Разделы презентаций


Квантовая интерференция сквиды

Содержание

Характеристики интерферометраОдинаковые переходы

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Лекции 11,12
Квантовая интерференция
СКВИДы

Лекции 11,12Квантовая интерференцияСКВИДы

Слайд 2Характеристики интерферометра


Одинаковые переходы

Характеристики интерферометраОдинаковые переходы

Слайд 3ПТ-СКВИД потокозапирающей системы


Можно сделать отрицательную обратную связь в схеме СКВИДа.

Т.е поместить доп. катушку в контур, на которую подать компенсирующий

сигнал. Этот сигнал будет компенсировать изменение измеряемого внешнего потока Фе
ПТ-СКВИД потокозапирающей системыМожно сделать отрицательную обратную связь в схеме СКВИДа. Т.е поместить доп. катушку в контур, на

Слайд 4Практические конструкции ПТ-СКВИДов


Точечно-контактный СКВИД Циммермана-Сильвера

Практические конструкции ПТ-СКВИДовТочечно-контактный СКВИД Циммермана-Сильвера

Слайд 5Практические конструкции ПТ-СКВИДов


Тонкопленочные ПТ-СКВИДы (Мерсеро и др.)
На подложке, слабая

связь – мостик

Практические конструкции ПТ-СКВИДовТонкопленочные ПТ-СКВИДы (Мерсеро и др.) На подложке, слабая связь – мостик

Слайд 6Практические конструкции ПТ-СКВИДов


ПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)

Практические конструкции ПТ-СКВИДовПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)

Слайд 7Практические конструкции ПТ-СКВИДов


ПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)
Разрез:

Практические конструкции ПТ-СКВИДовПТ-СКВИДы на Джозефсоновских туннельных переходах (Кларк и др.)Разрез:

Слайд 8Практические конструкции ПТ-СКВИДов


ПТ-СКВИДы на торцевых мостиках из Nb3Ge
(Ди Лорио,

де Лозанн, Бисли)

Практические конструкции ПТ-СКВИДовПТ-СКВИДы на торцевых мостиках из Nb3Ge (Ди Лорио, де Лозанн, Бисли)

Слайд 9Слабые связи и СКВИДы из ВТСП


Некоторые оценки.
1) Чтобы при Т≈TN≈78

K получить для ВТСП СКВИДа такое же отношение сигнал/шум как

для гелиевых СКВИДов из обычных сверхпроводников, надо Ic увеличить в Т/TN≈20 раз.
Действительно, безразмерный параметр (отношение Джозефсоновской энергии к тепловой) γ=ħIc/2ekT должен быть >>1. Тогда СКВИД будет работать нормально.
EJ=ħIc/2e-Джозефсоновская энергия связи перехода, kT-тепловая энергия.
Надо сохранить отношение Ic/T≈Const при изменении температуры от 4.2 К до 78 К.
2) Но для оптимальной работы надо иметь
βс=2IcLs/Фо≈1.
Т.е. индуктивность СКВИДа Ls надо уменьшить в те же 20 раз. Это проблема.

Слабые связи и СКВИДы из ВТСПНекоторые оценки.	1) Чтобы при Т≈TN≈78 K получить для ВТСП СКВИДа такое же

Слайд 10Слабые связи и СКВИДы из ВТСП


3) Достигнутые значения Ic.
Хорошими значениями

считаются криттоки, при которых Vc=IcRN=0.5 мВ (или частота ωс=1.5·1012 Гц).

В BaKBiO достигнуто Vc=3.5 мВ. В особых случаях в ВТСП – 10 мВ (ωс=3·1013 Гц). Теория предсказывает 20-30 мВ.
Современный рекорд Vc=10 мВ получен на переходе из Bi-2223 (Bi2Sr2Ca2Cu3Ox) с барьером из Bi-2278 (который является диэлектриком, но имеет ту же решетку).
ВТСП СКВИД-магнитометр фирмы Conductus (США) на чипе 2х2 см2 (бикристалл SrTiO3). Разрешение примерно равно 10 фТл/Гц1/2, Vc=130 мкВ, RN=13 Ом. Размах сигнальной характеристики ΔV=60 мкВ.
Слабые связи и СКВИДы из ВТСП3) Достигнутые значения Ic.Хорошими значениями считаются криттоки, при которых Vc=IcRN=0.5 мВ (или

