 см-3 ).
B (5·1020 см-3), Al (2·1019 см-3).
Величина коэффициента диффузии.
Наибольший коэффициент диффузии D имеет Al. Заметно уступают ему B и P. Очень велики D у Au и О2.
Технологичность. В первую очередь D в Si и SiО2.

– 5%);
высокая чистота;
расширенная возможность локального легирования (широкий круг маскирующих материалов,

меньше боковое легирование);
можно легировать через покрытие;
возможность получения управляемого профиля распределения – вплоть до формирования захороненного слоя.
возможность создания мелких переходов (20 нм, около 40 атомных слоев)
быстрый процесс;
можно проводить при комнатной температуре;
ИЛ легко управлять путем изменения ускоряющего напряжения, плотности ионного пучка, угла наклона пучка, времени облучения пластин, а в случае обработки сфокусированным пучком и скорости его сканирования

до единиц мегаэлектронвольт
вакуум порядка 10-4 Па
ускоритель
ускоритель
источник ионов
Анализатор ионов

по массе

интегратор заряда

отклоняющие пластины

[Кл], под действием разности потенциалов [В], приобретает энергию ,

[Дж].
Доза облучения – это количество частиц; бомбардирующих единицу поверхности за данное время. Доза облучения определяется плотностью ионного тока j [А/м2] и длительностью облучения t [с]:
[мкКл/ см2].

Чтобы выразить дозу в количестве частиц, внедренных на единице поверхности, величину делят на заряд одной частицы: , ион/см2.

насыпается соль металла – KJ, NaCl, CaCl2 т.д., получают ионы

Na+, K+, Li+, Cs+, Rb+, J-, F-, Br-, Cl-;
с ионизацией электронным ударом: электроны создаются термоэмиссией или в газовом разряде, ускоряются электростатическим или высокочастотным полем, удерживаются в ограниченном объеме магнитным полем и направляются на столкновение с молекулами газа или пара рабочего вещества, ионизируя их;
высокочастотные – плазма ВЧ-разряда (при давлении 10-10-2 Па), магнитное поле увеличивает эффективность; на анод подается 2-10 кВ;
на основе дугового разряда в парах рабочего вещества (BF3, AsH3,PCl3, B2H6) при низких давлениях (порядка 1 Па).

его торможении в мишени независимы друг от друга и аддитивны

dE/dx = Sn+Se
Sn = σNE

легировании
Маскирование производится пленками окиси кремния; или Si3N4, фоторезистами, поликремнием или

пленками металлов
Требования: должны быть достаточно толстыми для полного торможения бомбардирующих ионов,
иметь низкий коэффициент распыления ионным пучком и
хорошо растворяться после облучения

Френкеля – вакансии и атомы в междуузлиях

дефекты смещений сливаются

в зоны размером 5... 10 нм

кластер радиационных нарушений - скопление простых дефектов

доза аморфизации -
критическая доза ионного облучения, при которой полупроводник переходит из кристаллического состояния в аморфное

аморфизации кремния (б)
критическая температура аморфизации Ткр
для бора

24 °С,
для фосфора 175 °С,
для сурьмы 460 °С

примеси.
Такая возможность обеспечивается за счет разницы в энергиях активации

процессов диффузии примесей и процессов самодиффузии, ответственных за восстановление кристаллической структуры (в Si 3.5 и 5 эВ). Поэтому при температурах, приближающихся к температуре плавления, процессы восстановления кристаллической структуры ускоряются в значительно большей степени, нежели процессы диффузии примесей.

проводиться как при однородном нагреве всей поверхности пластины, так и

с использованием техники сканирования лучом, при этом может потребоваться несколько циклов нагрева – охлаждения.

Импульсная термообработка

2-3 порядка величины и концентрации кислородных кластеров по крайней мере

на порядок величины при воздействии импульсов длительностью менее 0.05 с, разогревающих поверхностные слои до 1350 – 1400оС.
Уменьшение величины сопротивления контакта металл- кремний приблизительно на порядок величины при воздействии импульсов порядка 1 с, нагревающих поверхность пластин до температуры, меньшей температуры плавления металла. При этом используется однородный нагрев всей площади пластины.
Создание приповерхностных слоев с большой концентрацией дефектов, которые впоследствии могут использоваться для геттерирования легко диффундирующих примесей (играют роль центров рекомбинации).
“Резка” пластин.

с максимумом на глубине
Создание мелких p-n-переходов
2. Модификация химических свойств материала
Создание

захороненного слоя оксида
Аморфизация слоя для уменьшения растворимости
Геттерирование примесей тяжелых металлов

протяженных дефектов на составные части.
Диффузия к зонам захвата (стокам).

Поглощение примесей или междоузельных атомов стоком.
Диффузия фосфора - метод гетерирования Cu. Атомы Cu в Si находятся в междоузлиях, они переходят в состояние Сu3– и образуют пары Р+Сu3–.
Внедрение в кремниевую пластину ионов инертных газов приводит к формированию при отжиге пузырьков газа, ограниченных кристаллографическими поверхностями.