оптикалық микроскопия
Орындағандар:
Асқарұлы Абдулғафур
Жумадилов БауыржанКулшиев Халил
Тексерген:
Калкозова Жанар Каниевна
Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Жақын өрісті оптикалық микроскопия
Содержание
- 1. Жақын өрісті оптикалық микроскопия
- 2. В ближнепольной оптической микроскопии используются другие принципы построения изображения
- 3. Рис. 1а. Прохождение света через отверстие в экране с субволновой апертурой
- 4. Рис. 1б. Линии постоянной интенсивности оптического излучения в области субволнового отверстия.
- 5. Слайд 5
- 6. Оценки показывают, что для излучения с длиной
- 7. Таким образом, ближнепольное изображение формируется при сканировании
- 8. Слайд 8
- 9. Слайд 9
- 10. Слайд 10
- 11. Слайд 11
- 12. Назар қойып тыңдағандарыңызға рахмет!
- 13. Скачать презентанцию
В ближнепольной оптической микроскопии используются другие принципы построения изображения объекта, которые позволяют преодолеть трудности, связанные с дифракцией света, и реализовать пространственное разрешение на уровне 10 нм и лучше. Ближнепольный оптический микроскоп (БОМ) был
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1 Жақын өрісті
оптикалық микроскопия
Жумадилов БауыржанКулшиев Халил
Тексерген:
Калкозова Жанар Каниевна
Слайд 2В ближнепольной оптической микроскопии используются другие принципы построения изображения объекта, которые позволяют
преодолеть трудности, связанные с дифракцией света, и реализовать пространственное разрешение
на уровне 10 нм и лучше. Ближнепольный оптический микроскоп (БОМ) был изобретен Дитером Полем (лаборатория фирмы IBM, г. Цюрих, Швейцария) в 1982 году сразу вслед за изобретением туннельного микроскопа. В основе работы данного прибора используется явление прохождения света через субволновые диафрагмы(отверстия с диаметром много меньше длины волны падающего излучения).
Слайд 4Рис. 1б. Линии постоянной интенсивности оптического излучения в области субволнового отверстия.
Слайд 6Оценки показывают, что для излучения с длиной волны порядка 500
нм и диафрагмы с отверстием ~ 5 нм мощность излучения
в дальней зоне составляет по порядку величин 10–10 от мощности падающего излучения. Поэтому, на первый взгляд, кажется, что использование малых отверстий для построения растровых оптических изображений исследуемых образцов практически невозможно. Однако, если поместить исследуемый объект непосредственно за отверстием в ближней зоне, то вследствие взаимодействия эванесцентных мод с образцом часть энергии электромагнитного поля переходит в излучательные моды, интенсивность которых может быть зарегистрирована оптическим фотоприемником.
Слайд 7Таким образом, ближнепольное изображение формируется при сканировании исследуемого образца диафрагмой
с субволновым отверстием и регистрируется в виде распределения интенсивности оптического
излучения в зависимости от положения диафрагмы . Контраст на БОМ изображениях определяется процессами отражения, преломления, поглощения и рассеяния света, которые, в свою очередь, зависят от локальных оптических свойств образцаВыводы.
Ближнепольное изображение формируется при сканировании исследуемого образца диафрагмой с субволновым отверстием и регистрируется в виде распределения интенсивности оптического излучения в зависимости от положения диафрагмы
