Варикапы

переход, ширина потенциального барьера увеличится
 ε - диэлектрическая проницаемость
материала
ε0 — диэлектрическая

проницаемость
вакуума
Spn - площадь p-n перехода варикапа
ΔХ - толщина перехода

подключении
обратного напряжения
ширина перехода ΔХ
увеличивается,
следовательно,
барьерная емкость

будет уменьшаться.

Вольтфарадная характеристика варикапа

так как при этом возрастает сопротивление rs. С увеличением обратного смещения

емкость Сбар и сопротивление rs, уменьшаются, а добротность соответственно растет. Уменьшением rs, в последнем случае объясняется расширением перехода и уменьшением толщины базы wв n-области структуры варикапа.
 

с идентичными параметрами, собранные в одном корпусе и имеющие один

общий вывод катода или анода для изменения резонансной частоты колебательных систем)

2 – умножительные варикапы (  использование не только барьерной емкости перехода, но к ней добавляется диффузионная емкость, которая меняется от напряжения значительно сильнее)

более вольт).
коэффициент перекрытия k = Cmax/Cmin – отношение максимальной емкости к

минимальной ( для КВ109А = 5.5);
максимальное рабочее напряжение варикапа;
сопротивление потерь - активное омическое сопротивление кристалла и элементов крепления варикапа;
температурный коэффициент емкости (ТКЕ) — величина, отражающая изменение барьерной емкости при изменении температуры кристалла варикапа;
добротность варикапа, под который понимают отношение реактивного сопротивления к паразитному на рабочей частоте и при фиксированном напряжении.

радиовещательных и телевизионных приемников, преобразователях частоты, различных параметрических усилителях, а

некоторые еще и для генерации, усиления сигналов на СВЧ. Чаще всего можно встретить не дискретные варикапы, а наборы варикапов, которые называют варикапными матрицами для одновременной регулировки нескольких разных контуров, из-за идентичности по параметрам всех варикапов, включенных в неё.