Разделы презентаций

Лекция 10 Индексы кристаллической решетки. Дефекты в кристаллах

Содержание

Индексы узлов, направлений и плоскостей решетки Индексы узла с координатами (x, y, z), если a,b,c –периоды решетки x=ma, y=nb, z=pc [[mnp]]Индексы направления – отношение проекций направления на оси к трансляциям [uvw]Индексы

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Лекция 10
Индексы кристаллической решетки. Дефекты в кристаллах.

Лекция 10Индексы кристаллической решетки. Дефекты в кристаллах.

Слайд 2Индексы узлов, направлений и плоскостей решетки
Индексы узла с координатами (x,

y, z), если a,b,c –периоды решетки x=ma, y=nb, z=pc [[mnp]]
Индексы

направления – отношение проекций направления на оси к трансляциям [uvw]
Индексы плоскости (индексы Миллера) – обратное отношение величин отрезков, отсекаемых плоскостью на осях к трансляциям (hkl)
Индексы узлов, направлений и плоскостей решетки Индексы узла с координатами (x, y, z), если a,b,c –периоды решетки

Слайд 3Дефекты кристаллов
Точечные
Линейные
Поверхностные
Трехмерные

Дефекты кристалловТочечныеЛинейныеПоверхностныеТрехмерные

Слайд 4Зависимость концентрации дефектов от температуры
Сd=exp[-Ed(kT)]

Сd-концентрация дефектов
Ed- энергия образования дефекта
k-постоянная Больцмана
T-

температура (К)

Зависимость концентрации дефектов от температуры Сd=exp[-Ed(kT)]Сd-концентрация дефектовEd- энергия образования дефектаk-постоянная БольцманаT- температура (К)

Слайд 5Точечные дефекты
Междоузлия
Вакансии
Примесные атомы
Me Ed = 3,5-6 эВ Ed ≈1 эВ
Si, Ge Ed =

2-3 эВ Ed = 3-4 эВ

1 эВ = 23.06 ккал/моль =

96.4 кДж/моль
Точечные дефектыМеждоузлияВакансииПримесные атомыMe Ed = 3,5-6 эВ Ed ≈1 эВSi, Ge Ed = 2-3 эВ Ed = 3-4 эВ1 эВ =

Слайд 6Типы точечных дефектов
Дефекты Френкеля
внутри кристалла
Еd = 10-20 эВ
Дефекты Шоттки
на поверхности
Е=0,9-1

эВ
Вакансионный механизм миграции

Типы точечных дефектовДефекты Френкелявнутри кристаллаЕd = 10-20 эВДефекты Шотткина поверхностиЕ=0,9-1 эВВакансионный механизм миграции

Слайд 7Междоузельные дефекты
Гантельный механизм миграции
Е ≈ 0.1 эВ

Междоузельные дефектыГантельный механизм миграцииЕ ≈ 0.1 эВ

Слайд 8Примесные атомы
Атомы внедрения
Атомы замещения

Примесные атомыАтомы внедренияАтомы замещения

Слайд 9Дислокации
Дислокация-линейное несовершенство кристалла, образующее границу зоны сдвига
Внутри дислокации строение решетки

сильно искажено, вне – нет
Ядро дислокации – цилиндрическая область радиусом

в 1-3 межатомных расстояния
Различают краевые и винтовые дислокации

ДислокацииДислокация-линейное несовершенство кристалла, образующее границу зоны сдвигаВнутри дислокации строение решетки сильно искажено, вне – нетЯдро дислокации –

Слайд 10Причины возникновения дислокаций
Внешняя нагрузка
Напряжения на границах срастания зерен или разнородных

слоев при эпитаксии
Прорастание дислокации из затравки в растущий кристалл
Встреча двух

зерен роста с разной ориентацией
Образование смежных слоев разного состава за счет примесей
Причины возникновения дислокацийВнешняя нагрузкаНапряжения на границах срастания зерен или разнородных слоев при эпитаксииПрорастание дислокации из затравки в

Слайд 11Краевая дислокация

Краевая дислокация

Слайд 12Вектор Бюргерса
Для краевой дислокации характеризует искажение вокруг дислокации
Идеальный кристалл
Реальный кристалл

Вектор БюргерсаДля краевой дислокации характеризует искажение вокруг дислокацииИдеальный кристаллРеальный кристалл

Слайд 13Перемещение краевой дислокации
Вектор Бюргерса перпендикулярен дислокационной линии

Перемещение краевой дислокацииВектор Бюргерса перпендикулярен дислокационной линии

Слайд 14Перемещение краевой дислокации
Перемещение перпендикулярно вектору Бюргерса за счет диффузии требует

большой энергии → реализуется при высокой температуре

Перемещение краевой дислокацииПеремещение перпендикулярно вектору Бюргерса за счет диффузии требует большой энергии → реализуется при высокой температуре

Слайд 15Винтовая дислокация
Идеальный кристалл
Реальный кристалл
Вектор Бюргерса параллелен дислокационной линии

Винтовая дислокацияИдеальный кристаллРеальный кристаллВектор Бюргерса параллелен дислокационной линии

