Разделы презентаций


Характеристики биполярного транзистора

Цифровые логики на биполярных транзисторахПринципы работы диодно-транзисторной логики.Режимы работы биполярного транзистораТранзисторная и ЭСЛ логика.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Характеристики биполярного транзистора.

Характеристики биполярного транзистора.

Слайд 2Цифровые логики на биполярных транзисторах
Принципы работы диодно-транзисторной логики.
Режимы работы биполярного

транзистора
Транзисторная и ЭСЛ логика.

Цифровые логики на биполярных транзисторахПринципы работы диодно-транзисторной логики.Режимы работы биполярного транзистораТранзисторная и ЭСЛ логика.

Слайд 3Динамический режим работы транзистора.
Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим,

при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт

которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения.
Динамический режим работы транзистора.Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный

Слайд 4Диодно-транзисторная логика.
Инверсия НЕ
Повторение
Конъюнкция И

Диодно-транзисторная логика.Инверсия НЕПовторениеКонъюнкция И

Слайд 5Диодно-транзисторная логика.
Дизъюнкция ИЛИ

Диодно-транзисторная логика.Дизъюнкция ИЛИ

Слайд 6ТС-схемы.

ТС-схемы.

Слайд 7ТТЛ – логика.
В транзисторно-транзисторной логике матрица диодов заменяется интегральным элементом

МЭТ (многоэмиттерным транзистором).
Сложный интегральный элемент позволил увеличить быстродействие, помехоустойчивость,
нагрузочную

способность,
снизить требования к параметрам VT.

Быстродействие элементов ограниченно, относительно высокий уровень помех, трудности согласования элементов низкоомных линий связи, рост мощности потребления при переключении.

Стандартные серии 133, К155, быстродействующие 530, К531
микромощные (с диодом Шоттки) 533, К555

Серия- комплект интегральных схем, имеющих единое схемное и конструктивно-технологическое исполнение.

ТТЛ – логика.В транзисторно-транзисторной логике матрица диодов заменяется интегральным элементом МЭТ (многоэмиттерным транзистором).Сложный интегральный элемент позволил увеличить

Слайд 8ЭСЛ- эмитерно-связная логика.
В эмиттерно-связной логике характеристики и параметры ИС определяются

схематическими, технологическими и конструкторными решениями элементов.
И- НЕ
Токовый переключатель (ТП)
Эмиттерные повторители

(ЭП)

Источник опорных напряжений (ИОН)

ТП

Усиление ВхС по току

Формирование Повторения и Инверсии

Обеспечение помехозащищенности

ЭСЛ- эмитерно-связная логика.В эмиттерно-связной логике характеристики и параметры ИС определяются схематическими, технологическими и конструкторными решениями элементов.И- НЕТоковый

Слайд 9ЭСЛ- эмитерно-связная логика.
Токовый переключатель (ТП)
Эмиттерные повторители (ЭП)
Источник опорных напряжений (ИОН)
ЭП
Усиление

ВыхС по току
Образование ЛФ на выходе
Обеспечение необходимой нагрузочной способности

и совместимости ИС по входу и выходу

ИОН- предназначен для обеспечения ТП заданным опорным напряжением, относительно которого осуществляется переключение транзисторов.

ЭСЛ-логика

ЭСЛ- эмитерно-связная логика.Токовый переключатель (ТП)Эмиттерные повторители (ЭП)Источник опорных напряжений (ИОН)ЭПУсиление ВыхС по токуОбразование ЛФ на выходе Обеспечение

Слайд 10ЭСЛ – логика.
В базовом элементе ЭСЛ соответствует «0» -0,9В, «1»-1,7В
Амплитуда

ЛС – 0,8В, опорное напряжение -1,3В
Напряжение основного источника питания

элемента -5,2В
Нагрузочные резисторы (50, 75 и 100ОМ) вынесены за пределы микросхем, все входы подключаются через 50кОМ.

ИС ЭСЛ-типа отличаются хорошей технологической отработанностью, невысокой стоимостью, высоким быстродействием при средней мощности, и сверхбыстродействие на высокой, низкоомное согласование связи и нагрузки, стабильность динамических параметров, необходимое разнообразие ЛФ, удобство использование в полевых условиях, время задержки 1,5-2 нс.

Главный недостаток – высокая мощность потребления, требующая мощных блоков электропитания и систем охлаждения, вспомогательные источники напряжения для цепей нагрузки.

ЭСЛ – логика.В базовом элементе ЭСЛ соответствует «0» -0,9В, «1»-1,7ВАмплитуда ЛС – 0,8В, опорное напряжение -1,3В Напряжение

Слайд 11Нагревание от 25-65⁰С приводит к уменьшению сопротивления базы и закрытого

коллекторного перехода на 15-20 %
Обратный ток коллектора увеличивается в два

раза при возрастании температуры на 10⁰С
Нагревание от 25-65⁰С приводит к уменьшению сопротивления базы и закрытого коллекторного перехода на 15-20 %Обратный ток коллектора

Слайд 12Лекция закончилась

Лекция закончилась

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика