лекция 4 св-ва элементарных п_п

энергия связи
Ненаправленная,
ненасыщенная;
эн.св. 5-7 эВ на пару ионов.
Направленная,
насыщенная;
эн.св. 5-7 эВ на

Ненаправленная,
ненасыщенная;
эн.св. около 4 эВ на атом.

Ненаправленная,
ненасыщенная;
эн.св. около 0.1 эВ на атом.

Зонная структура

Имеется эн. щель между Еv и Ес (Eg>2-3 эВ)

Имеется эн. щель между Еv и Ес (Eg<2-3 эВ)

Зона проводимости частично заполнена (Eg=0 эВ)

Эн. щель между Еv и Ес очень широкая

Структурные свойства

Крупные анионы образуют ст-ры с плотной упаковкой, в пустотах - катионы (Zk=8,6,4 и3)

Структуры с неплотной упаковкой решетки (например Zk=4) и низкой плотностью

Компактные кристаллические структуры с плотнейшей упаковкой (Zk=12, 8)

Компактные кристаллические структуры с плотнейшей упаковкой (Zk=12 )

Проводимость носит в основном ионный характер и увеличивается с ростом

Активационная зависимость проводимости от Т. Два типа носителей

Проводники. Проводимость с ростом Т уменьшается.

Изоляторы.

Оптические свойства

Прозрачны для эл.-магн. Излучения от низких частот до края поглощения.

Прозрачны для эл.-магн. излучения от низких частот до края поглощения.

Непрозрачны для эл.-магн. излучения от самых низких частот; хорошо отражают свет.

Прозрачны для эл.-магн. излучения от низких частот до дальнего УФ.

Bi, S,
Se, Te, I
1. Алмазоподобные полупроводники
ANB8-N
а. Гранецентрированная кубическая решетка:

AIIIBV – GaAs, InSb, InP, AlSb (сфалерит); GaN (вюрцит)

AIIBVI – CdSe, CdTe, HgTe, ZnS, ZnSe (сфалерит); CdS,
CdSe, ZnS, ZnSe (вюрцит).

AIBVII – CuBr, AgI (сфалерит).

AIVBIV – -SiC (сфалерит).

Si, Ge

кубическая решетка:
типа алмаза

2. Халькогениды элементов четвертой группы

AIVBVI

PbS, PbTe, SnTe - гранецентрированная кубическая решетка типа NaCl

моноклинная решетка

Халькогениды сурьмы: Sb2Se3, Sb2S3 - ромбическая решетка

Халькогениды

(п/п термоэлектрические генераторы)

Магнитные п/п

П/п - сегнетоэлектрики

Органические п/п

пространственная
ориентация sp3 – гибридов.

nm
d
a = 4d3/3
Коэффициент упаковки ?