Разделы презентаций


3-ТВЕРДОЕ ТЕЛО.ppt

Содержание

Среднее расстояние между частицамиVν = 22.4 л 1 моль ⇒ NA = 6.02⋅1023 частицКристалл, жидкость жидкость - бром (Br2) d Br2 ~ 4.5 А

Слайды и текст этой презентации

Слайд 13.ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВАХ и жидкостях
3.1 Агрегатные состояния




твердое

тело Екин < Есвязи
жидкость
Екин≈ Есвязи
(расстояние между частицами сравнимо

с их диаметрами)

газ
Екин>Есвязи

3.ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВАХ и жидкостях 3.1 Агрегатные состояниятвердое тело Екин < Есвязижидкость Екин≈ Есвязи (расстояние

Слайд 2Среднее расстояние между частицами
Vν = 22.4 л
1 моль ⇒

NA = 6.02⋅1023 частиц
Кристалл, жидкость
жидкость - бром (Br2)


d

Br2 ~ 4.5 А
Среднее расстояние между частицамиVν = 22.4 л 1 моль ⇒ NA = 6.02⋅1023 частицКристалл, жидкость жидкость -

Слайд 3Полярность связи
Дипольный момент
(мера полярности связи)
μ = δ ⋅ l
[Кл⋅м],

Дебай (D)
1 D = 3,33⋅10-30 Кл⋅м
Диполь
μи –индуцированный(наведенный) дип.момент
α -

коэффициент поляризуемости (поляризуемость)
Е – напряженность электрического поля

Поляризуемость молекул

3.1 Межмолекулярное взаимодействие

Полярность связиДипольный момент(мера полярности связи)μ = δ ⋅ l[Кл⋅м],  Дебай (D)1 D = 3,33⋅10-30 Кл⋅м Дипольμи

Слайд 4Дипольный момент молекул

Дипольный момент молекул

Слайд 5Силы Ван-дер-Ваальса (межмолекулярного взаимодействия)
1. Ориентационный эффект (Кьезома) (взаимодействие(притяжение) пост.диполь – пост.диполь)


2. Индукционный эффект (Дебая ) (взаимодействие постоянный диполь – наведенный(индуцированный)

диполь).

3. Дисперсионный эффект (Лондона) (взаимодействие мгновенных диполей).

α

Силы Ван-дер-Ваальса (межмолекулярного взаимодействия)1. Ориентационный эффект (Кьезома) (взаимодействие(притяжение) пост.диполь – пост.диполь) 2. Индукционный эффект (Дебая ) (взаимодействие

Слайд 6Относительный вклад каждой составляющей в энергию межмолекулярного взаимодействия для различных

молекул

Относительный вклад каждой составляющей в энергию межмолекулярного взаимодействия для различных молекул

Слайд 7Водородная связь
- Особый тип межмолекулярного взаимодействия
1. r
χO,F,N –

max - сильная поляризация связи
3. частично ковалентная связь по

донорно-акцепторному механизму

Энергия водородн.связи~100 кДж/моль (силы Ван-дер-Ваальса~10-20 кДж/моль)

Пример: HF образование ассоциатов или цепей



Водородная связь - Особый тип межмолекулярного взаимодействия 1. rχO,F,N – max  - сильная поляризация связи3. частично

Слайд 8Молекула воды H2O-(4 водородн.связи)

Молекула воды H2O-(4 водородн.связи)

Слайд 93.2 Твердые тела Екин < Есвязи
по характеру распределения частиц в пространстве

3.2 Твердые тела Екин < Есвязипо характеру распределения частиц в пространстве

Слайд 103.3 Кристаллы (тела, которые вследствие строго определенного внутр.строения имеют самопроизвольно

образующуюся форму, ограниченную плоскими гранями)
Кристаллическая решетка

а - постоянная решетки(размер)

3.3 Кристаллы  (тела, которые вследствие строго определенного внутр.строения имеют самопроизвольно образующуюся форму, ограниченную плоскими гранями)Кристаллическая решеткаа

Слайд 11Элементарные ячейки -структурные единицы кристалла
7 классов (сингоний) ячеек, которым соответствуют кристалл.решетки
1.

триклинная(самая несимметр.решетка)
(a≠b≠c α ≠ β ≠ γ ≠90°)
…………..
7. кубическая(самая

симметричная)
(a=b=c α = β = γ =90° )

Кубические элементарные ячейки

14 типов элементарных ячеек
Координационное число(КЧ)-число ближайших соседних частиц

Элементарные ячейки -структурные единицы кристалла7 классов (сингоний) ячеек, которым соответствуют кристалл.решетки1. триклинная(самая несимметр.решетка) (a≠b≠c 	α ≠ β

Слайд 12Анизотропия свойств монокристалла; полиморфизм(аллотропические модификации)
-зависимость физико-химических свойств кристалла от выбранного

направления в нем(кристаллографической ориентации); - существование различных типов кристалл.решеток одного

и того же вещества при различных внешних условиях(Т, Р)


Анизотропия свойств монокристалла; полиморфизм(аллотропические модификации)-зависимость физико-химических свойств кристалла от выбранного направления в нем(кристаллографической ориентации); - существование различных

Слайд 13Плотнейшая упаковка


1-2-1-2…. ГПУ(гексагональная)

1-2-3-1-2-3… КПУ(кубическая)

Плотнейшая упаковка1-2-1-2….   ГПУ(гексагональная)1-2-3-1-2-3…  КПУ(кубическая)

Слайд 143.4 Типы кристаллов
молекулярные

ионные

металлические

Ковалентные(атом-ные)
Типы химической связи в

кристаллах
Расположение атомов

3.4 Типы кристалловмолекулярные ионные металлические Ковалентные(атом-ные) Типы химической связи в кристаллахРасположение атомов

