desorption yields
I (Ar)=15.75 eV
I (N)= 14.54 eV
N+ + e- →
N* → N + hν(522 nm)N2 - Ar
Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Физическое материаловедение Активационная спектроскопия
Содержание
- 1. Физическое материаловедение Активационная спектроскопия
- 2. Корреляционная спектроскопия при ступенчатом нагревеIsothermic decaymeasurements of
- 3. Принципиальная схема установки для исследования материалов методами
- 4. McKeeverПроцессы возбуждения и стимулированной люминесценции
- 5. I(t)=N0 Pσ exp(- Pσ t),N0 – начальная
- 6. Примеры оптически стимулированной люминесценцииMcKeever, LUMDETR Summer school, 2009
- 7. Оптически стимулированная люминесценция и экзоэлектронная эмиссияArВнешний источник
- 8. Оптически стимулированная экзоэлектронная эмиссия из глубоких и
- 9. Optical fading, retrapping Solid Ar pre-irradiated by
- 10. Слайд 10
- 11. A3u+ X1 g+N2+ + e
- 12. Комбинированная термо- и оптически стимулированная люминесценцияStimulation of
- 13. Эффект лазерно-индуцированной нейтрализации O2-doped Ar icesJ. Phys.
- 14. Anomalous low temperature “post-desorption”Correlation between TSEE, TSL
- 15. Дозовые зависимости релаксационных эмиссий
- 16. Potential curves of Ar2+ and Ar2* and
- 17. Оптически стимулированная десорбция «горячих» молекул аргона
- 18. Накопление зарядаSample thickness – 100 mSubthreshold irradiation!Ee
- 19. Схема установки для исследования материалов методом термостимулированной проводимости
- 20. Система автоматического регулирования температурыСАРТ1 – образец2 –
- 21. Схема измерительной системы1 – образец, 2 –
- 22. Схема автоматизированной установки на основе ПК
- 23. 6H-SiCZ-Q. Fang et alТермостимулированные токи
- 24. Наведенное поглощениеЯ.А. Бояринцева, Автореферат , 2013 «Радіаційно-стимульовані
- 25. Литература:1. Ч.Б. Лущик ЖЭТФ (1956) 3, 390.2.
- 26. Скачать презентанцию
Корреляционная спектроскопия при ступенчатом нагревеIsothermic decaymeasurements of TSEE, TSL and desorption yieldsI (Ar)=15.75 eVI (N)= 14.54 eVN+ + e- → N* → N + hν(522 nm)N2 - Ar
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Корреляционная спектроскопия при ступенчатом нагреве
Isothermic decay
measurements of
TSEE, TSL and
Слайд 3Принципиальная схема установки для исследования материалов
методами термо- и оптикостимулированной
люминесценции
McKeever
Измерение общего выхода
TSL & OSL
Гораздо больше информации
дает измерение спектрально
разрешенной
TSL & OSL
Слайд 5I(t)=N0 Pσ exp(- Pσ t),
N0 – начальная концентрация электронов в
ловушке
P – плотность фотонов,
σ – сечение фотоионизации
P может быть
постоянным, случай “CW-OSL”,P может быть импульсным, случай “POSL”
σ может быть постоянным (при фиксированной длине волны, как в случае “CW-OSL” или “POSL”,
σ может зависеть отвремени, как, например, при сканировании по длинам волн)
Описание оптически стимулированной люминесценции
Кинетика 1 порядка,
Одна ловушка
Для нескольких ловушек интенсивности суммируются
Слайд 7Оптически стимулированная люминесценция и экзоэлектронная эмиссия
Ar
Внешний источник фотонов
Nc=N0g(t)τcexp(-gt),
g(t)=Pσ=const
Ar2++e- Ar2*
Ar+Ar+h (M-band)
N0 – initial concentration of electrons in traps,
P
– photon density, σ – photon-electron interaction cross section, τc – lifetime of electron in the conduction band
LTP, 31 (2005) 179
Слайд 8Оптически стимулированная экзоэлектронная эмиссия из глубоких и мелких ловушек
PSEE –
total yield (curve 1)
Contribution of deep electron
traps to PSEE (curve
2 takenafter annealing).
Yield of PSEE from pre-irradiated
sold Ar doped with O2 under irradiation
by laser light (2.71 eV).
Слайд 9Optical fading, retrapping
Solid Ar pre-irradiated by 500 eV electron
beam
TSEE measurements were performed after exposure to laser
Bleaching of low-temperature
peaks and enhancement of high-temperature ones
Слайд 10
2D 4S (E=2.37 eV )
Nc = N0
g(t)c exp(-gt), g(t)=g0exp(-t/) Оптически стимулированная люминесценция OSL
Characteristic time of the emissions = 20 s ( 4s)
Внутренний источник фотонов!
Слайд 11A3u+ X1 g+
N2+ + e N2* N2
+ h1; N + N N2* N2 + h2
Термостимулированные
реакции нейтрализации и атом-атомной рекомбинации в твердом Ar, допированном N2„hot“ band 31151 cm-1;
„cold“ band 36061 cm-1
Слайд 12Комбинированная термо- и оптически стимулированная люминесценция
Stimulation of electron detrapping
via
radiative transition of O2*
formed under heating of
pre-irradiated sample
.O + O O2* O2 + h
Слайд 13Эффект лазерно-индуцированной нейтрализации
O2-doped Ar ices
J. Phys. Chem. A 115
(2011) 7258
pre-irradiated with 1 keV electron beam
Слайд 14Anomalous low temperature “post-desorption”
Correlation between TSEE, TSL and ALTpD peaks
suggests common primary process triggering these phenomena – release of
electrons from their traps.Crowdion mechanism of energy transport to the surface.
Crowdion /b = 2.76 (b is the interatomic distance)
parameters m = 0.3 (in units of the atomic mass)
The crowdion energy in Ar Es = 0.3 eV.
V.D. Natsik, S.N. Smirnov, and Y.I. Nazarenko,
Low Temp. Phys. 27 (2001) 1295.
Слайд 16Potential curves of Ar2+ and Ar2*
and relaxation paths
Ar2+ +
e → Ar2* + ΔE →
Ar + Ar +
hν (VUV)+ ΔE 
Слайд 18Накопление заряда
Sample thickness – 100 m
Subthreshold irradiation!
Ee = 500 eV
Current
density – 30 Acm-2
Irradiation time – 20 min
Heating mode –
linearSpeed of heating – 3.2 Kmin-1
Observation of TSEE at negative
potential at Faraday plate suggests
accumulation of excess electrons
Ar
Слайд 20Система автоматического регулирования температуры
САРТ
1 – образец
2 – датчик температуры
3 –
устройство, задающее Т
4 – пульт оператора
5 – устройство сравнения
6 –
вычислительное устройство7 – исполнительное устройство
8 – нагреватель образца
9 – корректирующее устройство
10 – устройство индикации
Слайд 21Схема измерительной системы
1 – образец, 2 – подложка, 3 –
измерительная камера, 4,5 – термопары, 6 – терморегулятор, 7 –
сосуд со льдом, 8,9 – устройства нагрева и охлаждения, 10 – потенциометр, 11 – электрометрический усилитель, 12 – измерительное сопротивление, 13 – потенциометр, 14 – источник стабилизированного напряжения, К1 – ключ в положении «измерение», К2 - ключ в положении «возбуждение образца»(для поляризации или измерения проводимости).
Слайд 24Наведенное поглощение
Я.А. Бояринцева, Автореферат , 2013 «Радіаційно-стимульовані процеси в діелектричних
матрицях
M1-хRхF2+х (M2+=Cа, Sr, Ba, R3+=Ce, Pr, x=0.35)»
Слайд 25Литература:
1. Ч.Б. Лущик ЖЭТФ (1956) 3, 390.
2. J.T. Randall and
M.H.F. Wilkins, Proc. Roy Soc. London (1945) 184, 366, 390.
3.
Ф. Даниельс, Ч. Бойд, Д. Саундерс, УФН (1953) L1, 271.4. D.R. Vij Thermoluminescence in Luminescence of Solids, Plenum Press New York 1998, р. 271-307.
5. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский, Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков, Москва, Наука 1991, с. 243.
6. http://www.xumuk.ru