Слайд 16Перемещение винтовой дислокации
В любой плоскости, содержащей вектор Бюргерса

Перемещение винтовой дислокацииВ любой плоскости, содержащей вектор Бюргерса

Слайд 17Смешанные дислокации
Винтовая дислокация
Краевая дислокация
Смешанная дислокация

Смешанные дислокацииВинтовая дислокацияКраевая дислокацияСмешанная дислокация

Слайд 18Энергия дислокации
E ≈ Gb2l

G-модуль сдвига
b-длина вектора Бюргерса
l-длина дислокации


Кристалл меди

E ≈

54.6 гПа∙(0.256 нм)2∙0.256 нм = 9.2∙10-19 Дж ≈ 5.7 эВ

Энергия дислокацииE ≈ Gb2lG-модуль сдвигаb-длина вектора Бюргерсаl-длина дислокацииКристалл медиE ≈ 54.6 гПа∙(0.256 нм)2∙0.256 нм = 9.2∙10-19 Дж

Слайд 19Плотность дислокаций
Число дислокационных линий, проходящих через единичную
площадку в кристалле

10-6

- 10-12 см-2
Отталкивание
Параллельные винтовые дислокации с сонаправленным вектором Бюргерса.

Краевые

дислокации с сонаправленным вектором Бюргерса, находящиеся в одной плоскости скольжения.

Притяжение
Дислокации образуют устойчивые конгломераты

Взаимодействие дислокаций

Плотность дислокацийЧисло дислокационных линий, проходящих через единичнуюплощадку в кристалле 10-6 - 10-12 см-2 ОтталкиваниеПараллельные винтовые дислокации с

Слайд 20Роль дислокаций
нарушенная область кристаллической решетки в ядре дислокации обеспечивает

быстрые пути диффузии в материале
концентрация дефектов и примесей около

края дислокации способствуют тому, что именно дислокационная линия становится наиболее вероятным местом возникновения зародыша новой фазы.
Роль дислокаций нарушенная область кристаллической решетки в ядре дислокации обеспечивает быстрые пути диффузии в материале концентрация дефектов

Слайд 21Двумерные поверхностные дефекты
Дефекты упаковки
Границы зерен

Двумерные поверхностные дефекты Дефекты упаковкиГраницы зерен

Слайд 22Роль межзеренной границы
Диффузия по границам в поликристаллах превалирует над

объемной диффузией и обеспечивает необходимые для твердофазной реакции быстрые пути

диффузии
Аккумулирование примесей на границе зерен приводит к тому, что именно межзеренная граница является центром роста новой фазы
Роль межзеренной границы Диффузия по границам в поликристаллах превалирует над объемной диффузией и обеспечивает необходимые для твердофазной

Слайд 23Дефекты упаковки
Полоса неправильного чередования слоев, стянутая дислокациями
Дефект внедрения
Дефект вычитания

Дефекты упаковкиПолоса неправильного чередования слоев, стянутая дислокациямиДефект внедренияДефект вычитания

Похожие презентации

WONDERS OF THE WORLD WONDERS OF THE WORLD 408
Стихи В. Берестова Стихи В. Берестова 194
Головоломки Головоломки 236
ВРЕМЯ И КАЛЕНДАРЬ ВРЕМЯ И КАЛЕНДАРЬ 265
Архитектура ПК. Устройство ввода - вывода информации. Архитектура ПК. Устройство ввода - вывода информации. 196
Моя малая Родина - мое село Моя малая Родина - мое село 313
Мебель в жилых и общественных помещениях гостиниц Мебель в жилых и общественных помещениях гостиниц 385
Экспертиза проектной документации и результатов инженерных изысканий, Экспертиза проектной документации и результатов инженерных изысканий, 222
Генетика и селекция 3!.ppt Генетика и селекция 3!.ppt 267
ПРИТЧА ПРО ДОХЛУЮ ЛОШАДЬ ПРИТЧА ПРО ДОХЛУЮ ЛОШАДЬ 296
«Эшелон Победы» Мероприятие по математике, посвященное 70-й годовщине Великой Победы «Эшелон Победы» Мероприятие по математике, посвященное 70-й годовщине Великой Победы 471
Итоги инновационной недели Итоги инновационной недели 349
Международное управление: Право. Приоритеты Международное управление: Право. Приоритеты 208
Восстание в Букеевской (Внутренней) Орде Восстание в Букеевской (Внутренней) Орде 263
Некоторые правовые аспекты проекта Международной конвенции о контроле, надзоре Некоторые правовые аспекты проекта Международной конвенции о контроле, надзоре 178
Hello! Hello! 232
Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации Дистанционное Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации Дистанционное 283
Профилактика травматизма на уроках физической культуры Профилактика травматизма на уроках физической культуры 266
Ижевская государственная сельскохозяйственная академия НАПРАВЛЕНИЯ обучения в Ижевская государственная сельскохозяйственная академия НАПРАВЛЕНИЯ обучения в 288
Физико-химическая очистка Физико-химическая очистка 583

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.

Для правообладателей

Яндекс.Метрика