БЛОКИ ПАМЯТИ МПС

полупроводниковой технологии на основе кремния с высокой степенью интеграции компонентов

на кристалле, что определяет их принадлежность к большим интегральным схемам (БИС).
Конструктивно БИС памяти представляет собой полупроводниковый кристалл с площадью в несколько десятков квадратных миллиметров, заключенный в корпус.

(один байт равен восьми битам), которое БИС памяти может хранить

одно­временно
Быстродействие характеризуют временными параметрами, в частности временем цикла записи или считывания
Энергопотребление определяют произведением тока потребления и напряжений источников питания. Нередко для БИС памяти указывают энергопотребление в расчете на один бит.

ОЗУ(RAM) и ПЗУ (ROM)
ОЗУ – оперативные запоминающие устройства
ПЗУ–

постоянные запоминающие устройства

в матрицу накопителя. Элемент памяти (ЭП) может хранить один бит

(О или I) информации. Каждый ЭП имеет свой адрес. Для обращения к ЭП необходимо его «выбрать» с помощью кода адреса, сигналы которого подводят к соответствующим выводам микро­схемы.

определяет информационную емкость микросхемы ОЗУ , т. е. число ЭП

в матрице накопителя, которое можно адресовать: оно равно 2*m. Например, микросхема ОЗУ, у которой число ад­ресных входов равно m= 10, содержит в матрице 2*10= 1024 ЭП, т. е. имеет информационную емкость 1024 бит. (Заметим, что для обозначения числа 2*|0=1024 в вычислительной технике применяют букву К.)

Для управления режимом микросхемы памяти необходим сигнал «Запись-считывание», значение 1

которого определяет режим записи бита информации в ЭП, а 0 — режим считыва­ния бита информации из ЭП.
Такую организацию матрицы накопителя, при которой одновременно можно записывать или считы­вать один бит. называют одноразрядной. Большинство микросхем ОЗУ имеют одноразрядную организацию. Но некоторые из них имеют многоразрядную организацию, иначе называемую, «словарной». У таких микросхем несколько информационных входов и столько же выходов, и поэтому они допускают одновременную запись (считывание) многоразрядного кода, который принято называть «словом».

В микросхемах статических ОЗУ в качестве ЭП применены статические триггеры

на биполярных или МДП-транзисторах
Как известно, статический триггер способен при нали­чии напряжения питания сохранять свое состояние неограничен­ное время. Число состояний, в которых может находиться триггер, равно двум, что и позволяет использовать его для хранения двоичной единицы информации.

электрических конденсаторов, сформированных внутри полупроводникового кристалла. Такие ЭП не могут

дол­гое время сохранять свое состояние, определяемое наличием или отсутствием электрического заряда, и поэтому нуждаются в периодическом восстановлении (регенерации). Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной емкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном ЭП и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле. Однако дина­мические ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в организации принудительной регенерации, и в дополнительном оборудовании, и в усложнении устройств управления.

накопителя. Функции ЭП в микросхемах ПЗУ выполняют перемычки

в виде проводников, диодов или транзисторов между шинами строк и столбцов в накопителе. В такой матрице наличие перемычки соответствует, например, 1, а ее отсутствие — 0. Микросхемы ПЗУ имеют словарную организацию, и поэтому информация считывается в форме многоразрядного кода, т. е. словом

ячейкой памяти (ЯП). Число ЭП в ЯП определяет ее разрядность

п. Каждая ЯП имеет свой адрес, и для обращения к определенной ЯП для считывания из нее информации необходимо к адресным выводам микросхемы подвести сигналы кода, соответствующего данной ячейке адреса. Число ячеек памяти равно 2*m, а информационная емкость микросхемы —2m X n бит.

в основном двумя способами. Один способ заключается в формировании в

накопителе перемычек в местах пересечения строк и столбцов матрицы через маску на заключительной технологической стадии изготовления микро схемы ПЗУ. Такие микросхемы ПЗУ называют масочными.
(ROM)

перемычек в тех пересечениях шин строк и столбцов, куда должен

быть записан 0 или 1, в зависимости от принятого кодирования. В исходном состоянии такая микросхема имеет в матрице перемычки во всех пересечениях строк и столб­цов. Программирование осуществляет пользователь электриче­скими импульсами с помощью устройства для программирования, называемого программатором.
Микросхемы ПЗУ, масочные (ПЗУМ) и программируемые пользователем (ППЗУ), допускают однократное программирова­ние, поскольку оно осуществляется формированием или разруше­нием соединений в матрице. Один из вариантов реализации ПЗУ ориентирован на программирование заданных логических функ­ций. Такие ПЗУ называют программируемыми логическими матрицами (ПЛМ).

(сотни и тысячи циклов) перепрограммирование (репрограммирование). Элементом памяти в

микросхемах репрограммируемых ПЗУ (РПЗУ) является МДП-транзистор, обладающий свойством переходить в состояние проводимости под воздействием импульса программирующего напряжения и сохранять это состояние длительное время

программирования необходимо вытеснить накопленный под затвором заряд. В зависимости от

способа выполнения этой операции микросхемы РПЗУ разделяют на два вида:
со стиранием электрическим сигналом (РПЗУ-ЭС)
и ультрафиолетовым светом (РПЗУ-УФ), которым полупровод­никовый кристалл облучают через специальное окно в крышке корпуса. Микросхемы РПЗУ сохраняют информацию длительное время без питания, т. е. Являются энергонезависимыми.

— матрицы ОЗУ;
РЕ — масочные ПЗУ;
РТ—программируемые ПЗУ;

РР — репрограммируемое ПЗУ со стиранием информации электрическим сигналом;
РФ — репрограммируемое ПЗУ со стиранием информации ультра­фиолетовым светом;
—ИР — регистры.

полупроводниковая, серия 565, ОЗУ, разработка 6, типономинал Б.
КМ1609РР11 —микросхема

общетехнического приме­нения в металлокерамическом корпусе, полупроводниковая, серия 1609, репрограммируемое ПЗУ со стиранием электрическим сигналом, разработка 11.
К573РФ6А — полупроводниковая микросхема обшетехнического применения, серии 573, РПЗУ со стиранием ультрафиолетовым светом, разработка 6, типономинал А.

характеризующие длительности сигналов и интервалов между сигналами,

например сигнала А:
б) параметры, характеризующие взаимный сдвиг сигналов, например сигналов А и В:
tус в А— время установления сигнала В относительно А;
tу В.А.— время удержания сигнала В относительно А;
tсх А.В — время сохранения сигнала А относительно В;
в) время цикла tц— интервал времени между началами (окончаниями) сигналов на одном из управляющих входов, на­пример А, в течение которого микросхема выполняет одну функцию, например запись tц. з n или считывание tц. сч ;
г) время выборки tв— интервал времени между подачей на вход микросхемы заданного сигнала, например А, и получением на выходе данных D:tвА нередко в справочниках приводят несколько зна­чений этого параметра, которые характеризуют задержку выходных сиг­налов относительно раз­ных сигналов управления.