Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
ЛИТОГРАФИЯ
Содержание
- 1. ЛИТОГРАФИЯ
- 2. Фоторезист меняет свои химические свойства под действием
- 3. Негативный резистПозитивный резист
- 4. Подготовка подложекНанесение ФРСушка ФРСовмещение иэкспонирование Проявление иотмывкаЗадубливаниеТравление иотмывкаСнятие ФР и отмывка
- 5. Слайд 5
- 6. Обратная (взрывная) литографияФР
- 7. Характеристики фоторезистовСветочувствительность S = 1 / H =
- 8. Нанесение слоя резиста центрифугированием
- 9. Нанесение слоя резиста распылением1 – сопло форсунки;
- 10. Нанесение слоя резиста окунанием1 – полложка; 2
- 11. Нанесение слоя резиста накаткой1 – пленочный резист;
- 12. Слайд 12
- 13. Методы оптической литографииа – контактный, б –бесконтактный, в – проекционный
- 14. ДифракцияКонтактное экспонирование: разрешение пропорционально (g)1/2 —
- 15. Интерференция
- 16. Ртутные газоразрядные лампы (436, 405 или 365
- 17. Иммерсионная литографияулучшает разрешение на 30–40% ввиду большего коэффициента преломления жидкости
- 18. Фотохимические реакцииФотораспад (фотолиз) A-B → [A-B]*→ A·+B·
- 19. Негативные резистына основе каучуковна основе поливинилциннамата (ПВЦ)циклокаучукбис-азидразрыв двойной связи С=С(200-250 нм)
- 20. Позитивные резисты Сенсибилизаторами являются производные диазокетонов или
- 21. Фотошаблоныпокрытие CrxOy (Si3N4)Cr (Fe2O3, VO3, Eu2O3) ~ 0,1 мкмкварц или сапфирДиффузионный ФШ
- 22. Фазоповорачивающее покрытие
- 23. Как сделать первый фотошаблон?
- 24. Достоинства электронно-лучевой литографии: Отсутствие дифракции (высокая разрешающая
- 25. Схема вакуумной установки для сканирующей ЭЛГ1 –
- 26. Схема растрового (а) и векторного (б) сканирования
- 27. Rpэнергия мала энергия велика10-4 – 10-6 Кул/см2Рассеяние электроновIx
- 28. Слайд 28
- 29. Достоинства рентгеновской литографииПрименение излучения с малой длиной
- 30. сложное оборудование (рентгеновский источник, защита оператора от
- 31. Источники рентгеновского излучения Стандартный источник РИ –
- 32. Схема установки для рентгеновской литографии
- 33. Шаблон для РЛГ
- 34. Ионно-лучевая литография Преимуществами этого метода являются меньшее
- 35. Фотолитография,
- 36. Многослойные резистыDNQ-новолакПММАВерхний слой является маской (ФШ) при экспонировании нижнего
- 37. Многослойные резистыSiO2 или Si3N4не экспонируетсяНеорганический слой является маской при травлении нижнего слоя
- 38. Негативные двухслойные резисты с кремниемВерхний слой содержит Si, который в кислородной плазме превращается в SiO2
- 39. Силилированиеселективное внедрение кремния в участки скрытого изображения
- 40. Изотропное травление
- 41. Клин травления а при передаче рисунка с фотомаски на пленку SiO2
- 42. Реактивное ионное травление ZnSeАнизотропное травление
- 43. GeSe ~0,2мкмраствор AgNO3Неорганические резисты Полупроводниковые халькогенидные стекла (нанесение в вакууме) Ag
- 44. экспонирующее излучение 13,4 нм
- 45. Скачать презентанцию
Фоторезист меняет свои химические свойства под действием излученияФоторезист состоит из смолы, легко испаряющегося растворителя и фотоактивного соединения
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Фоторезист меняет свои химические свойства под действием излучения
