Структурні дослідження електрохімічних інтерфейсів методами малокутового

рефлектометрії
Студент: Косячкин Егор

Наукові керівники:

д.ф.-м.н., проф.,академік НАНУ
Булавін Л.А.

д.ф.-м.н., проф.,

шару електроліту (МТШЕ) на границі твердого електроду рідкого електроліту.
Проблема:
Можливе
вирішення:
Основна
ідея:
Використання

Відпрацювати методику діагностики МТШЕ та дослідити динаміку його утворення та існування під час циклічної роботи акумулятора. Дослідити вплив МТШЕ на робочі параметри акумулятора.

1

та існування МТШЕ при циклічній роботі акумуляторів;
Дослідження впливу МТШЕ на

2

нейтронної рефлектометрії за допомогою ПЗ: MatLab, IgorPRO(Motofit), Parratt32;
Підготувати звіт за

3

магнітних густин системи за глибиною в нанорозмірних масштабах, який заснований

4

середовищ;

Нейтронна хвиля на границі поділу двох напівнескінченних середовищ з тонким

5

на потенційній сходинці;
Граничні умови:
Падаюча хвиля до взаємодії з границею –

Рис.1. Границя двох середовищ (ліворуч), рефлектометрична крива (праворуч).

6

згладжені);
Інтенсивність відбитої хвилі має вигляд фактора Дебая-Уоллера:


Де I(kz), I0(kz) –

- квадрат среднього відхилення від плоскої поверхні

Рис.2. Вплив нерівності поверхні на рефлектометричну криву.

7

бар'єру шириною d;
Метод оптичних матриць;
Метод ітерацій Паррата;
Рис.3. Границя двох середовищ

8

крива Si-SiO2-D20 з товщиною SiO2, d=150A.
9

криві для багатошарових систем з однаковою товщиною мультишару, але різними

10

мультишару, а між маленькими – товщині всієї багатошарової системи.
Рис.6. Рефлектометричні

11

з нерівними границями між шарами
12

коефіцієнта відбивання від вектору розсіяння R(Q);

Виходячи з початкових відомостей про

13

зміни параметрів системи на рефлектометричну криву;

Приведена послідовність інтерпретації даних, отриманих

14

комп’ютерного моделювання пошук параметрів об’єктів, які суттєво впливають на рефлектометричну

15