МОП структура

транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами (от

слов «металл-оксид-полупроводник»

индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом

МДП-транзистора со встроенным каналом.

каналом p-типа,
 б) – n-типа.

более общем случае — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии

КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний).

КМОП транзисторы

                                                                  
Статический КМОП инвертор

одной горизонтальной плоскости, поэтому инжектированные в базу неосновные носители перемещаются

не перпендикулярно поверхности кристалла, а вдоль нее. Такие транзисторы называются торцевыми (латеральными). При изготовлении торцевых

перемещаются в направлении, перпендикулярном поверхности кристалла). Все три области p-n-p

- транзистора (коллектор, база и эмиттер) формируются путем диффузии. Такие комплементарные структуры сложны в изготовлении из-за высоких требований точности концентрации легирующих примесей. Однако транзисторы, изготовленные по такой технологии, имеют больший, чем транзисторы с горизонтальной структурой козффициент передачи тока базы и и высокое напряжение пробоя коллекторного перехода.

функцию И-НЕ, работают комплементарные полевые транзисторы. Транзисторы с каналом р-типа

(VT1, VT2) подключены к положительному проводнику источника питания, а с каналом N-типа (ѴТЗ, ѴТ4) соединены последовательно. Передаточная характеристика элемента приведена на рис. 6. При входном напряжении 2 В и менее транзисторы VT1 и ѴТ2 открыты, так как напряжение на участках затвор — исток (при напряжении питания 9 В) составляет не менее 7 В.

транзисторов ѴТЗ и ѴТ4 оказывается недостаточным для их открывания, поэтому

на выходе элемента будет напряжение, почти равное напряжению питания, т. е. около 9 В (рис. 4, точка а). По мере увеличения входного 'напряжения транзисторы ѴТЗ, ѴТ4 начинают открываться, a VT1, ѴТ2 закрываться. На участке а—б этот процесс происходит сравнительно плавно, на участке б—в он ускоряется, в результате чего крутизна передаточной характеристики резко возрастает и по коэффициенту усиления соответствует 20 ... 26 дБ. В точке в транзисторы VT1 и ѴТ2 почти полностью закрыты, a ѴТЗ и ѴТ4 открыты. Выходное напряжение в этом случае невелико и при увеличении входного напряжения до напряжения источника питания оно стремится к нулю.