Разделы презентаций


Нанесение тонких пленок из жидких растворов прекурсоров

Методы получения пленок- Физические (PVD — Physical Vapor Deposition)- Газофазные химические (CVD — Chemical Vapor Deposition)- Химические (CD — Chemical Deposition)

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Нанесение тонких пленок
из жидких растворов прекурсоров

Нанесение тонких пленокиз жидких растворов прекурсоров

Слайд 2Методы получения пленок
- Физические (PVD — Physical Vapor Deposition)

- Газофазные

химические (CVD — Chemical Vapor Deposition)

- Химические (CD — Chemical

Deposition)
Методы получения пленок- Физические (PVD — Physical Vapor Deposition)- Газофазные химические (CVD — Chemical Vapor Deposition)- Химические

Слайд 3- Приготовление раствора прекурсоров
- Нанесение раствора прекурсоров
- Низкотемпературная обработка
- Высокотемпературная

обработка
Основные стадии процесса

- Приготовление раствора прекурсоров - Нанесение раствора прекурсоров - Низкотемпературная обработка - Высокотемпературная обработкаОсновные стадии процесса

Слайд 4- Достаточная растворимость прекурсоров в растворителе

- Раствор прекурсоров должен оставаться

гомогенным в течение всех технологических стадий
- Хорошая смачивающая способность раствора

по отношению к материалу подложки

- При химическом взаимодействии прекурсоров все побочные продукты реакций должны уходить в газовую фазу
- При высушивании и высокотемпературной обработке пленка не должна растрескиваться

Требуемые условия для качественной пленки

- Достаточная растворимость прекурсоров в растворителе- Раствор прекурсоров должен оставаться гомогенным в течение  всех технологических стадий

Слайд 5Пленки
Из коллоидных растворов
Из истинных растворов
Толщина пленки >
Склонность к растрескиванию пленки >
Повторение формы детали

ПленкиИз коллоидных растворовИз истинных растворовТолщина пленки >Склонность к растрескиванию пленки >Повторение формы детали

Слайд 6Гетерострутура
В состав полупроводниковых гетероструктур входят:
- Элементы II–VI групп (Zn, Cd,

Hg, Al, Ga, In, Si, Ge, …)
- Соединения AIIIBV (GaAs,

GaN, …) и их твердые растворы (AlxGa1-xAs, …)
- Соединения AIIBVI
ГетерострутураВ состав полупроводниковых гетероструктур входят:- Элементы II–VI групп (Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Si, Ge, …)

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика