Усилители на биполярных транзисторах

Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся

типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»).

направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)

Инверсный активный

режим

Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).

Режим отсечки

В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).

схемы подключения транзистора:  с общей базой (рис. 5.6; 5.9), с

общим эмиттером (рис. 5.7; 5.10), с общим коллектором (рис. 5.8; 5.11).

и выходных цепей от отдельных источников питания, а на рисунках

5.9-5.11 – с питанием входных и выходных цепей транзистора от одного источника постоянного напряжения.

Усилители на биполярных транзисторах

C общим эмиттером

работы транзистора при изменении температуры используют схемы коллекторной (рис. 5.12,

5.13) и эмиттерной (рис. 5.14, 5.15) стабилизации режима работы транзистора.

Усилители на биполярных транзисторах

эмиттерная температурная стабилизация режима работы транзистора. На рисунках 5.14 и

5.15 приведены схемы однокаскадных усилителей на биполярных транзисторах n-p-n и p-n-p типов с эмиттерной температурной стабилизацией режима работы транзистора.

Усилители на биполярных транзисторах

между транзисторами (рис. 5.16). Такие усилители применяются в качестве входных

усилителей низкой частоты, в качестве антенных усилителей телевизионного сигнала и др.

Усилители на биполярных транзисторах

транзисторах
График зависимости статического коэффициента усиления тока базы
транзистора КТ315 от температуры