Слайд 2
Преподаватель: Самсонов Александр Иванович
Слайд 3Рекомендуемая литература
Белов Г.А. Электроника и микроэлектроника: Учеб. пособие. Чебоксары: Изд-во
Чуваш. ун-та, 2001. 378 с.
2. Новожилов, О. П. Электротехника и
электроника: учебник / О. П. Новожилов. – М.: Гардарики, 2008. – 653 с.
3. Исследование полупроводниковых приборов. Метод. указ к лаб. работам. – ЧГУ, Чебоксары, 1988.
4. Полупроводниковые диоды и транзисторы. Лабораторный практикум – ЧГУ, Чебоксары, 2010.
Слайд 4Структура курса:
9 лекций;
4 Лабораторных работ;
Расчётно-графическая работа
Форма отчетности
– зачет.
Слайд 5ВВЕДЕНИЕ
Современный этап развития человеческого общества характеризуется всё возрастающим проникновением электроники
во все сферы жизни и деятельности людей. Достижения в этой
области в значительной мере способствуют решению сложнейших научно-технических проблем, повышению эффективности научных исследований, созданию новых видов машин и оборудования, разработке эффективных технологий и систем управления, получению материалов с уникальными свойствами, совершенствованию процессов сбора и обработки информации и др.
Охватывая широкий круг научно-технических и производственных проблем, электроника опирается на достижения различных областей знаний. При этом, с одной стороны, она ставит перед другими науками и производством новые задачи, стимулируя их дальнейшее развитие, а с другой вооружает их качественно новыми техническими средствами и методами исследований.
Слайд 6
Известно, что электроника включает в себя три основные области исследований
(вакуумную, твердотельную и квантовую электроники), каждая из которых объединяет исследования
физико-химических явлений и процессов, имеющих фундаментальное значение как для разработки электронных приборов, так и для метода расчёта и способа изготовления таких приборов.
Данный курс лекций посвящен полупроводниковой электронике и по этой причине ориентирован на изучение физики процессов в полупроводниковых приборах и устройствах на их основе.
Слайд 71. ИСТОКИ ЭЛЕКТРОНИКИ
Любую науку можно представить в виде дерева с
корнями (истоками), со старыми ветвями и молодыми побегами. Физика является
одним из центральных корней дерева электроники, так как изучает движение электронов под действием постоянных и переменных полей. Эти поля могут быть рассчитаны электродинамическими методами при известных напряжениях на электродах прибора, включенного в схему установки. Для расчета схем применяют теорию электрических цепей. При расчете траектории электронов в приборе используются сведения из теоретической механики, высшей математики и вычислительной техники. При выборе материалов для изготавливаемого прибора и способа их обработки необходимо знание химии и технологии материалов.
Нижними ветвями дерева, исторически явившимися первыми, являются вакуумная и ионная электроники. Следующими ветвями являются: схемная электроника, полупроводниковая электроника, электроника СВЧ, микроэлектроника, квантовая электроника, оптоэлектроника, криоэлектроника, космическая электроника. Выделение таких ветвей является весьма условным. В реальности большинство ветвей пересекаются между собой (например, имеются вакуумные и полупроводниковые приборы СВЧ или в квантовом приборе используется газовый разряд).
Слайд 8Одной из основных причин, способствовавших зарождению и развитию электроники, микроволновой
в частности, явилась необходимость в совершенствовании средств связи между отдельными
людьми и далеко расположенными селениями.
Как наука, полупроводниковая электроника сформировалась в начале ХХ века после создания основ электродинамики, открытия и исследования фотопроводимости (У. Смит, 1873), односторонней проводимости контакта металл-полупроводник (К. Ф. Браун, 1874), фотоэлектронной эмиссии (Г. Герц, 1887; А.Г. Столетов, 1905), рентгеновских лучей (В.К. Рентген, 1895), открытия электрона (Дж.Дж. Томсон, 1897), создания электронной теории (X.А. Лоренц, 1892 1909).
Появлению электронных приборов предшествовал сложный период возникновения и установления понятия об электроне как об элементарной частице. Электрон – первая частица микромира, физические свойства которой были установлены человеком. К представлению о существовании в природе элементарного электрического заряда ученых конца XIX века приводил целый ряд явлений, связанных с электричеством. Это и электризация не проводящих ток тел при трении, и явление электролиза, когда прохождение тока через растворы могло быть объяснено только тем, что молекулы растворённых в жидкости веществ состоят из электрически заряженных частиц, и открытое Эдисоном в 1881 году явление термоэлектронной эмиссии, названное эффектом Эдисона.
Слайд 9
Электрические свойства полупроводников
Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное
значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков.
В отличие от
металлов в полупроводниках носители заряда возникают при повышении температуры или поглощении энергии от другого источника.
В полупроводниках электропроводность осуществляется двумя различными видами движения электронов. Проводимость полупроводников можно менять в широких пределах, добавляя ничтожно малые количества примесей.
Слайд 10
Электрические свойства полупроводников
Структура кристалла кремния
Атомы кремния способны объединять свои валентные
электроны с другими атомами кремния с помощью ковалентных связей.
Слайд 11
Электрические свойства полупроводников
При освобождении электрона в кристаллической решетке появляется незаполненная
межатомная связь. Такие «пустые» места с отсутствующими электронами получили название
дырок.
Возникновение дырок в кристалле полупроводника создает дополнительную возможность для переноса заряда. Дырка может быть заполнена электроном, перешедшим под действием тепловых колебаний от соседнего атома.
Последовательное заполнение свободной связи электронами эквивалентно движению дырки в направлении, противоположном движению электронов, что равносильно перемещению положительного заряда.
Слайд 12
Электрические свойства полупроводников
В полупроводнике имеются два типа носителей заряда –
электроны и дырки, а общая проводимость полупроводника является суммой электронной
проводимости (n-типа) и дырочной проводимости (р-типа).
Для увеличения проводимости чистых полупроводниковых материалов применяют легирование – добавление небольших количеств посторонних элементов, называемых примесями.
Используются два типа примесей. Примеси первого типа – пятивалентные – состоят из атомов с пятью валентными электронами. Примеси второго типа – трехвалентные – состоят из атомов с тремя валентными электронами.
Слайд 13
Электрические свойства полупроводников
Структура кристалла кремния, легированного пятивалентным материалом (фосфором)
Слайд 14
Электрические свойства полупроводников
Атом фосфора называют донором, поскольку он отдает свой
лишний электрон.
Электроны в таком полупроводнике являются основными носителями, а
дырки – неосновными носителями. Основные носители имеют отрицательный заряд, поэтому такой материал называется полупроводником n-типа.
В качестве донорных примесей для германия и кремния используют фосфор, мышьяк, сурьму.
Слайд 15
Электрические свойства полупроводников
Когда полупроводниковый материал легирован трехвалентными атомами, например атомами
индия (In), то эти атомы разместят свои три валентных электрона
среди трех соседних атомов. Это создаст в ковалентной связи дырку.
Структура кристалла кремния, легированного трехвалентным материалом
Слайд 16
Электрические свойства полупроводников
Атомы, которые вносят в полупроводник дополнительные дырки, называются
акцепторами.
Дырки являются основными носителями, а электроны – неосновными. Поскольку
основные носители имеют положительный заряд, материал называется полупроводником р-типа.
В качестве акцепторных примесей в германии и кремнии используют бор, алюминий, галлий, индий.
Слайд 17
Вольт-амперная характеристика р–n-перехода
Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости называется
р–n-переходом.
Поскольку концентрация электронов в n-области значительно больше их концентрации
в p-области, происходит диффузия электронов из n-области в p-область. В n-области остаются неподвижные положительно заряженные ионы доноров.
Одновременно происходит диффузия дырок из p-области в n-область. За счет этого приграничная р-область приобретает отрицательный заряд, обусловленный отрицательно заряженными ионами акцепторов.
Слайд 18
Вольт-амперная характеристика р–n-перехода
Прилегающие к р–n-переходу области образуют слой объемного заряда,
обедненный основными носителями. В слое объемного заряда возникает контактное электрическое
поле Ek, препятствующее дальнейшему переходу электронов и дырок из одной области в другую.
Слайд 19
Полупроводниковые диоды
Полупроводниковый диод – двухполюсный прибор, имеющий один p–n-переход.
Упрощенная структура
диода
Электрод диода, подключенный к p-области, называют анодом (А), а электрод,
подключенный к n-области – катодом (К).
Слайд 20 Полупроводниковые диоды
Полупроводниковый диод – это прибор с двухслойной P-N
структурой и одним P-N переходом.
Слой Р - акцепторная
примесь ( основные носители - дырки ). Слой N - донорная примесь (основные носители - электроны).
V или VD - обозначение диода
VS – обозначение диодной сборки
Цифра после V, показывает номер диода в схеме
Анод – это полупроводник P-типа
Катод – это полупроводник N-типа
Слайд 21При приложении внешнего напряжения к диоду в прямом направлении («+»
на анод, а « - » на катод) уменьшается потенциальный
барьер, увеличивается диффузия – диод открыт (закоротка).
При приложении напряжения в обратном направлении увеличивается потенциальный барьер, прекращается диффузия – диод закрыт (разрыв).
Слайд 22Полупроводниковые диоды
Uэл.проб.=10÷ около 6000 В – напряжение электрического пробоя. Зависит
от марки диода.
Uнас. = 0,3 ÷ 1 В – напряжение
насыщения.
Ia и Ua – анодный ток и напряжение
Вольт-амперная характеристика диода
Слайд 23
Участок I:– рабочий участок (прямая ветвь ВАХ)
Участки
II, III, IV, - обратная ветвь ВАХ (не рабочий участок)
Участок
II: Если приложить к диоду обратное напряжение – диод закрыт, но все равно через него будет протекать малый обратный ток (ток дрейфа, тепловой ток), обусловленный движением неосновных носителей.
Слайд 24Участок III: Участок электрического пробоя. Если приложить достаточно большое напряжение,
неосновные носители будут разгоняться и при соударении с узлами кристаллической
решетки происходит ударная ионизация, которая в свою очередь приводит к лавинному пробою (вследствие чего резко возрастает ток)
Электрический пробой, теоретически, является обратимым, после снятия напряжения P-N-переход восстанавливается.
Слайд 25Участок IV: Участок теплового пробоя. Возрастает ток, следовательно, увеличивается мощность,
что приводит к нагреву диода и он сгорает.
Тепловой пробой - необратим.
Вслед за электрическим пробоем, очень быстро следует тепловой, поэтому на практике для диодов запрещается работа при электрическом пробое.
Слайд 26Тепловой пробой может наступить и на рабочей ветви ВАХ (участок
I).
Надо отметить, что для данной ВАХ масштабы по осям в
положительном и отрицательном направлении неодинаковы.
Если сделать масштабы одинаковыми, ВАХ будет иметь следующий вид :
Слайд 27Вольт-амперная характеристика идеального диода (вентиля)
Слайд 28Основные параметры полупроводниковых диодов
1. Максимально допустимый средний за период
прямой ток (IПР. СР.)
–
это такой ток, который диод способен пропустить в прямом направлении не перегреваясь.
Величина допустимого среднего за период прямого тока равна 70% от тока теплового пробоя.
По прямому току диоды делятся на три группы:
1) Диоды малой мощности (IПР.СР < 0,3 А)
2) Диоды средней мощности (0,3 3) Диоды большой мощности (IПР.СР > 10 А)
В настоящее время существуют диоды с I ПР.СР = 3800 А
Диоды малой мощности не требуют дополнительного теплоотвода (тепло отводится с помощью корпуса диода)
Слайд 29
2. Постоянное прямое напряжение (UПР.)
Постоянное прямое напряжение – это падение напряжения между анодом и
катодом при протекании максимально допустимого прямого постоянного тока.
Проявляется особенно при малом напряжении питания.
Постоянное прямое напряжение зависит от материала диодов (германий - Ge, кремний - Si)
Синоним этого параметра – напряжение насыщения.
Слайд 30
Uпр. Ge ≈ 0.3÷0.5 В (Германиевые)
Uпр. Si ≈ 0.5÷1 В (Кремниевые)
Германиевые диоды обозначают – ГД (1Д) Кремниевые диоды обозначают – КД (2Д)
3. Повторяющееся импульсное обратное максимальное напряжение (Uобр. max)
Электрический пробой идет по амплитудному значению (импульсу) Uобр. max ≈ 0.7UЭл. пробоя (10 ÷ 4500 В)
Для мощных диодов Uобр. max= 1200 В.
Этот параметр иногда называют классом диода (Для 12 класса диода Uобр. max= 1200 В)
Слайд 314. Максимальный обратный ток диода (I max ..обр.)
Соответствует максимальному обратному напряжению (порядок величины – микроамперы или миллиамперы
в зависимости от мощности диода).
Для кремниевых диодов максимальный обратный ток в два раза меньше, чем для германиевых
5. Дифференциальное (динамическое) сопротивление.
Слайд 32Стабилитрон – это разновидность диода. Применяется для ограничения электрических сигналов
по току и напряжению.
Используются в стабилизаторах напряжения.
Слайд 33Вольт-амперная характеристика стабилитрона
Рабочим участком является участок электрического пробоя.
U стаб. –
напряжение стабилизации
I стаб.min – минимальный ток стабилизации
I стаб.max – максимальный
ток стабилизации
Слайд 34В справочнике дается среднее значение Uстаб. Есть разброс порядка 10
%.
Для достижения требуемого значения стабилитроны могут включаться последовательно.
Слайд 35 Рабочий ток стабилитрона лежит в пределах от минимального
до максимального тока стабилизации.
Степень наклона рабочего участка,
характеризуется динамическим сопротивлением
Для идеального стабилитрона RД=0.
U стаб. =3 ÷ 200 В
Слайд 36Ещё один паспортный параметр – ТКН (температурный коэффициент напряжения). Показывает
на сколько вольт (или на сколько процентов) изменяется Uстаб при
изменении темпе-ратуры на один градус Цельсия.
Слайд 37
Полупроводниковые диоды
Идеальная ВАХ p–n-перехода описывается выражением
, Здесь:
– температурный потенциал;
k –постоянная Больцмана;
T – абсолютная температура в градусах Кельвина;
e – заряд электрона.
При комнатной температуре (20C) . Для упрощения расчетов полагают, что при комнатной температуре .
Слайд 38
Полупроводниковые диоды
Ток I0 называют тепловым, или обратным, током насыщения. Величина
этого тока зависит от материала, площади p–n-перехода и от температуры.
Типичные
значения I0 : от 10-12 до 10-16 А. Обратный ток диода зависит от температуры. У кремниевых диодов он удваивается при увеличении температуры приблизительно на 7 С. На практике считают, что обратный ток кремниевых диодов увеличивается в 2,5 раза при увеличении температуры на каждые 10 С.
Слайд 40Анализ цепей с диодами
Более точная модель диода:
Слайд 42Выпрямители
Выпрямители преобразуют переменное напряжение питающей сети в пульсирующее однополярное.
Основными компонентами выпрямителей служат вентили – элементы с явно выраженной
нелинейной ВАХ. В качестве таких элементов используют кремниевые диоды.
Однополупериодный выпрямитель
Слайд 43Выпрямители
Напряжения на входе и выходе однополупериодного выпрямителя
Среднее значение выпрямленного
напряжения
Максимальное обратное напряжение на диоде
Слайд 44Выпрямители
Двухполупериодный выпрямитель с выводом от средней точки вторичной обмотки трансформатора
Диоды проводят ток поочередно, каждый в течение полупериода.
В положительный
полупериод открыт диод VD1, а в отрицательный – диод VD2.
Слайд 45Выпрямители
Напряжение на нагрузке
Средние значения тока и напряжения нагрузки
;
Слайд 46Выпрямители
Мостовая схема двухполупериодного выпрямителя
Слайд 47Выпрямители
Для уменьшения пульсаций выпрямленного напряжения используют специальные устройства – сглаживающие
фильтры
Емкостный фильтр (С-фильтр) в схеме однополупериодного выпрямителя
Сглаживание пульсаций выпрямленного
напряжения происходит за счет периодической зарядки конденсатора С (когда напряжение на вторичной обмотке трансформатора превышает напряжение на нагрузке) и последующей его разрядки на сопротивление нагрузки
Слайд 48Выпрямители
Временные диаграммы напряжений и токов выпрямителя
Слайд 49Выпрямители
На интервале времени t1 – t2 диод открыт и конденсатор
заряжается.
На интервале t2 – t3 диод закрыт и
конденсатор разряжается через сопротивление Rн
Амплитуда пульсаций выпрямленного напряжения
- частота входного напряжения
Амплитуда пульсаций напряжения на выходе двухполупериодного выпрямителя
Слайд 50Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор – трёхполюсный
полупроводниковый прибор с двумя p–n-переходами
n–p–n-
транзистор
Слайд 51Биполярные транзисторы
p–n–p- транзистор
Слайд 52Биполярные транзисторы
Структура биполярного транзистора
Слайд 53Биполярные транзисторы
Активный режим работы биполярного транзистора
– коэффициент
передачи тока эмиттера.
У интегральных транзисторов = 0.99–0.995
Слайд 54Биполярные транзисторы
Режим отсечки:
В
Режим насыщения:
В
Слайд 55Характеристики биполярных транзисторов
Входная характеристика
Выходные характеристики
Слайд 56Модели биполярных транзисторов
Линеаризованные характеристики биполярного транзистора
Слайд 57Модели биполярных транзисторов
Модель биполярного транзистора для активного
режима
Слайд 58Модели биполярных транзисторов
Модель биполярного транзистора для режима
насыщения
Электротехника и электроника
Слайд 59 Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Электротехника и электроника
Слайд 60 Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Электротехника и электроника
Слайд 61Электротехника и электроника
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Анализ для постоянной составляющей
Слайд 62 Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Электротехника и электроника
Эквивалентная схема для постоянной
составляющей
Ток базы
Ток коллектора
Слайд 63Электротехника и электроника
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Схема замещения для переменной
составляющей
Выходное напряжение
Слайд 64Полевые транзисторы
Электротехника и электроника
Полевой транзистор –
полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего
канала с помощью поперечного электрического поля
Электроды полевого транзистора – исток (И), сток (С) и затвор (З).
Управляющее напряжение прикладывается
между затвором и истоком
Слайд 65Полевые транзисторы
Электротехника и электроника
Классификация полевых транзисторов
1. С управляющим
p–n-переходом;
2. С металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком.
Приборы второго типа
называют МОП-транзисторами.
Слайд 66Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
Электротехника и электроника
Слайд 67Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
Электротехника и электроника
Выходные характеристики
Слайд 68Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом
Электротехника и электроника
Передаточная характеристика
При напряжении затвор-исток,
равном напряжению отсечки ток стока
близок к нулю.
У n-канального ПТ напряжение затвор-исток отрицательно.
Слайд 69МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Слайд 70МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Выходные характеристики
Режимы полевого транзистора:
- линейный;
-
насыщения;
- отсечки.
Слайд 71МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Линейный (триодный) режим работы МОП-транзистора
Ток стока
Слайд 72МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
b – удельная крутизна МОП-транзистора:
.
– приповерхностная подвижность носителей,
– удельная емкость
затвор-канал,
L – длина, W – ширина канала.
Слайд 73МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
При малых значениях напряжения сток-исток
При малых значениях канал МОП-транзистора эквивалентен
линейному резистору.
Величина – проводимость канала
Сопротивление канала:
Слайд 74МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Режим насыщения МОП-транзистора
Ток стока
Слайд 75МОП-транзистор с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Передаточная характеристика МОП-транзистора
– напряжение отсечки
Слайд 76МОП-транзистор с встроенным каналом
Электротехника и электроника
Слайд 77МОП-транзистор с встроенным каналом
Электротехника и электроника
Выходные характеристики
Слайд 78МОП-транзистор с встроенным каналом
Электротехника и электроника
Передаточная характеристика
Слайд 79Модели МОП-транзисторов
Электротехника и электроника
Квадратиная модель МОП-транзистора
Слайд 80Модели МОП-транзисторов
Электротехника и электроника
Квадратичная модель МОП-транзистора
или
Слайд 81Усилитель на полевом транзисторе
с управляющим p–n-переходом
Электротехника и электроника
Слайд 82Усилитель на МОП-транзисторе
с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Слайд 83Усилитель на МОП-транзисторе
с индуцированным каналом
Электротехника и электроника
Схема замещения для
режима малого сигнала
Выходное напряжение
Коэффициент усиления переменной составляющей напряжения
Слайд 84Усилители
Электротехника и электроника
Классификация усилителей
1.По диапазону усиливаемых частот
– усилители низких частот (УНЧ), усилители постоянного тока (УПТ), усилители
высоких частот (УВЧ), избирательные усилители.
2.По функциональному назначению – усилители напряжения, тока, мощности.
3.По характеру усиливаемого сигнала – усилители непрерывных и импульсных сигналов.
Слайд 85Усилители
Электротехника и электроника
Структура усилительного устройства
Слайд 86Усилители
Электротехника и электроника
Параметры усилителей
Основной количественный параметр – коэффициент усиления
(коэффициент
передачи).
Коэффициент усиления напряжения
Коэффициент усиления тока
Коэффициент усиления мощности
Слайд 87Усилители
Электротехника и электроника
Коэффициент передачи усилителя – комплексная функция частоты:
Зависимость
модуля коэффициента усиления от частоты называют амплитудно-частотной характеристикой (АЧХ).
зависимость аргумента
коэффициента усиления от частоты – фазочастотная характеристика (ФЧХ).
Слайд 88Усилители
Электротехника и электроника
Примерный вид амплитудно-частотной характеристики усилителя
Полоса пропускания ограничена частотами
среза и
На частотах среза коэффициент усиления
напряжения составляет , а коэффициент усиления мощности равен .
Слайд 89Усилители
Электротехника и электроника
Логарифмические частотные характеристики
Коэффициент усиления удобно измерять в логарифмических
единицах – децибелах:
Если АЧХ усилителя построена в логарифмическом масштабе, ее
называют логарифмической амплитудно-частотной характеристикой (ЛАЧХ или ЛАХ).
Слайд 90Обратные связи в усилителях
Электротехника и электроника
Обратной связью называют процесс передачи
сигнала из выходной цепи во входную.
Цепь, обеспечивающую эту передачу, называют
цепью обратной связи.
Петля, или контур обратной связи, состоит из прямого пути, образуемого активным элементом, и обратного пути, образуемого цепью обратной связи.
Слайд 91Обратные связи в усилителях
Электротехника и электроника
Пример: усилитель, охваченный цепью обратной
связи
Цепь обратной связи – делитель напряжения, образованный резисторами
, .
Слайд 92Обратные связи в усилителях
Электротехника и электроника
Выходное напряжение усилителя:
Напряжение обратной связи
– коэффициент передачи цепи обратной
связи.
Напряжение на входе усилителя
Слайд 93Обратные связи в усилителях
Электротехника и электроника
Выходное напряжение
Коэффициент передачи усилителя, охваченного
обратной связью,
Произведение – коэффициент петлевого
усиления,
Величина – глубина обратной связи
Слайд 94Дифференциальные усилители
Электротехника и электроника
Дифференциальный усилитель (ДУ) – симметричная схема с
двумя входами и двумя выходами
Слайд 95Дифференциальные усилители
Электротехника и электроника
Сигналы на входе дифференциального усилителя представляют в
виде суммы дифференциальной и синфазной составляющих:
Дифференциальный сигнал равен разности входных
напряжений:
,
а синфазный – их полусумме:
Слайд 96Дифференциальные усилители
Электротехника и электроника
Источник сигнала на входе дифференциального усилителя можно
представить эквивалентной схемой, показанной на рисунке
Слайд 97Дифференциальные усилители
Электротехника и электроника
Параметры дифференциального усилителя
Коэффициент усиления дифференциального сигнала
Коэффициент усиления
синфазного сигнала
Коэффициент ослабления синфазного сигнала:
Слайд 98Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах
Электротехника и электроника
Слайд 99Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах
Электротехника и электроника
Коэффициенты усиления дифференциального сигнала
Для симметричного выхода
Коэффициент усиления синфазного сигнала
Коэффициент ослабления синфазного
сигнала
