Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Характеристики биполярного транзистора
Содержание
- 1. Характеристики биполярного транзистора
- 2. Цифровые логики на биполярных транзисторахПринципы работы диодно-транзисторной логики.Режимы работы биполярного транзистораТранзисторная и ЭСЛ логика.
- 3. Динамический режим работы транзистора.Динамическим режимом работы транзистора
- 4. Диодно-транзисторная логика.Инверсия НЕПовторениеКонъюнкция И
- 5. Диодно-транзисторная логика.Дизъюнкция ИЛИ
- 6. ТС-схемы.
- 7. ТТЛ – логика.В транзисторно-транзисторной логике матрица диодов
- 8. ЭСЛ- эмитерно-связная логика.В эмиттерно-связной логике характеристики и
- 9. ЭСЛ- эмитерно-связная логика.Токовый переключатель (ТП)Эмиттерные повторители (ЭП)Источник
- 10. ЭСЛ – логика.В базовом элементе ЭСЛ соответствует
- 11. Нагревание от 25-65⁰С приводит к уменьшению сопротивления
- 12. Лекция закончилась
- 13. Скачать презентанцию
Цифровые логики на биполярных транзисторахПринципы работы диодно-транзисторной логики.Режимы работы биполярного транзистораТранзисторная и ЭСЛ логика.
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Цифровые логики на биполярных транзисторах
Принципы работы диодно-транзисторной логики.
Режимы работы биполярного
транзистора
Слайд 3Динамический режим работы транзистора.
Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим,
при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт
которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения.
Слайд 7ТТЛ – логика.
В транзисторно-транзисторной логике матрица диодов заменяется интегральным элементом
МЭТ (многоэмиттерным транзистором).
Сложный интегральный элемент позволил увеличить быстродействие, помехоустойчивость,
нагрузочную
способность, снизить требования к параметрам VT.
Быстродействие элементов ограниченно, относительно высокий уровень помех, трудности согласования элементов низкоомных линий связи, рост мощности потребления при переключении.
Стандартные серии 133, К155, быстродействующие 530, К531
микромощные (с диодом Шоттки) 533, К555
Серия- комплект интегральных схем, имеющих единое схемное и конструктивно-технологическое исполнение.
Слайд 8ЭСЛ- эмитерно-связная логика.
В эмиттерно-связной логике характеристики и параметры ИС определяются
схематическими, технологическими и конструкторными решениями элементов.
И- НЕ
Токовый переключатель (ТП)
Эмиттерные повторители
(ЭП)Источник опорных напряжений (ИОН)
ТП
Усиление ВхС по току
Формирование Повторения и Инверсии
Обеспечение помехозащищенности
Слайд 9ЭСЛ- эмитерно-связная логика.
Токовый переключатель (ТП)
Эмиттерные повторители (ЭП)
Источник опорных напряжений (ИОН)
ЭП
Усиление
ВыхС по току
Образование ЛФ на выходе
Обеспечение необходимой нагрузочной способности
и совместимости ИС по входу и выходу ИОН- предназначен для обеспечения ТП заданным опорным напряжением, относительно которого осуществляется переключение транзисторов.
ЭСЛ-логика
Слайд 10ЭСЛ – логика.
В базовом элементе ЭСЛ соответствует «0» -0,9В, «1»-1,7В
Амплитуда
ЛС – 0,8В, опорное напряжение -1,3В
Напряжение основного источника питания
элемента -5,2ВНагрузочные резисторы (50, 75 и 100ОМ) вынесены за пределы микросхем, все входы подключаются через 50кОМ.
ИС ЭСЛ-типа отличаются хорошей технологической отработанностью, невысокой стоимостью, высоким быстродействием при средней мощности, и сверхбыстродействие на высокой, низкоомное согласование связи и нагрузки, стабильность динамических параметров, необходимое разнообразие ЛФ, удобство использование в полевых условиях, время задержки 1,5-2 нс.
Главный недостаток – высокая мощность потребления, требующая мощных блоков электропитания и систем охлаждения, вспомогательные источники напряжения для цепей нагрузки.
Слайд 11Нагревание от 25-65⁰С приводит к уменьшению сопротивления базы и закрытого
коллекторного перехода на 15-20 %
Обратный ток коллектора увеличивается в два
раза при возрастании температуры на 10⁰С
