Разделы презентаций


Атомная структура чистых поверхностей

Содержание

Двукратно вырожденные поверхностные энергетические уровниДвукратно вырожденные поверхностные энергетические уровниSi(111)Изменение геометрии расположения атомов приводит к расщеплению Нижний из уровней целиком заполнен, верхний - свободен. В спектре поглощения присутствует пик при hν =

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ
Изменения в расположении атомов
сопровождается изменением


энергетического и пространственного
распределения электронов
Изменение физико-химических
свойств поверхностной области


Идеализированная поверхность - атомы располагаются в местах, соответствующих объемной кристаллической структуре

GaAs (110)

В запрещенной зоне
локализованные на
поверхности электронные
состояния,
частично заполненные
электронами

В ФЭЭ- спектре должны
быть электроны с большей
кинетической энергией,
чем у эмитированных
из валентной зоны.

Идеализиро-
ванная
поверхность

Эксперимент не подтверждает


II. АТОМНАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙИзменения в расположении атомов сопровождается изменением энергетического и пространственного распределения электронов Изменение физико-химических

Слайд 2Двукратно вырожденные
поверхностные
энергетические уровни
Двукратно вырожденные
поверхностные
энергетические уровни
Si(111)
Изменение геометрии


расположения атомов
приводит к расщеплению
Нижний из уровней целиком
заполнен,

верхний - свободен.
В спектре поглощения
присутствует пик при hν = 0.5 эВ.

Интерес к расположению
атомов вызывается
информативностью
характеристики.

Идеализиро-
ванная
поверхность

Металлическая проводимость

Эксперимент

Отражает систему
связей, существующих
между частицами,
химическое состояние

Можно пытаться предсказать
физ.-хим.свойства поверхностных
слоев, их реакцию на появление
чужеродных частиц.

Важно, что равновесное расположение атомов определяется особенностями
электронной структуры именно в поверхностной области.


Двукратно вырожденные поверхностные энергетические уровниДвукратно вырожденные поверхностные энергетические уровниSi(111)Изменение геометрии расположения атомов приводит к расщеплению Нижний из

Слайд 3Реальная поверхность
не идеальна
Реальная поверхность
не идеальна
Поверхности всех без исключения

кристаллических твердых тел имеют
упорядоченное расположение атомов практически до Тплавл
Присутствуют

дефекты в виде ступеней (1), изломов (2), имеются вакансии (3), атомы в адсорбированном состоянии (4), кластеры (5) и т.д.

Наличие дефектов структуры
необходимо.
Это условие термического
равновесия системы.

С - некоторая постоянная,
εdef - энергия образования дефекта

φ грани (011) вольфрама

Реальная поверхность не идеальнаРеальная поверхность не идеальнаПоверхности всех без исключения кристаллических твердых тел имеют упорядоченное расположение атомов

Слайд 42.1. Двумерная кристаллическая решетка
Поверхность может быть получена
путем периодического повторения


одинаковых структурных единиц.
Кристаллическая решетка - набор узлов, расположенных таким

образом,
что каждый узел имеет одинаковое и однообразным способом ориентированное
окружение

Группу атомов, относящуюся к данному
узлу, называют базисом

Узлы кристаллической решетки не
обязательно совмещать с каким-либо
атомом, но обычно это делают
из соображений удобства

Простые решетки

Базис состоит из одного атома

Сложные

К каждому узлу относятся два или более атомов

Наличие на поверхности
кристаллической структуры
означает




2.1. Двумерная кристаллическая решеткаПоверхность может быть получена путем периодического повторения одинаковых структурных единиц. Кристаллическая решетка - набор

Слайд 5
Основное свойство
кристаллической решетки
Решетка совмещается сама с собой при


перемещении на вектор трансляции решетки

Обычно основные вектора выбирают
наименьшими

по длине

Возможные варианты выбора
основных векторов трансляции и
элементарной ячейки



Примитивная - ячейка имеющая минимальную
из всех возможных площадь

Соответствующий базис -
примитивный базис.

трансляционная симметрия

h и k - любые целые числа

Элементарная ячейка - элемент решетки, трансляцией которого может быть получена вся решетка целиком


При любом выборе с ней связан только один
узел кристаллической решетки.

Основное свойство кристаллической решеткиРешетка совмещается сама с собой при перемещении на вектор трансляции решетки Обычно основные

Слайд 6Зачастую примитивную ячейку выбирают
так, чтобы ее сторонами являлись
основные

вектора.
При этом в вершинах оказываются узлы.
Зачастую примитивную ячейку

выбирают
так, чтобы ее сторонами являлись
основные вектора.
При этом в вершинах оказываются узлы.

