Слайд 1Другие типы полупроводниковых ЗУ
Слайд 2К модификациям типовых ЗУ можно отнести следующие разновидности:
Видео ОЗУ (VRAM)
Оконное
ОЗУ (Window RAM)
Синхронная графическая память(SGRAM)
Память с виртуальными каналами (Virtual Channel
Memory - VCM)
GDDR (Graphics Double Data Rate)
Слайд 3Video RAM
VRAM - оперативная память для временного хранения изображения, сформированного видеоадаптером и передаваемого
на видеомонитор, является результатом развития RAM для графической подсистемы компьютера и его
мультимедийных приложений.
Отличается от обычных схем динамического ОЗУ (DRAM) возможностью одновременного выполнения операций записи и считывания данных за счет наличия двух портов, чем обеспечивается существенное (примерно в два раза) повышение производительности системы.
Слайд 4Один из портов является обычным интерфейсом динамической памяти, а другой
– последовательным трактом считывания данных, используемым для регенерации изображения на
экране монитора. Поскольку такая память реализуется на обычных динамических элементах, то наличие двух портов предполагает разделение доступа к матрице памяти со стороны портов, т.е. общая пропускная способность собственно памяти не увеличивается. Однако за счет использования буферных регистров портов можно добиться их одновременной работы.
Параметры VRAM: частота пропускания шины 25-33 МГц, максимальная пропускная способность 120 Мбайт/с. VRAM является одним из наиболее дорогих видов памяти.
VRAM использовалась в производительных видеоадаптерах до 1997, после чего уступила место SDRAM и SGRAM.
Слайд 5Window RAM
Является схемотехническим развитием памяти VRAM, была разработана фирмой Samsung. В
этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции,
такие как перенос битовых блоков и заполнение по шаблону. Пропускная способность по сравнению с VRAM увеличилась приблизительно на 25%.
Слайд 6WRAM может работать на частотах до 50 МГц; имеет пропускную
способность 180 Мбайт/с. Благодаря более совершенной конструкции, чем VRAM, содержит
меньшее число полупроводниковых компонентов и стоит примерно на 20% дешевле. В этой памяти оптимизированы функции быстрой обработки текстовых и цветовых заполнений. Видеоадаптеры, построенные с использованием данного типа памяти, в отличие от однопортовых, не имеют тенденции к снижению производительности при установке больших разрешений и частот обновления экрана. К началу 21 в. вытеснена сперва памятью типа SDRAM, SGRAM, а затем DDR SDRAM и DDR2 SDRAM.
Слайд 7SGRAM
SGRAM — ОЗУ, вариант DRAM с синхронным доступом, особой чертой которой является использование маскирования при
записи блока.
SGRAM представляет собой улучшенный вариант SDRAM, ориентированный на
работу в видеоадаптерах, особенности которой проявляются при записи и чтении больших объемов информации. Как правило, эта информация пересылается большими блоками ячеек с последовательными адресами. Для оптимизации такого рода операций введены специальные режимы блочной записи – Block Write и побитовой записи – Write-per-Bit. Первый из них позволяет записать значение, предварительно занесенное в специальный регистр SGRAM (Color register ), в восемь ячеек одновременно. Второй режим (Write-per-Bit) также предназначен для заполнения ячеек определенными данными с возможностью маскирования (блокировки) отдельных ячеек.
Слайд 8В отличие от VRAM и WRAM этот вид оперативной памяти является однопортовым, однако путем
открытия двух страниц памяти как одной он может эмулировать «двухпортовость»
других видов памяти.
Время доступа 6-10 нс, работает на частотах свыше 66 МГц, ширина шины — 64 разряда, пропускная способность — 800 Мб/с. С начала 2000-х гг. почти полностью вытеснен DDR SDRAM, DDR2 SDRAM и другими видами памяти.
Слайд 9Virtual Channel Memory
Память с виртуальными каналами VCM, в отличие от
перечисленных выше видов, предполагает усовершенствование не интерфейсов, а внутреннего доступа
к матрице элементов памяти.
В обычной памяти имеется один канал, по которому данные считываются из ядра и записываются в него. Фирма NEC предложила использовать несколько независимых каналов чтения/записи информации. Каждый из них имеет свои собственные буферные регистры для адреса строки, счетчики адресов пакетного режима и промежуточные регистры хранения информации, что позволяет считывать и записывать данные в разные области матрицы элементов памяти. При этом каждый канал может быть назначен независимому устройству, которое обращается к памяти, процессору, контроллеру ПДП или AGP-контроллеру. При обращении к памяти сразу нескольких устройств промежуточные данные временно хранятся в отдельных каналах и записываются в банки памяти по мере их освобождения от выполнения предыдущих операций. Такой подход позволяет увеличить производительность системы в среднем на 20%.
Слайд 10GDDR
GDDR (Graphics Double Data Rate) — подвид энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью
передачи данных (DDR) предназначенный для использования в графических картах. GDDR отличается от
более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, таких как DDR3 SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных.
Общими отличиями GDDR от DDR являются более высокие номинальные частоты работы первой. Также GDDR содержит упрощения электрического интерфейса и применение ряда специальных приемов управления буфером ввода-вывода, что позволяет достичь несколько большей пропускной способности и более высоких рабочих частот по сравнению с DDR SDRAM. Кроме этого, GDDR имеет по сравнению с DDR более низкое энергопотребление и тепловыделение при работе на равных частотах.
Слайд 11Поколения GDDR
GDDR2 (Graphics Double Data Rate, version 2) — это тип
компьютерной перезаписываемой энергозависимой памяти, используемой в графических ускорителях.
GDDR2, по сути
является DDR2 с интерфейсом и упаковкой, спроектированными специально для работы на максимально возможных частотах и для коротких шин. При этом отличия GDDR2 от «обычной» DDR2 почти полностью заключаются в упаковке.
Частота работы памяти 800 – 1000 МГц.
Слайд 12GDDR3 — специальная технология памяти для графических карт, разработанная ATI Technologies
Имеет почти
такое же технологическое ядро, как DDR2, но более высокую эффективную частоту.
В
силу специфики использования графической памяти, а именно соединения GPU и DRAM с топографией точка-точка, при формировании I/O шины GDDR3 используется технология с открытым стоком и привязанная к этому специфическая реализация внутрикристалльной терминации (on-die termination, ODT), в отличие от двухтактной шины у стандартной DDR2, что позволяет радикально поднять тактовые частоты и упростить разводку плат.
Несмотря на использование контроллеров для согласования по полному сопротивлению (impedance-matching controllers), GDDR3 обладает более простым дизайном за счёт использования архитектуры прямого подключения.
Слайд 13GDDR4 не получил широкого распространения на рынке по причине небольшого
прироста производительности относительно GDDR3 и высокой стоимости. Такой тип памяти
устанавливался лишь на несколько поколений видеокарт ATI/AMD после чего был заменен более прогрессивной GDDR5.
Частота работы памяти около 2200 МГц.
Слайд 14GDDR5 — 5-е поколение памяти DDR SDRAM, спроектированной для приложений, требующих высокой полосы пропускания.
В отличие от его предшественника, GDDR4, GDDR5 основан на памяти
DDR3, которая имеет удвоенные по сравнению с DDR2 DQ (Digital Quest) каналы связи, но у GDDR5 также есть буферы предварительной выборки шириной 8 битов, как у GDDR4.
Слайд 15 GDDR5 использует две тактовые частоты, CK и WCK, последняя в два
раза больше первой. Команды передаются в режиме SDR (стандартная тактовая частота) на
частоте CK; адресная информация передаётся в режиме DDR на частоте CK; а данные передаются в режиме DDR на частоте WCK. Интерфейс GDDR5 передает два информационных слова шириной 32 бита за тактовый цикл (WCK) через выводы микросхемы памяти.
Единичный доступ для чтения или записи состоит из двух передач данных шириной 256 бит за тактовый цикл (CK) внутри ядра памяти и восьми соответствующих половинных передач данных шириной 32 бита за тактовый цикл (WCK) на выводах микросхемы памяти.
Например для GDDR5 со скоростью передачи данных 5 Гбит/с на вывод CK подается тактовая частота 1,25 ГГц, а WCK c частотой 2,5 ГГц. Так же часто употребляется эффективная частота (QDR), поскольку как написано выше данные передаются на частоте WCK в режиме DDR. В приведенном примере эта частота составляет 5 ГГц.