Слайд 15Ковалентные(атомные) кристаллы (образуют атомы с одинаковой или близкой электроотрицательностью за счет

ковалентной связи; число связей атома определяется его валентностью)
Пример: углерод -

С 2s2 2p2

1) алмаз - sp3 - гибридизация

Si, Ge
ns2 np2

Карборунд(карбид кремния
С 2s2 2p2
Si 3s2 3p2

нитрид бора(4-я связь по дон.акцепт.механизму
B 2s2 2p1
N 2s2 2p3

арсенид галлия
Ga 4s24p1 
As 4s24p3

Ковалентные(атомные) кристаллы (образуют атомы с одинаковой или близкой электроотрицательностью за счет ковалентной связи; число связей атома определяется

Слайд 16ковалентные кристаллы
2) графит - sp2 - гибридизация
С 2s2 2p2


3 - sp2 + 1- р
3) карбин -

sp - гибридизация

rсв=1.4А

С 2s2 2p2
2 - sp + 2- р

rсв=3.4 А

ковалентные кристаллы2) графит -  sp2 - гибридизацияС 2s2 2p2 3 - sp2 + 1- р 3)

Слайд 17молекулярные кристаллы (молекулы в узлах кристаллической решетки)
силы Ван-дер-Ваальса
rI2-I2 = 3.60 А
rI2-I2

= 4.40 А
кристалл I2
rI-I = 2.67 А - σ-связь

молекулярные кристаллы (молекулы в узлах кристаллической решетки)силы Ван-дер-ВаальсаrI2-I2 = 3.60 АrI2-I2 = 4.40 Акристалл I2rI-I = 2.67

Слайд 18Ионные кристаллы
χB - χA > 2.1
A + B →

A+ B−
А - постоянная Маделунга
n – коэффициент борновского отталкивания

Ионные кристаллы χB - χA > 2.1A + B → A+ B−А - постоянная Маделунгаn – коэффициент

Слайд 19Энергия кристаллической решетки

Энергия кристаллической решетки

Слайд 20Хим.связь в металлических кристаллах
χA ≡ χB –ков.кристалл; КЧ 8-12-ионн.кристалл


плотнейшая упаковка
металлические орбитали
метод валентных связей (2-мерный кристалл К)
К0 4s13d04р0


К− 4s13d14р0
К+ 4s03d04р0

Резонансные структуры

Хим.связь-суперпозиция резонансов. Связь(валентные электроны) делокализована в пространстве. Максимальная металлическая валентность 6 – максимальное число s-, p- и d- гибридных орбиталей

Хим.связь в металлических кристаллахχA ≡ χB –ков.кристалл; КЧ 8-12-ионн.кристалл   плотнейшая упаковкаметаллические орбиталиметод валентных связей (2-мерный

Слайд 21Металлы

Металлы

Слайд 22Температура плавления элементов 4 периода

Температура плавления элементов 4 периода

Слайд 233.5 Зонная модель кристалла
Подобна методу МО для кристаллов


- число МО

равно числу АО
- принцип Паули

3.5 Зонная модель кристаллаПодобна методу МО для кристаллов- число МО равно числу АО - принцип Паули

Слайд 24Энергетическая диаграмма

Энергетическая диаграмма

Слайд 25Металлы
Nē~NА - const
Eg < 0,08 эВ
при Т↑ ⇒ μ↓

⇒ σ ↓

МеталлыNē~NА - const Eg < 0,08 эВпри Т↑ ⇒ μ↓	 ⇒ σ ↓

Слайд 26Eg > 3 эВ
Nē = 0 ⇒ σ

= 0

Диэлектрики

Eg > 3 эВNē = 0   ⇒ σ = 0 Диэлектрики

Слайд 27Полупроводник
0,08 эВ < Eg < 3 эВ
при T=0 K

Nē; Nр = 0

⇒ σ(T=0 K) = 0

σ = ē⋅μē⋅Nē + ē⋅μр⋅Nр

при T>>0 K Nē; Nр ↑ f(T) ⇒ σ(T) ↑ f(T)

Полупроводник 0,08 эВ < Eg < 3 эВпри T=0 K 	      Nē;

Слайд 283.6 Кристаллические материалы (с.99 уч.пос., ч.I)
Дефекты кристаллической решетки
Электронные: ē-р

(А−- А+); ex0 (А*)
Точечные:

собственные
вакансии(отсутствие частицы в узле решетки; межузельные

атомы или ионы

Линейные дефекты: (дислокации)-линии вдоль которых нарушено правильное чередование атомных плоскостей(краевые, винтовые)

3.6 Кристаллические материалы (с.99 уч.пос., ч.I)Дефекты кристаллической решетки Электронные:	 ē-р (А−- А+); ex0 (А*) Точечные:собственныевакансии(отсутствие частицы в

Слайд 29получение
расплав (жидкость),
пар (газ), раствор

получениерасплав (жидкость),пар (газ), раствор

Слайд 303.7 Полупроводники
σ = ē⋅μē⋅Nē + ē⋅μр⋅Nр

3.7 Полупроводникиσ = ē⋅μē⋅Nē + ē⋅μр⋅Nр

Слайд 31примесные полупроводники
Пример – Si (2s22p2)
донор - P (2s22p3)
акцептор - B

(2s22p1)
Электронный тип проводимости (n)
Дырочный тип проводимости (р)

примесные полупроводникиПример – Si (2s22p2)донор - P (2s22p3)акцептор - B (2s22p1)Электронный тип проводимости (n)Дырочный тип проводимости (р)

Слайд 32Метод валентных связей
Собственная проводимость
Полупроводник n-типа
Полупроводник p-типа

Метод валентных связейСобственная проводимостьПолупроводник n-типаПолупроводник p-типа

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика