Слайд 2Методы исследований наноматериалов и наноструктур
Слайд 5Модуль 1. Электрофизические методы измерений
Измерение удельного сопротивления.
Удельное сопротивление и удельное
поверхностное сопротивление.
Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления.
Разновидности четырехзондового метода: метод Ван-дер-Пау;
двухзондовый метод.
Бесконтактный метод.
Метод сопротивления растекания.
Сравнение основных характеристик методов измерения удельного сопротивления полупроводниковых структур.
Современное оборудование для измерения удельного сопротивления.
Слайд 6Модуль 1. Электрофизические методы измерений
Определение концентрации и подвижности носителей заряда.
Трехзондовый
метод.
Метод вольтфарадных характеристик контакта металл – полупроводник и электролит -
полупроводник.
Современное оборудования, реализующее методы вольтфарадных характеристик.
Определение концентрации свободных носителей по оптическому поглощению.
Эффект Холла.
Эффект магнитосопротивления.
Квантовый эффект Холла.
Современное оборудование для измерения концентрации и подвижности методом эффекта Холла.
Слайд 7Модуль 1. Электрофизические методы измерений
Измерение параметров неравновесных носителей заряда.
Cтационарный метод
определения диффузионной длины.
Метод подвижного светового зонда.
Метод спада фотопроводимости.
Метод модуляции проводимости
точечного контакта.
Сравнительные характеристики различных методов.
Измерение скорости поверхностной рекомбинации.
Определение дрейфовой подвижности.
Тестовый контроль.
Тестовые структуры и тестовые ячейки.
Омические контакты и методы их контроля.
Слайд 8Модуль 1. Электрофизические методы измерений
Свойства МДП-структур и методы их исследования.
Понятие
о МДП-структуре.
Экспериментальное исследование МДП-структур.
МДП структуры, используемые для исследований
Определение параметров МДП-структуры
по высокочастотныой ВФХ.
Измерение плотности подвижного заряда в диэлектрике.
Определение плотности поверхностных состояний на границе полупроводник–диэлектрик.
Методы определения плотности ловушек в диэлектрике и полупроводнике.
Современное оборудование для экспериментального исследования МДП-структур.
Слайд 9Модуль 2. Оптические методы измерений. Измерение толщины тонких слоев в
полупроводниковых структурах.
Измерение толщин полупроводниковых слоев.
Метод декорирования шлифа.
Определение толщины эпитаксиальных слоев
по размерам дефектов упаковки;
Инфракрасная интерферометрия.
Фурье-спектрометрия в инфракрасной области; современное оборудование, реализующее метод ИК Фурье-спектроскопии.
Сопоставление различных методов измерения толщины эпитаксиальных слоев.
Современное оборудование для измерения толщин полупроводниковых слоев
Слайд 10Модуль 2. Оптические методы измерений. Измерение толщины тонких слоев в
полупроводниковых структурах.
Измерение толщин диэлектрических слоев.
Цветовой метод измерения толщины пленок диэлектриков;
Метод
эллипсометрии.
Современные эллипсометры.
Профилометрия.
Профилометрия и ее применение:
Современные профилометры.
Сравнительные характеристики методов определения толщины
Слайд 11Модуль 3. Физико-аналитические методы измерений.
Методы ионной и электронной спектроскопии для
определения химического состава микро- и наноструктур.
Методы фотоэлектронной спектроскопии: ультрафиолетовая фотоэлектронная
спектроскопия; рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
Метод Оже спектроскопии.
Современное оборудование, реализующее метод Оже спектроскопии.
Масс-спектроскопия вторичных ионов.
Резерфордовское обратное рассеяние.
Спектроскопия комбинационного рассеяния света.
Современное оборудование, реализующее методы фотоэлектронной спектроскопии.
Слайд 12Модуль 3. Физико-аналитические методы измерений.
Электронная микроскопия.
Просвечивающая электронная микроскопия:
типы просвечивающих электронных
микроскопов;
подготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии.
Растровая электронная микроскопия:
типы растровых электронных
микроскопов.
режимы растровой электронной микроскопии;
применение сфокусированного ионного пучка;
современные модели электронных микроскопов.
Слайд 13Модуль 3. Физико-аналитические методы измерений.
Дифракционные методы.
Дифракция рентгеновских лучей:
метод Лауэ;
метод вращения кристалла;
метод Дебая-Шерера.
Дифракция электронов (электронография на просвет).
Дифракция медленных
электронов.
Слайд 14Методы исследований
Основная литература
Е.С.Анфалова. Методы измерения параметров полупроводников и полупроводниковых структур.
Учебное пособие. Москва 2005.
К.В.Шалимова. Физика полупроводников. 4-е изд., «Лань», Москва.
2010.
Г.И.Епифанов. Физика твердого тела. 4-е изд., «Лань», Москва. 2011.
Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники. Уч. пособие. Физматлит, Москва, 2011.
Слайд 15Методы исследований
Основная литература
Ищенко А.А., Фетисов Г.В., Асланов Л.А. Нанокремний: свойства,
получение, применение, методы исследования и контроля. Физматлит, Москва. 2012.
И. Е.
Скалецкая. Введение в прикладную эллипсометрию. Учебное пособие по курсу «Оптические измерения», Санкт-Петербургский государственный университет инновационных технологий, механики и оптики. Санкт-Петербург. 2007.
Слайд 16Методы исследований
Основная литература
Эгертон Р.Ф., Физические принципы электронной микроскопии, Техносфера, Москва.
2010.
Криштал М.М., Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный анализ. Техносфера, Москва,
2009.
Семенов Я.С., Лебедев М.П. Практика рентгеноструктурного анализа. Академия, Москва. 2008.
В.И.Старосельский. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебн. пособие. М. Юрайт-Издат. 2009.
Слайд 17Методы исследований
Дополнительная литература
С.М.ЗИ. Физика полупроводниковых приборов. В двух книгах. Москва.
«Мир». 1984.
Л.Н.Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. 2-е издание,
переработанное и дополненное. Москва, «Высшая школа». 1987.
В.В.Батавин, Ю.А.Концевой, Ю.В.Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов. Москва, «Радио и связь». 1985.
Слайд 18Методы исследований
Дополнительная литература
Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. Москва, «Сов.
радио», 1974.
Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под
ред. Р.Бургера и Р.Донована. Москва: «Мир». 1969.
Измерения и контроль в микроэлектронике. Н.Д.Дубовой, В. И. Осокин, А. С. Очков и др. Под ред. А. А. Сазонова. Москва. Высшая школа, 1984.
Белл Р.Дж. Введение в Фурье-спектроскопию. Москва, «Мир», 1975.
Слайд 19Методы исследований
Дополнительная литература
Смирнов, В. И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых
материалов и структур. Учебное пособие. Ульяновск. УлГТУ, 2012.
Ржанов А.В. (отв.
ред.), Свиташев К.К., Семененко А.И., Соколов В.К.; Основы эллипсометрии Институт физики полупроводников СО АН СССР. Новосибирск: Наука. 1979.
Горелик В.С. Комбинационное рассеяние света. Соросовский образовательный журнал, №6, 1997
Слайд 20Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
Слайд 21Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление
Слайд 22Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление
Слайд 23Удельное сопротивление и удельное поверхностное сопротивление
Слайд 24Зависимости подвижности и удельного сопротивления кремния от концентрации легирующей примеси
при комнатной температуре
Слайд 36Метод самокомпенсации геометрических эффектов
Слайд 37Метод самокомпенсации геометрических эффектов
Слайд 38Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 39Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 40Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 41Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 42Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 43Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 44Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 45Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 46Современные установки измерения поверхностного сопротивления
Слайд 47Определение профиля удельного сопротивления полупроводникового слоя
Слайд 48Определение профиля удельного сопротивления полупроводникового слоя