Другой полезный способ

область, все точки которой расположены ближе к
фиксированному узлу

Ячейка Вигнера-Зейтца

Кроме трансляционной симметрии двухмерные решетки могут обладать
некоторым числом операций точечной и осевой симметрии:

оси вращения II, III, IV и VI порядков, зеркальное отражение в плоскости,
перпендикулярной поверхности, отражение с последующей трансляцией
на половину трансляционного периода в этом направлении.

Зачастую примитивную ячейку выбирают так, чтобы ее сторонами являлись основные вектора. При этом в вершинах оказываются узлы.

Слайд 7Произвольное соотношение между длинами
основных векторов трансляций и
произвольный угол

между ними
.
Произвольное соотношение между длинами
основных векторов трансляций и


произвольный угол между ними
.

Инвариантна только относительно поворота
на угол, кратный π.

Остальные 4 - частный случай косоугольных. Получаются из нее при наложении
ограничений на длины векторов и углы между ними.

Инвариантность решетки относительно
плоскости зеркального отражения

Прямоугольная центрированная,
имеющая базис из двух или более атомов

По симметрии все кристаллические решетки - решетки Браве –
можно разделить на 5 типов.

I тип

Косоугольная

II тип

Прямоугольная решетка

III тип

Произвольное соотношение между длинами основных векторов трансляций и произвольный угол между ними. Произвольное соотношение между длинами основных

Слайд 8Еще два - при наличии инвариантности относительно поворота вокруг оси,
проходящей

через узел решетки и перпендикулярной плоскости поверхности
Еще два -

при наличии инвариантности относительно поворота вокруг оси,
проходящей через узел решетки и перпендикулярной плоскости поверхности

ось четвертого порядка

инвариантность к повороту на угол 2π/6

mm - указывает на наличие двух плоскостей зеркального отражения

IV тип

Квадратная решетка

V тип

Гексагональная решетка



Еще два - при наличии инвариантности относительно поворота вокруг оси,проходящей через узел решетки и перпендикулярной плоскости поверхности

Слайд 9Понижение размерности по отношению к трехмерному кристаллу
приводит к особенностям


Понижение размерности по отношению к трехмерному кристаллу
приводит к особенностям


Рассмотрим одномерную цепочку N атомов массой M


δт=xт-та



Отклонение от «правильного» положения

Понижение размерности по отношению к трехмерному кристаллу приводит к особенностям Понижение размерности по отношению к трехмерному кристаллу

Слайд 10Формула Планка

Формула Планка

При ћω

N суммирование можно заменить на интегрирование по
всем возможным состояниям

системы


D(q) – плотность состояний
колебательного спектра


Формула Планка

Формула Планка Формула Планка При ћω

Слайд 11Приближение Дебая
Приближение Дебая
решетка заменяется упругим континуумом
Дебай предложил

ввести
максимальную частоту - ωD
ωD выбирается так, что общее число

колебаний
равняется общему числу степеней свободы

Твердое тело - куб со стороной L, содержит N элементарных ячеек

uL=u или




В решетке спектр частот колебаний ограничен

3D - случай

Приближение Дебая Приближение Дебая решетка заменяется упругим континуумом Дебай предложил ввести максимальную частоту - ωDωD выбирается так,

Слайд 12.
.
На 1 колебание приходится объем
В изотропном кристалле для

каждого типа поляризации полное число
мод с волновым вектором, меньшим

q, равно частному от деления
объема сферы радиусом q на объем, приходящийся на одно колебание:






Если общее число ячеек N

или

. . На 1 колебание приходится объемВ изотропном кристалле для каждого типа поляризации полное число мод с

Слайд 13Аналогично для двумерной и одномерной систем

Аналогично для двумерной и

одномерной систем

С понижением размерности увеличивается доля низкочастотных колебаний

Аналогично для двумерной и одномерной систем Аналогично для двумерной и одномерной систем С понижением размерности увеличивается доля

Слайд 14Т.о., низкая величина связи атомов из-за меньшего
числа соседей приводит

к увеличению количества
низкочастотных колебаний, что стимулирует
развитие флуктуационного нарушения

дальнего
порядка


Т.о., низкая величина связи атомов из-за меньшего
числа соседей приводит к увеличению количества
низкочастотных колебаний, что стимулирует
развитие флуктуационного нарушения дальнего
порядка

Взаимодействием атомов с подложкой, должно оказывать
стабилизирующее влияние

Т.о., низкая величина связи атомов из-за меньшего числа соседей приводит к увеличению количества низкочастотных колебаний, что стимулирует

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика