Память 1

на чтение
Потребляемая мощность в режиме хранения
Потребляемая мощность в режиме доступа

US Census Bureau
during 1879-82
Патент 1889 года

до 1000 карт в минуту
IBM punched card
Способ записи — механический,
Способ

считывания — оптический.

Punched Сard

считывания — до 1500 байт/с
Punched Tape
Способ записи — механический,
Способ считывания — оптический.
Последовательное

считывание

? байт/с
Способ записи — механический,
Способ считывания — механический.
Vinyl

(Gerd Binning) и Генрихом Рорером (Heinrich Rohrer) из лаборатории IBM

в Цюрихе в 1981 году. Нобелевская премия по физике за 1986 год.

z

 

 

Система автоматического регулирования поддерживает I=const.

Образец должен обладать электрической проводимостью

Si(111)
3D STM изображение Si(001)
http://www.sandia.gov/surface_science/stm
http://www.nrel.gov/pv/measurements/scanning_tunneling.html

года учёные из IBM Research показали самый маленький в мире

мультфильм нарисованный атомами молекулами окиси углерода (CO) на медной поверхности.

Movie

создан в 1982 году Гердом Биннигом, Кельвином Куэйтом и Кристофером

Гербером в США, как модификация изобретённого ранее сканирующего туннельного микроскопа.

Может использоваться для определения рельефа непроводящих тел.

(СТМ).
Scanning Tunneling Microscope (STM).
Минимальный размер ячейки для записи 1 бита

– 12 атомов

Возможное будущее

Время доступа?

множество кантилеверов для параллельного доступа.

Запись
Запись “1”: игла нагревается до 400

C (выше температуры плавления) и вдавливается в поверхность; игла извлекается после охлаждения.
Запись “0”: игла нагревается до 400 C и вдавливается в поверхность; игла извлекается горячей, под действием поверхностного натяжения углубление затягивается.
Чтение

Игла нагревается до 300 С (ниже температуры плавления) и выставляется в необходимую точку. Измеряется температура кантилевера.
Чтение “1”. Если игла попала в углубление он остывает быстро. Измеряется сопротивление считывающего резистора.
Чтение “0”. Если игла попала попал на плоскость он остывает медленно. Измеряется сопротивление считывающего резистора.

 cantilever — кронштейн, консоль

Achieve stability of HDD and speed of DRAM…

премия за открытие GMR за 2007. Albert Fert и Peter

Grünberg

10TB Drives With Laser Heat

4TB

Вес: 910kg ► 48g

Цена: $15k/MB ► $0,0001/MB

Время доступа: 100 ms

► 3ms

перемагничивания других колец тока недостаточно!
Ток подается только в одну строку

и один столбец

Память с произвольным доступом (RAM)

строку подается полный ток J, достаточный для перемагничивания
Отслеживаются наведённые импульсы

тока на колонках.
Импульсы наведенного тока возникают только в колонках где есть перемагничивание. Читается вся строка сразу.

Память с произвольным доступом (RAM)

типом компьютерной памяти с середины 1950-х и до середины 1970-х

годов

A 10.8×10.8 cm plane of magnetic core memory with 64 x 64 bits (4 Kib), as used in a CDC 6600. Inset shows word line architecture with 2 wires per bit

plane storing 1024 bits of data.
Ферритовая память с дополнительными линиями

чтения и запрета.

х годов

(GMR)

MRAM

Сов­мест­ное пред­при­я­тие «Рос­на­но» и Crocus Technology, ком­па­ния «Кро­кус На­но­элек­тро­ни­ка» при­сту­пи­ла

к про­из­вод­ству маг­ни­то­ре­зи­стив­ной па­мя­ти (MRAM). Про­из­вод­ство раз­ме­ще­но на тер­ри­то­рии тех­но­по­ли­са «Москва» на тер­ри­то­рии быв­ше­го АЗЛК. «Кро­кус На­но­элек­тро­ни­ка» стала пер­вым ре­зи­ден­том бу­ду­ще­го мик­ро­элек­трон­но­го кластера.

Про­дук­ция про­ек­та, ос­но­ван­ная на MRAM и тех­но­ло­гии MLU (Magnetic-Logic-Unit — «маг­нит­ная ло­ги­че­ская ячей­ка»), раз­ра­бо­тан­ной Crocus Technology сов­мест­но с IBM, может ис­поль­зо­вать­ся в смарт-кар­тах, се­те­вых ком­му­та­то­рах, устрой­ствах био­мет­ри­че­ской аутен­ти­фи­ка­ции, ком­му­ни­ка­ци­он­ных устрой­ствах ма­ло­го ра­ди­у­са дей­ствия и за­щи­щен­ной па­мя­ти. Ожи­да­ет­ся, что объем об­ще­го рынка при­ме­не­ний про­дук­ции про­ек­та в 2014 году пре­вы­сит 8 млрд долл.

Пер­вая оче­редь про­из­вод­ства «Кро­кус На­но­элек­тро­ни­ка ста­нет пер­вым в мире про­из­вод­ством MRAM с про­ект­ны­ми нор­ма­ми 90 нм. К концу 2014 года его про­из­во­ди­тель­ность со­ста­вит 500 пла­стин в неде­лю.