БГТУ ВОЕНМЕХ им. Д.Ф. Устинова кафедра электротехники, О8

химической связи, зонной диаграммой, величиной удельного сопротивления

внешних условий (температура, напряженность, электрическое поле).
По электрическому сопротивлению полупроводники занимают

Полупроводники:
Минералы;
Оксиды;
Сульфиды;
Теллуриды;
Германий;
Кремний;
Селен.

Полупроводники – это материалы , обладающие удельным электрическим сопротивлением в пределах 10 -5… 108 Ом∙м.
Из простых полупроводников распространены германий и кремний.

Используются для выпрямления и усиления эл. сигналов и превращения различных видов энергии в электрическую.

датчики температуры в различных схемах автоматики.
Фотоэлементы — элементы, служащие для

Термоэлементы — устройства, с помощью которых можно преобразовывать энергию электрического поля в тепловую энергию, и наоборот — тепловую в электрическую.

Фоторезисторы — элементы, сопротивления которых зависят от интенсивности светового потока, действующего на него.

Варисторы — элементы, сопротивление которых зависит от приложенного напряжения.

Варикапы — элементы, ёмкость которых зависит от приложенного напряжения.

Применение полупроводников

самые быстрые из них покидают свою орбиту. Во время разрыва

При обычных условиях (невысоких температурах) в полупроводниках отсутствуют свободные заряженные частицы, поэтому полупроводник не проводит электрический ток.

изменять его проводимость. Поэтому для увеличение проводимости

Примеси

Акцепторные

Донорные

Полупроводники
p-типа

Полупроводники
n-типа

- мышьяк

разной проводимости: электронной (n-типа) и дырочной (р-типа). Между ними разделяющая

Область n-типа называют анодом (отрицательный электрод), а область р-типа ‑ катодом (положительный электрод) полупроводникового диода. Диод хорошо пропускает ток, когда его отрицательный электрод соединен с отрицательным полюсом источника напряжения, а положительный с положительным полюсом, т. е. когда на диод подается напряжение прямой полярности.

Структурная схема полупроводникового диода

напряжения
Внешнее электрическое поле Е, приложенное к сложной структуре полупроводника, уменьшит

В случае, когда полярность источника напряжения противоположна, внешнее поле Е, совпадая по направлении с повышает потенциальный барьер, создавая дополнительное препятствие основным носителям заряда.

отношению к знаку и величине приложенного к диоду напряжения
ВАХ

Прямого смещение
p ‑ n – перехода

Обратное смещение
p ‑ n – перехода

Прямое смещение характеризуется малым падением напряжения на диоде и большим прямым током.

Обратное смещение характеризуется малым током и большим сопротивлением.

и обращенные диоды;
светодиоды;
фотодиоды.
При включении диода в обратном направлении (обратное

(открытое состояние);
напряжение на открытом диоде для фиксированной величины прямого тока;
максимально

Классификация полупроводниковых диодов.
С точки зрения конструктивных особенностей различают плоскостные и точечные полупроводниковые диоды. Каждый вид определяется спецификой производства и имеет отличительные характеристики.
По виду применяемого материала, диоды бывают:
Германиевые;
Кремниевые;
Арсенид галлиевые.

– стабилитрон;
3 – диод Шоттки,
4 – туннельный диод;
5 – обращенный

применяются полупроводниковые выпрямители, схемы фильтрации и стабилизаторы.

фильтры.
Требуемый коэффициент пульсаций в источниках вторичного питания не должен

Эффективность фильтра может быть оценена коэффициентом сглаживания

осн – частота основной гармоники выпрямленного напряжения.

qвх– коэффициент пульсаций схемы до включения фильтра;
qвых– коэффициент пульсаций схемы после включения фильтра;

в едином кристалле полупроводника. Он широко используется как усилительный элемент,

Биполярный транзистор

база (Б), эмиттер (Э) и коллектор (К).

общим коллектором (ОК).

и Uкэ подключают к транзистору таким образом, чтобы обеспечивалось смещение