Фоторезист состоит из
смолы, легко испаряющегося растворителя и фотоактивного соединения
Слайд 4Подготовка подложек
Нанесение ФР
Сушка ФР
Совмещение и
экспонирование
Проявление и
отмывка
Задубливание
Травление и
отмывка
Снятие ФР и
отмывка
Слайд 7Характеристики фоторезистов
Светочувствительность
S = 1 / H = 1 / I
t (H [Вт·с /см2] – экспозиция, I [Вт/см2] –
интенсивность облучения)Разрешающая способность
R = 1000 / 2 l (l – ширина линии, мкм)
Контрастность
Адгезия к подложке
Устойчивость к химическим воздействиям
Равномерность покрытия
![Характеристики фоторезистовСветочувствительность S = 1 / H = 1 / I t (H [Вт·с /см2] – экспозиция,](/img/thumbs/64b016734793bdc2e637b02da8acc1fb-800x.jpg "ЛИТОГРАФИЯ Характеристики фоторезистовСветочувствительность S = 1 / H = 1 / I t")
Слайд 9Нанесение слоя резиста распылением
1 – сопло форсунки; 2 – диспергированный
резист;
3 – подложка; 4 – стол установки
Слайд 10Нанесение слоя резиста окунанием
1 – полложка; 2 – слой резиста;
3 -- ванна;
4 – вода или растворитель
Слайд 11Нанесение слоя резиста накаткой
1 – пленочный резист; 2 – пленка
на подложке 3;
4 – несущая полимерная пленка; 5 –
защитная пленка; 6 – валик для накатки 
Слайд 14Дифракция
Контактное экспонирование:
разрешение пропорционально (g)1/2
— длина волны падающего
света;
g — ширина зазора между шаблоном и пластиной (2—4
мкм)
Проекционное экспонирование:
разрешение пропорционально .
Слайд 16Ртутные газоразрядные лампы (436, 405 или 365 нм)
Эксимерный лазер 248
(KrF), 193 (ArF) и 157 нм (F2)
Экстремальный ультрафиолет (ЭУФ,
EUV) 13,5 нм
Слайд 17Иммерсионная литография
улучшает разрешение на 30–40% ввиду большего коэффициента преломления жидкости
Слайд 18Фотохимические реакции
Фотораспад (фотолиз) A-B → [A-B]*→ A·+B·
A-B → [A-B]*→
A++B-
Фотоперегруппировка H O O-H
A-B → A=BФотоприсоединение A* + A → A2
A*+H2O → HAOH A*+O2 → OAO
Фотоперенос электрона A* + х → A- + х+
A* + y → A+ + y-
Фотосенсибилизация A* + M → A + M*
![Фотохимические реакцииФотораспад (фотолиз) A-B → [A-B]*→ A·+B· A-B → [A-B]*→ A++B-Фотоперегруппировка H O](/img/thumbs/a11cc27ba08da0c8d34ab88718a41f83-800x.jpg "ЛИТОГРАФИЯ Фотохимические реакцииФотораспад (фотолиз) A-B → [A-B]*→ A·+B· A-B → [A-B]*→ A++B-Фотоперегруппировка")
Слайд 19Негативные резисты
на основе каучуков
на основе поливинилциннамата (ПВЦ)
циклокаучук
бис-азид
разрыв двойной связи С=С
(200-250
нм)
Слайд 20Позитивные резисты
Сенсибилизаторами являются производные диазокетонов или хинондиазидов
R1–O–R2, где
R1 и R2 – светочувствительная и полимерная части,
О – соединяющий их атом кислородаНафтохинондиазид (НХДА) разрыв связи С=N2 с отщеплением N2
Полиметилметакрилат (ПММА)
[-СН2С(СН3)(СООСН3)-]n
Слайд 21Фотошаблоны
покрытие CrxOy (Si3N4)
Cr (Fe2O3, VO3, Eu2O3) ~ 0,1 мкм
кварц или
сапфир
Диффузионный ФШ
Слайд 24 Достоинства электронно-лучевой литографии:
Отсутствие дифракции (высокая разрешающая способность ). При
ускоряющих напряжениях от 102 до 104 В длина волны электрона
меняется от 0,1 до 0,01 нм.Высокая глубина резкости (снижает требования к плоскостности подложек).
Недостатки электронно-лучевой литографии:
малая производительность по сравнению с оптической;
сложность и высокая стоимость оборудования.
Слайд 25Схема вакуумной установки для сканирующей ЭЛГ
1 – вакуумная камера;
2–
электронная пушка;
3–квадратная диафрагма;
4 – линза;
5 – отклоняющие
пластины гашения луча; 6 – отклоняющие обмотки;
7 – проекционная линза;
8 – вакуумная система;
9 – электронный луч;
10– подложка;
11 – вторичные электроны; 12– система перемещений подложки;
13 – прецизионный датчик перемещений;
14 – устройстве ввода информации;
15 – датчик вторичных электронов;
16 – система управления; 17 – диафрагма
Слайд 26Схема растрового (а) и векторного (б) сканирования луча
Ограничения:
ток φ
~ j 3/2;
время пролета φ ~ 1/√Е;
дисперсия начальных скоростей.
j
≈ 10-6 – 10-7 А/см2, Е ≈ 10 кэВ, ∆Е ≈ 1 эВ φ ≈ 0,01мкмФокусировка электронного луча
Слайд 29Достоинства рентгеновской литографии
Применение излучения с малой длиной волны уменьшает дифракцию
и позволяет получать малый размер элементов;
частицы пыли из веществ
с малым атомным весом пропускают рентгеновские лучи и, следовательно, не передаются на резист;слой экспонируется равномерно по глубине, что способствует получению рисунка с вертикальными стенками;
РИ не чувствительно к электрическому заряду на шаблоне и подложке.
Слайд 30
сложное оборудование (рентгеновский источник, защита оператора от излучения),
отсутствие оптики, фокусирующей
рентгеновские лучи,
сложность изготовления рентгеношаблонов;
малая интенсивность стандартных источников РИ;
малая
чувствительность резистов; для получения субмикронных размеров элементов необходимо пошаговое экспонирование, так как процесс становится чувствительным к стабильности плоскостности поверхностей подложек и геометрических размеров шаблонов.
Недостатки РЛГ
Слайд 31Источники рентгеновского излучения
Стандартный источник РИ – металлическая мишень, бомбардируемая
ускоренными до 10... 20 кэВ электронами.
Длина волны РИ
0,4…5 нм Шаблоны для РЛГ
при λ<0,4 нм поглощение РИ мало, нет оптимального материала для маскирующего слоя (применяют Au)
при λ>5,5 нм все материалы сильно поглощают РИ, нет подходящего материала для основы шаблона (толщина основы шаблонов 1...10 мкм)
Слайд 34Ионно-лучевая литография
Преимуществами этого метода являются меньшее рассеивание ионов вследствие
их массы и следовательно большее разрешение по сравнению с ЭЛГ.
Как
и рентгеновское излучение, ионы с большой энергией не подвержены дифракции. Для ионно-лучевого экспонирования требуются дозы облучения во много раз меньшие, чем в ЭЛГ.
В ионном луче значительно слабее взаимное отталкивание, чем в электронном луче.
Фокусированные ионные пучки можно использовать для экспонирования резистов, исправления дефектов фотошаблонов, а также в безрезистной литографии и для непосредственного травления оксида кремния.
Слайд 35 Фотолитография, Электронная литография, жидкостное
проявление плазменное проявление
(кислородная плазма)
Q
Форма
края фоторезистаПроблема при плазменном проявлении – низкая селективность
Слайд 36Многослойные резисты
DNQ-новолак
ПММА
Верхний слой является маской (ФШ) при экспонировании нижнего
Слайд 37Многослойные резисты
SiO2 или Si3N4
не экспонируется
Неорганический слой является маской при травлении
нижнего слоя
Слайд 38Негативные двухслойные резисты с кремнием
Верхний слой содержит Si, который в
кислородной плазме превращается в SiO2
Слайд 39Силилирование
селективное внедрение кремния в участки скрытого изображения в резисте непосредственно
в процессе или после завершения процесса экспонирования
Толщина силилированного слоя 150-250
нм (5-10 нм в неэкспонированных областях)
Слайд 43GeSe ~0,2мкм
раствор AgNO3
Неорганические резисты
Полупроводниковые халькогенидные стекла (нанесение в вакууме)
Ag
