Диспергированные пленки

их расположения.
При малых напряжениях –
омический характер
При больших напряжениях

5.4. Диспергированные пленки

Островковая структура на
диэлектрической подложке

Удельное сопротивление может на порядки
превышать ρ массивного вещества

– центры эмиссии электронов и центры свечения совпадают

температуры системы.


F>>V/L

Нередко ρ экспоненциально
связана с 1/T
Механизм переноса

Величина барьера понижена вследствие наличия потенциалов сил
зеркального изображения и электрического поля.

Эффективная высота потенциального барьера

F – напряженность электрического поля

Основное падение потенциала на зазорах между островками

Механизм предпочтителен при больших расстояниях между островками (d>100Å)

возрастает.
При переходе заряда от одного островка к
другому энергия

Изменение энергии пропорционально e2/(ε0d). Следовательно, чтобы переход
совершился необходима активация системы. Число носителей ~exp(-e2/(ε0dkT)).

Переход электрона через вакуумный промежуток
между островками - не самый оптимальный путь.

Через диэлектрик барьер
существенно ниже

Препятствием для применения - отсутствие технологии

2. Туннелирование

Эффект значителен при d ≤ 20-50 Å

3. Активированное туннелирование

4. Туннелирование через подложку.

Сродство подложки к электрону
χ>0 (чаще всего)