монтаж и эксплуатация полупроводниковых приборов

нарушить герметизацию, изгиб внешних выводов выполняют не ближе 10 мм

от проходного изолятора(если нет других указаний).
Запрещается изгиб жестких выводов мощных транзисторов.
Пайку внешних выводов электродов производят не ближе 10 мм от корпуса паяльником мощностью до 60 Вт легкоплавким припоем с температурой плавления около 150 °С. В процессе пайки необходимо обеспечить хороший отвод тепла между корпусом прибора и местом пайки и выполнять ее возможно быстрее (не более 3 с).

а также в сильных электромагнитных полях. Следует предусматривать защиту транзисторов

от воздействия влаги и радиации.


Мощные транзисторы необходимо плотно соединять с радиатором. Для улучшения теплового контакта поверхности транзистора и радиатора рекомендуется смазывать невысыхающим маслом или припаивать легкоплавким припоем. В схемах, требующих изоляции транзисторов от шасси, с целью снижения теплового сопротивления изоляционной прокладки целесообразна изоляция не транзистора от теплоотвода, а теплоотвода от шасси.

(p-n-p или n-p-n) и соблюдать полярность подключения внешних источников. К внешним зажимам

эмиттера и базы напряжение источника подключают в проводящем, а к коллекторному переходу— в обратном направлении.

При подключении транзистора к источнику питания первым присоединяют вывод базы, последним вывод коллектора, а при отключении— в обратном порядке. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отключенной базой.

и температуру необходимо выбирать меньше предельно допустимых (около 0,7 их

значения).

по двум параметрам (например, по току и напряжению).

эксплуатацией, нарушениями температурных условий работы и др. Причина коротких замыканий

в транзисторах — неравномерная толщина базы, трещина в p-n переходах и др. Причём при ряде дефектов, например пробое одного перехода, транзистор не теряет полностью свою работоспособность, а трансформируется в более простой прибор — диод.

кристалла прибора. Вследствие дефектов p-n переходов тиристоры, так же как и биполярные

транзисторы, могут трансформироваться в более простые полупроводниковые приборы.

У полупроводниковых приборов внезапные отказы обусловлены пробоем p-n переходов, обрывами и перегревами внутренних выводов, короткими замыканиями в структуре, растрескиванием кристалла. Большая часть (~90 %) внезапных отказов полупроводниковых приборов приходится на пробои p-n переходов.

приборов обусловлено возрастанием интенсивности постепенных отказов. Срок службы полупроводниковых приборов

составляет более 104 часов.




Постепенные отказы вызываются физическими и химическими процессами в объёме и на поверхности кристалла, сплавов и припоев контактов. Они проявляются в форме постепенного роста обратных токов p-n переходов, снижения коэффициентов передачи токов транзисторов, увеличения уровня собственных шумов.