TheSlide.ru

Оперативная память

Содержание

1. Оперативная память
2. 1. Реализуется обычно на микросхемах DRAM =
3. При записи 1 – заряжаем,
4. Если постоянно читаем, то информация не теряетсяИначе,
5. 2. ПроизводительностьЭто количество считанных или записанных байт
6. Для её роста повышают: быстродействие ячеек разрядность
7. А также применяют конвейер – цикл обработки расслоение памяти – сохранение последовательных слов в разных модулях
8. 3. Синхронная (S) DRAM – с конвейером
9. строка целиком копируется в буфер номер
10. row columnrowdataRAS#CAS#время доступа
11. 4. Виды SDRAM DDR SDRAMDual Data Rate
12. Схема работы2 буфера (регистра)
13. Частота буфера удвоена (но частота ядра
14. частота до 533 МГц шина 8 байт 2 канала2*533*8*2 = 16.6 ГБ/с на систему
15. Схема работы4 буфера
16. DDR3 U=1.5 В 8 банков автоподстройка импеданса
17. 8 буферов
18. Слайд 18
19. GDDR – ОЗУ для видеокартGDDR3 ≈ DDR2GDDR4 ≈ DDR3
20. 5. Спецификации DRAM по частоте передачи данных
21. Тайминги (времена задержек в тактах шины
22. Возможности разгонаДля уменьшения таймингов приходится снижать частоту
23. напряжение (1.5–5 В) диапазон температур (-40
24. Регистровая – с мультиплексором между контроллером
25. 6. Неисправности DRAM неустранимые: сожгли, сломали устранимые:
26. Вентиляторы для модулей ОЗУ
27. Труднее всего устранить КЛ. Для полной защиты
28. Случайный сбой раз в 10 лет на 1 модуль 10 см2
29. Нужны ли контроль чётности или коррекция (ECC)?Для
30. 7. Классы качестваА – гарантия стабильной работы + разгонВ – гарантияС – без гарантии
31. Скачать презентанцию

1. Реализуется обычно на микросхемах DRAM = Dynamic RAM, т.к. они имеют наилучшее сочетание объёма информации плотности записи быстродействия энергопотребления цены (≈1 руб/МБ)«Динамическая» – должна постоянно работать:

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Глава 4: Память
§1 Оперативная память

Глава 4: Память§1 Оперативная память

Слайд 21. Реализуется обычно на микросхемах DRAM = Dynamic RAM, т.к.

они имеют наилучшее сочетание
объёма информации
плотности записи
быстродействия
энергопотребления

цены (≈1 руб/МБ)

«Динамическая» – должна постоянно работать:

1. Реализуется обычно на микросхемах DRAM = Dynamic RAM, т.к. они имеют наилучшее сочетание объёма информации плотности

Слайд 3При записи 1 – заряжаем,

0 – разряжаем
При чтении – всегда

разряжаем

Если был 0, то 0 и останется
1, то заряжаем снова

При записи 1 – заряжаем, 0 – разряжаем При

Слайд 4
Если постоянно читаем, то информация не теряется
Иначе, нужна периодическая (раз

в 0.01 с) регенерация – чтение каждой ячейки

Если постоянно читаем, то информация не теряетсяИначе, нужна периодическая (раз в 0.01 с) регенерация – чтение каждой

Слайд 52. Производительность
Это количество считанных или записанных байт в секунду

Н-р, DDR2

SDRAM: до 8 ГБ/с на канал при последовательном чтении нескольких

байт, а иначе до ≈ 1 ГБ/с

2. ПроизводительностьЭто количество считанных или записанных байт в секундуН-р, DDR2 SDRAM: до 8 ГБ/с на канал при

Слайд 6Для её роста повышают:

быстродействие ячеек
разрядность шины данных (до

256 бит!)
объём и частоту буфера (кэша)
количество независимых банков

(матриц): в одних идут фазы чтения-записи, в других – фаза восстановления

Для её роста повышают: быстродействие ячеек разрядность шины данных (до 256 бит!) объём и частоту буфера (кэша)

Слайд 7А также применяют
конвейер – цикл обработки
расслоение памяти

– сохранение последовательных слов в разных модулях

А также применяют конвейер – цикл обработки расслоение памяти – сохранение последовательных слов в разных модулях

Слайд 83. Синхронная (S) DRAM – с конвейером
Контроллер памяти (в

чипсете или ЦП) циклично выдаёт:
номер чипа (CS# – Chip

Select)
номер банка (BA# – Bank Active)
номер строки
RAS# – Row Access Strobe – сигнал, подтверждающий выставление номера строки на шину адреса

3. Синхронная (S) DRAM – с конвейером Контроллер памяти (в чипсете или ЦП) циклично выдаёт: номер чипа

Слайд 9 строка целиком копируется в буфер
номер столбца
CAS#
разрешение

чтения или записи
чтение ячейки из буфера
закрытие строки (Precharge)

