1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Полевые транзисторы Весна

Лекция 5
Полевые транзисторы
FET (field-effect transistor)
Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов

Чем более мы размышляем, тем более убеждаемся, что ничего не знаем.
Вольтер

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа
n- channel junction FET

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа

drain

source

gate

N-channel FET
(electron-conducting )

drain

source

gate

P-channel FET
(hole-conducting FET)

Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора
с каналом n-типа

Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора с каналом р-типа

Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с каналом n-типа

Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с каналом p-типа

Участки выходной характеристики

Пологая область характеристики Ic=IcНАЧ(1-UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ|
S=dIc/dUЗИ при Uси=const Sнач=2IСнач/UЗИотс при UЗИ=0 S=Sнач(1-UЗИ/UЗИотс)

Крутизна характеристики транзистора с каналом n-типа

Полевые транзисторы с изолированным
затвором ( insulated-gate FET)
МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)
metal-insulator-semiconductor transistor
(MIS insulated-gate transistor)

МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник) metal-oxide-semiconductor MOS
(MOS insulated transistor)

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа

Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа

IcНАЧ

МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа

Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом p-типа

Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным каналом p-типа

Полевой транзистор с индуцированным каналом n-типа
Induced-channel FET

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

Характеристика управления МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа

Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа

Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным каналом

Выходные характеристики МДП-транзистора при различных напряжениях на подложке

Зависимость передаточных характеристик полевых транзисторов от температуры

Задание для самостоятельной работы
Привести примеры транзисторов рассмотренных типов, а также их основные параметры,
систему международных обозначений параметров и характеристик полевых транзисторов