Слайд 11Типы слабых связей из ВТСП


Переход на границе зерна (поликристаллическая пленка)
Пленочный

СКВИД

Типы слабых связей из ВТСППереход на границе зерна (поликристаллическая пленка)Пленочный СКВИД

Слайд 12Типы слабых связей из ВТСП


Переход на границе зерна (поликристаллическая пленка)
Вариант:

подавление сверхпроводимости с помощью облучения через маску энергичными частицами (ионами,

Е≥1 МэВ)

На рисунке ВТСП пленка облучена всюду (серый цвет), кроме кольца СКВИДа и мостиков

Типы слабых связей из ВТСППереход на границе зерна (поликристаллическая пленка)Вариант: подавление сверхпроводимости с помощью облучения через маску

Слайд 13Типы слабых связей из ВТСП


Переход на бикристаллической границе
(эпитаксиальная пленка

на бикристалле)
Бикристалл – это два сваренных кристалла с разным направлением

кристаллических осей (угол Θ). Критток в пленке, осажденной на бикристалл, и другие свойства зависят от Θ (критток падает при росте Θ).

Типы слабых связей из ВТСППереход на бикристаллической границе (эпитаксиальная пленка на бикристалле)Бикристалл – это два сваренных кристалла

Слайд 14Типы слабых связей из ВТСП


Переход на краю ступеньки диэлектрика
(ступенчато-торцевой

переход)

Типы слабых связей из ВТСППереход на краю ступеньки диэлектрика (ступенчато-торцевой переход)

Слайд 15Типы слабых связей из ВТСП


Переход на краю пленки (торцевой переход)

Типы слабых связей из ВТСППереход на краю пленки (торцевой переход)

Слайд 16Типы слабых связей из ВТСП


Переход на краю пленки (торцевой переход)
Когда

в качестве изолятора используется пленка PrBa2Cu3O7 (см. рис.), то получают

очень высокие значения Vc=IcRN (8 мВ и более, при Т=4.2 К)
Типы слабых связей из ВТСППереход на краю пленки (торцевой переход)Когда в качестве изолятора используется пленка PrBa2Cu3O7 (см.

Слайд 17Типы слабых связей из ВТСП


Мостик из нормального металла с берегами

из ВТСП

Типы слабых связей из ВТСПМостик из нормального металла с берегами из ВТСП

Слайд 18Типы слабых связей из ВТСП


Туннельный переход (туннельная структура типа «сэндвич»)

Типы слабых связей из ВТСПТуннельный переход (туннельная структура типа «сэндвич»)

Слайд 19Типы слабых связей из ВТСП


ВТСП СКВИДы на основе керамики

Типы слабых связей из ВТСПВТСП СКВИДы на основе керамики

Слайд 20Предел чувствительности СКВИДа


Теоретический шумовой поток для ПТ-СКВИДа (в пределе низких

частот):




Для: L=10-9 Гн – индуктивность кольца,
R=2 Ома – сопротивление в N-состоянии,
Δf=1

Гц – полоса частот,
δФ/Ф=5⋅10-6 (для Т=4.2 К)


Предел чувствительности СКВИДаТеоретический шумовой поток для ПТ-СКВИДа (в пределе низких частот):Для:	L=10-9 Гн – индуктивность кольца,	R=2 Ома –

Слайд 21Предел чувствительности СКВИДа


Внутренняя энергетическая чувствительность ε (порог чувствительности).
ε = энергии

шума в СКВИДе, приходящейся на полосу частот Δf=1 Гц.
 Для ε

теория дает (результат несколько зависит от условий и параметров):
εmin~ ћ/2 ≈ 0.1h
Это просто соотношение неопределенности:
ΔE⋅Δτ ≥ ћ/2 Δτ ≈ 1/Δf = 1 Гц-1, т.е. ΔE/Δf = ε
Это уже квантовый шум.
 
Современный рекорд (Ван Харлингер и др.):
ε* = ε-εf ≈ 0.3h (T=3.4 K)
Здесь ε – экспериментальная энергетическая чувствительность (т.е. мерится именно ε), εf=5⋅104⋅h/f – их энергетическая чувствительность, определяемая шумом 1/f


Предел чувствительности СКВИДаВнутренняя энергетическая чувствительность ε (порог чувствительности).	ε = энергии шума в СКВИДе, приходящейся на полосу частот

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика