Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Электровакуумный диод
Содержание
- 1. Электровакуумный диод
- 2. Вольтамперная характеристика диода Ia,mAUa,B123
- 3. внутренняя проводимость или крутизна характеристики (A/B)
- 4. внутреннее дифференциальное сопротивление диода
- 5. Графическое определение параметров диодаIa,mAUa,BdIadUa
- 6. параметрическое уравнение диода
- 7. вакуумный триодАСКподогреватель
- 8. Анодная характеристикаUc=constdIadUa
- 9. Анодно-сеточная характеристикаUa=const
- 10. Параметры триодапервая проводимость или крутизна характеристики (А/В)
- 11. вторая проводимость (А/В)
- 12. внутреннее дифференциальное сопротивление (Ом)
- 13. коэффициент усиления
- 14. параметрическое уравнение триода
- 15. Тетрод с катодной сеткойАКкатодная сетка (+)управляющаясетка (-)
- 16. Тетрод с экранирующей сеткойАКуправляющаясетка(-)экранирующаясетка(+)
- 17. ВАХ тетрода с катодной сеткойIa,mAUa,BUс=const(Uкc=10B)
- 18. ВАХ тетрода с экранирующей сеткой Uэ=90Вобласть динатронногоэффекта Ua,ВIa,mAUc=const
- 19. собственный полупроводник
- 20. примесный полупроводник n-типа (P, As, Sb )фосфор, мышьяк, сурьма+5+4+4+5--
- 21. примесный полупроводник р-типа (Al, B, In)алюминий, бор, индий+3+4+4+3++
- 22. электронно-дырочный переход (p-n переход)+ ++ ++ ++ +- -- -- -- -n-областьp-областьЕвнутр
- 23. Зависимость высоты потенциального барьера от приложенного внешнего напряженияРис. аРис. бnp-+-+ЕвнутрЕвнешnp-++-ЕвнутрЕвнеш
- 24. вольтамперная характеристика p-n перехода
- 25. Емкость р-п переходаφkС=dQ/dU
- 26. Условное обозначение п/п диода
- 27. варикап
- 28. Вольт-фарадная характеристика варикапаС, ФU,B
- 29. Параметры варикапаДобротность варикапа
- 30. Коэффициент перекрытия по емкости
- 31. Зависимость Qc от частотыЗависимость Qc от обратного напряженияQcf,МГцQcUобр,В13Uобр=8 Вf=20МГц100 МГц
- 32. Стабилитрон Условное обозначение
- 33. ВАХ стабилитронаUстImaxU,BI,mAφk
- 34. Дифференциальное сопротивление стабилитрона dUdARi=dU/dA
- 35. Условное обозначениеТуннельный диод
- 36. ВАХ туннельного диодаI,mAU,BU1U2φkImaxImin
- 37. Фотодиод Условное обозначениесвет
- 38. ВАХ фотодиодаUxxIкзФ=0Ф1Ф2>Ф1I,mAU,BφkIт
- 39. Светодиод свет
- 40. Спектральная характеристика светодиода0,50,71,0Iзеленый красный ИК
- 41. Биполярный транзистор n-p-n
- 42. Биполярный транзистор p-n-p
- 43. Схема с общим эмиттером
- 44. Коэффициент передачи тока базы
- 45. Коэффициент передачи тока эмиттера
- 46. Входные характеристикиIБ=f(UБЭ), при UКЭ=const
- 47. Выходные характеристикиIК=f(UКЭ), при IБ =const
- 48. Характеристики передачи токаIК=f(IБ), при UКЭ =const
- 49. Характеристики обратной связи по напряжению.UБЭ =f(UКЭ), при IБ constIб=0
- 50. Система h-параметроввходное сопротивление
- 51. коэффициент обратной связи по напряжению
- 52. коэффициент усиления по току
- 53. выходная проводимость
- 54. Полевой транзисторЗСИЗСИn-каналp-канал
- 55. Полевой (униполярный) транзистор канал n - типаp - типр - типЗЗСИслаболегированныеобласти р-типа
- 56. p - типр - типканал п-типаканал почти полностью перекрытИЗЗС
- 57. Выходные (стоковые) характеристикиIc,mAUиc,ВUзи=0Uзи=3ВUзи=0,5ВUзи=1,5В
- 58. Стокозатворные характеристики Ic,mAUзи,ВUис=3ВUис=5В
- 59. крутизна стокозатворной характеристики
- 60. внутреннее дифференциальное сопротивление
- 61. коэффициент усиления
- 62. Динистор Тиристорpnpnpnpnупр. электрод К -А+К -А+
- 63. рnрСхема включения динистораn+ E -
- 64. Эквивалентная схема включениярЭnБрКnКрБ nЭ+ E -Т1Т2
- 65. I,mAU,BImaxIудIвклUоткр
- 66. Блок-схема усилителяИсточник питанияИсточник усиливаемогосигналаУсилительныйэлемент Нагрузка
- 67. коэффициенты усиления;
- 68. ;
- 69. Слайд 69
- 70. амплитудная характеристика123UвыхUвхUminUmax
- 71. АЧХККо0,7Коffн
- 72. ФЧХφffнfв
- 73. КU βRНUВХ1UВХ1UОСUВХ2IВХUВЫХIВЫХ
- 74. Слайд 74
- 75. Слайд 75
- 76. Операционный усилительUВХ2UВХ1UВЫХ_++ЕП -ЕП
- 77. Слайд 77
- 78. 10 8 6 4 2UВЫХ,В 2
- 79. UвхUвыхЕкRэIкIбIэ
- 80. UвхUвыхОУ
- 81. RнRиUвхЕбIбЕкIвх = Iист.
- 82. UвхRнТ1Т2
- 83. АfАfАfАffC
- 84. R1R2(К-1)R RаС1UвхС2UaUвых
- 85. Слайд 85
- 86. C1С2(К-1)R RR1UвхR2Uвых
- 87. C К1 К2iUВХ
- 88. ус-во защитыи коммутацииисточникпитаниянагрузкаист. перв.питанияус-во управл. и контролявнешнееуправлениесигналызащиты и комм.вторичный ист. пит.
- 89. Слайд 89
- 90. трансформаторвыпрямительстабилизаторсглаживающийфильтрот сети 50 Гцк нагрузке
- 91. UВХUДRН UВЫХDIвых
- 92. RнUвыхUвхIвыхD4D1D2D3
- 93. ttUвхIД1, I Д1ttUвх
- 94. tIД3, I Д4tttUвых
- 95. UВХ RН UВЫХDСIД
- 96. Слайд 96
- 97. Слайд 97
- 98. Слайд 98
- 99. Слайд 99
- 100. Слайд 100
- 101. Слайд 101
- 102. Слайд 102
- 103. Слайд 103
- 104. Слайд 104
- 105. Скачать презентанцию
Вольтамперная характеристика диода Ia,mAUa,B123
Слайды и текст этой презентации
Слайд 23Зависимость высоты потенциального барьера от приложенного внешнего напряжения
Рис. а
Рис. б
n
p
-
+
-
+
Евнутр
Евнеш
n
p
-
+
+
-
Евнутр
Евнеш
Слайд 31Зависимость Qc
от частоты
Зависимость Qc от обратного напряжения
Qc
f,МГц
Qc
Uобр,В
1
3
Uобр=8 В
f=20МГц
100 МГц
Слайд 55Полевой (униполярный) транзистор
канал n - типа
p -
тип
р - тип
З
З
С
И
слаболегированные
области р-типа
Слайд 66Блок-схема усилителя
Источник питания
Источник
усиливаемого
сигнала
Усилительный
элемент
Нагрузка
Слайд 88ус-во защиты
и коммутации
источник
питания
нагрузка
ист. перв.
питания
ус-во управл.
и контроля
внешнее
управление
сигналы
защиты и комм.
вторичный
ист.
пит.