строка целиком копируется в буфер номер столбца CAS# разрешение чтения или записи чтение ячейки из буфера

Слайд 10

row
column
row
data
RAS#
CAS#
время доступа

row columnrowdataRAS#CAS#время доступа

Слайд 114. Виды SDRAM
DDR SDRAM
Dual Data Rate – удвоенный темп

передачи данных – за счёт использования обоих фронтов импульсов

4. Виды SDRAM DDR SDRAMDual Data Rate – удвоенный темп передачи данных – за счёт использования обоих

Слайд 12Схема работы

2 буфера (регистра)

Схема работы2 буфера (регистра)

Слайд 13 Частота буфера удвоена (но частота ядра старая) ⇒ рост

скорости в нек. задачах
Гашение отражённых импульсов ⇒ более стабильная

работа

DDR2

Частота буфера удвоена (но частота ядра старая) ⇒ рост скорости в нек. задачах Гашение отражённых импульсов

Слайд 14 частота до 533 МГц
шина 8 байт
2 канала

25338*2

= 16.6 ГБ/с на систему

частота до 533 МГц шина 8 байт 2 канала2*533*8*2 = 16.6 ГБ/с на систему

Слайд 15Схема работы

4 буфера

Схема работы4 буфера

Слайд 16DDR3
U=1.5 В
8 банков
автоподстройка импеданса

DDR3 U=1.5 В 8 банков автоподстройка импеданса

Слайд 178 буферов

8 буферов

Слайд 18

Слайд 19GDDR – ОЗУ для видеокарт
GDDR3 ≈ DDR2
GDDR4 ≈ DDR3

GDDR – ОЗУ для видеокартGDDR3 ≈ DDR2GDDR4 ≈ DDR3

Слайд 205. Спецификации DRAM
по частоте передачи данных (н-р, DDR2-800 =

2400 МГц)

по пропускной способности (н-р, PC2-6400 = 6400 МБ/с)
8

байт

Зашиты в чип SPD (Serial Presence Detect)

5. Спецификации DRAM по частоте передачи данных (н-р, DDR2-800 = 2*400 МГц) по пропускной способности (н-р, PC2-6400

Слайд 21 Тайминги (времена задержек в тактах шины памяти)

CL (CAS#

Latency) CAS# to data delay
RAS# to CAS# delay
RAS#

precharge time – время переключения на другую строку
Time of RAS# activity – время ожидания повторного обращения к строке
CR (command rate) время между CS# и RAS#

Н-р, 4.0, 4, 4, 12, 2T

Тайминги (времена задержек в тактах шины памяти) CL (CAS# Latency) CAS# to data delay RAS# to

Слайд 22Возможности разгона
Для уменьшения таймингов приходится снижать частоту

Возможности разгонаДля уменьшения таймингов приходится снижать частоту

Слайд 23 напряжение (1.5–5 В)

диапазон температур (-40 – +85 оС)

затраты на регенерацию

ECC – коды коррекции ошибок

напряжение (1.5–5 В) диапазон температур (-40 – +85 оС) затраты на регенерацию ECC – коды коррекции

Слайд 24 Регистровая – с мультиплексором между контроллером и банками –

для роста объёма (н-р, до 24 ГБ). Но! Задержка на

такт.

Регистровая – с мультиплексором между контроллером и банками – для роста объёма (н-р, до 24 ГБ).

Слайд 256. Неисправности DRAM
неустранимые: сожгли, сломали
устранимые: перегрев, окислы, грязь

на контактах, отклонения в форме, амплитуде и частоте сигналов
случайные:

радиация (н-р, КЛ)

6. Неисправности DRAM неустранимые: сожгли, сломали устранимые: перегрев, окислы, грязь на контактах, отклонения в форме, амплитуде и

Слайд 26Вентиляторы для модулей ОЗУ

Вентиляторы для модулей ОЗУ

Слайд 27Труднее всего устранить КЛ. Для полной защиты нужно десятки см

свинца и т. д.

Обычные ЭВМ – без защиты

Труднее всего устранить КЛ. Для полной защиты нужно десятки см свинца и т. д.Обычные ЭВМ – без

Слайд 28Случайный сбой раз в 10 лет на 1 модуль 10

см2

Случайный сбой раз в 10 лет на 1 модуль 10 см2

Слайд 29Нужны ли контроль чётности или коррекция (ECC)?

Для особо важных ЭВМ

– да.

При этом производительность памяти слегка падает, усложняется модуль

DRAM и чипсет.

Нужны ли контроль чётности или коррекция (ECC)?Для особо важных ЭВМ – да. При этом производительность памяти слегка

Слайд 307. Классы качества
А – гарантия стабильной работы + разгон

В –

гарантия

С – без гарантии

7. Классы качестваА – гарантия стабильной работы + разгонВ – гарантияС – без гарантии

Скачать презентацию

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.

Для правообладателей