и динамических характеристик. Передаточная характеристика КМДП-инвертора.
Паразитный эффект тиристорной защелки в
КМДП-структурах.Логика на проходных транзисторах.
Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Статические и динамические характеристики цифровых КМДП-схем
Содержание
- 1. Статические и динамические характеристики цифровых КМДП-схем
- 2. Цели и задачиИзучение функционирования цифровых КМДП-схем на
- 3. МДП-транзистор и его ВАХ– Коэффициент усиления
- 4. Статические параметры цифровых схемНапряжение питания: Vdd, ВУровень
- 5. Динамические параметры цифровых схемТактовая частота: f, ГцВремя
- 6. Ток стока для p-транзистора в инверторе
- 7. Ток стока для n-транзистора в инверторе
- 8. ВАХ инвертора
- 9. Передаточная характеристика инвертора
- 10. Передаточная характеристика инвертора
- 11. Передаточная характеристика инвертора
- 12. ПомехоустойчивостьVПТ – пороговая точкаЗП – запас помехоустойчивостиП – помехозащищенностьПУ – помехоустойчивость,
- 13. Динамические характеристики
- 14. Динамические характеристики
- 15. Эффект тиристорной защелки
- 16. Эффект тиристорной защелкиУсловия возникновения (необходимое):VSS – Vout
- 17. Защита от эффекта тиристорной защелкиПринципы защиты от
- 18. Защита от эффекта тиристорной защелки (шунтирующий слой)
- 19. Защита от эффекта тиристорной защелки (охранные кольца)
- 20. Логика на проходных транзисторахF = P1(V1)+ P2(V2)+…
- 21. Логика на проходных транзисторах
- 22. Логика на проходных транзисторах
- 23. Скачать презентанцию
Цели и задачиИзучение функционирования цифровых КМДП-схем на примере КМДП-инвертора.Изучение статических и динамических характеристик. Передаточная характеристика КМДП-инвертора.Паразитный эффект тиристорной защелки в КМДП-структурах.Логика на проходных транзисторах.
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Цели и задачи
Изучение функционирования цифровых КМДП-схем на примере КМДП-инвертора.
Изучение статических
и динамических характеристик. Передаточная характеристика КМДП-инвертора.
КМДП-структурах.Логика на проходных транзисторах.
Слайд 4Статические параметры цифровых схем
Напряжение питания: Vdd, В
Уровень логических «0» и
«1»: V1 и V0, В
Логический размах сигнала: ΔVЛ = V1
– V0, ВСтатическая потребляемая мощность,
Pстат = Vdd2/R, Вт
Коэффициент разветвления по выходу: Fo
Коэффициент объединения по входу: Fi
Величины входных и выходных токов:
Iвх и Iвых, А
Температурный диапазон: T, oC
Слайд 5Динамические параметры цифровых схем
Тактовая частота: f, Гц
Время задержки переключения из
«0» в «1»: tзд01 , с
Время задержки переключения из «1»
в «0»: tзд10 , сСреднее время задержки переключения:
tзд.ср = (tзд01 + tзд10)/2, с
Динамическая потребляемая мощность:
Pдин = Сн (ΔVЛ ) 2 f, Вт
Слайд 12Помехоустойчивость
VПТ – пороговая точка
ЗП – запас помехоустойчивости
П – помехозащищенность
ПУ –
помехоустойчивость,
Слайд 16Эффект тиристорной защелки
Условия возникновения (необходимое):
VSS – Vout > Vpn
Vout
– VDD > Vpn
Паразитные токи через подложку или карман
Условие поддержания
(достаточное):βp βn>1
Слайд 17Защита от эффекта тиристорной защелки
Принципы защиты от ЭТЗ – нарушение
необходимых и достаточных условий:
Уменьшение Rкармана и Rподложки
Охранные кольца с контактами
к Vss и Vdd по периметру КМДП структур.Шунтирование внутренним высоколегированным слоем с малым сопротивлением.
Уменьшение коэффициентов усиления паразитных транзисторов, чтобы βpβn<1
Увеличение размеров баз транзисторов
Слайд 20Логика на проходных транзисторах
F = P1(V1)+ P2(V2)+… Pi(Vi)
Когда управляющий вход
равен «1», то F равен соответствующему информационному сигналу
Только один (или
ни одного) управляющий сигнал может быть равным «1»
