Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Матеріали і компоненти елетктроніки
Содержание
- 1. Матеріали і компоненти елетктроніки
- 2. НадпровідністьНадпровідність - квантове явище протікання електричного струму
- 3. Властивості НП1. Нульовий опір 2. Повне виштовхування
- 4. Теорія БКШЕлектрони провідності (вільні носії заряду) при
- 5. Критичні температури деяких надпровідних матеріалівВольфрам 0,012 −273,139Галій 1,091 −272,059Алюміній 1,14 −272,01Індій 3,37 −269,78Ртуть
- 6. 1 - підставка;2 - вакуумна полость;3 - теплоізоляция;4 - адсорбент;5 - зовнішній
- 7. Висотемпературні НП
- 8. Напівпровідники
- 9. 1) зміна властивостей під впливом зовнішніх факторів (∆T, ∆hω, ЕМП, зовнішній Р і т.д.);2) ТКρ
- 10. ДомішкиАкцепторні (р-типу, +Al/Ga,)Донорні (n-типу, +As/P)
- 11. Германій
- 12. Кремній
- 13. Селен
- 14. Система AIIIBV, AIIBVІ
- 15. Слайд 15
- 16. Скачать презентанцию
НадпровідністьНадпровідність - квантове явище протікання електричного струму у твердому тілі без втрат. Було відкрито в 1911 році голландським науковцем Камерлінг-Оннесом. Усього за відкриття в області надпровідності було видано п'ять Нобелівських
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Матеріали і компоненти елетктроніки
Надпровідники та напівпровідники
Кафедра «НАНОЕЛЕКТРОНІКИ»
Частина 2.2:
Слайд 3Властивості НП
1. Нульовий опір
2. Повне виштовхування МП із НП (ефект
Мейснера)
3. Обмеження за Т та В
4.Розділяють на І та ІІ
рода:
І – миттєва руйнація НП
ІІ – поступова руйнація НП
Слайд 4Теорія БКШ
Електрони провідності (вільні носії заряду) при певних температурах з'єднуються
в пари, що називаються «куперівськими». Зв'язок в таких парах достатньо
сильний, і пари, рухаючись по гратці, допомагають один одному уникнути розсіювання.
Слайд 5Критичні температури деяких надпровідних матеріалів
Вольфрам 0,012 −273,139
Галій 1,091 −272,059
Алюміній 1,14 −272,01
Індій 3,37 −269,78
Ртуть 4,153 −268,997
Тантал 4,483 −268,667
Ванадій 5,3 −267,85
Свинець
7,193 −265,957
Ніобій 9,5 −263,65
AuPb 7,0 −266,15
Технецій 11,2 −266,07
MoN 12,0 −261,15
PbMo6S8 15 −258,15
K3C60 19 −254,15
Nb3Ge 23 −250,15
La2CuO4 35 −238,15
MgB2 39 −234,15
Cs3C60 40 −233,15
YBa2Cu3O7-x; x ~ 0,2 93 −180,15
HgBa2Ca2Cu3O8+x 133 −140,15
Слайд 61 - підставка;
2 - вакуумна полость;
3 - теплоізоляция;
4 - адсорбент;
5 - зовнішній сосуд;
6 - внітрішній сосуд;
7 -
горловина;
8 - кришка;
9 - вакуумна рубка
Сосуд Дюара
Рідкий
N (азот)
Тк= -195,75ºС
Нагрівання
Тк -> 20ºС отримаємо
розширення х700
Слайд 91) зміна властивостей під впливом зовнішніх факторів (∆T, ∆hω, ЕМП,
зовнішній Р і т.д.);
2) ТКρ
сильна залежність властивостей від вмісту домішокВластивості
