Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Диффузия
Содержание
- 1. Диффузия
- 2. В твердом теле диффузия – процесс активируемого температурой перескока атома из одной потенциальной ямы в другую.
- 3. Законы Фика j = – D grad
- 4. Диффузия из одной полуограниченной области в другуюКраевые
- 5. Диффузия из неограниченного источника примесиN(x,t) = Ns erfc (x/L)
- 6. Диффузия из ограниченного источника примеси
- 7. Диффузия из слоя конечной толщины суперпозиция двух профилей N1–N2
- 8. Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник) При h → 0 интеграл стремится к
- 9. Понятие тонкого и толстого слоя h >
- 10. Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузииТемпература процесса.
- 11. Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводникаПленки
- 12. Диффузия в потоке газа-носителяТвердые источникиБСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3ФСС (nP2O5∙mSiO2)Газообразные источники В2Н6 (диборан)PH3 (фосфин)
- 13. Диффузия в потоке газа-носителя из жидкого источникаBCl3 и BBr3; PCl3Барботер B2O3
- 14. Метод параллельного источникаУстановка твердых планарных источников и
- 15. Двух- и трехмерные точечные источники r -
- 16. Диффузия в прямоугольное окно
- 17. Источники диффузанта Бор (В) В2Н6 (диборан); смесь
- 18. Выбор легирующей примеси Система энергетических уровней, создаваемых
- 19. GeSi
- 20. Отражающая граница
- 21. Связывающая (поглощающая) граница
- 22. Скачать презентанцию
В твердом теле диффузия – процесс активируемого температурой перескока атома из одной потенциальной ямы в другую.
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2В твердом теле диффузия – процесс активируемого температурой перескока атома
из одной потенциальной ямы в другую.
Слайд 4Диффузия из одной полуограниченной области в другую
Краевые условия
N (-∞,t)
= No = const
N (∞,t) = 0
Начальные условия
при t =0
и x → +0, N(x,0) → 0при t =0 и x → -0, N(x,0) → No
Слайд 9Понятие тонкого и толстого слоя
h > 4L – слой
толстый
h < L/4 – слой тонкий
Отражающая и связывающая
границыГраница, поток примеси через которую равен 0 – отражающая.
Граница, концентрация примеси на которой равна 0 – связывающая (поглощающая).
Слайд 10Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии
Температура процесса.
D(T) = Do
exp (- E/kT)
Механические напряжения и сопутствующая им повышенная концентрация дислокаций. Вдоль дислокаций диффузия примеси идет во много раз быстрее, чем в бездефектном материале.
Концентрация диффундирующей примеси.
Концентрация фоновой примеси.
Атмосфера, в которой ведется диффузия примеси.
Ориентация кристалла.
Слайд 11Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника
Пленки металлов, например, Au
или Al, нанесенные методом термического испарения. Толщина пленок определяется требуемым
количеством примеси, которое должно быть введено в полупроводник.Слои легированного оксида кремния или легированного поликремния.
Пленки фоторезистов- диффузантов. В этих пленках обычными методами фотолитографии можно сформировать рисунок областей, подлежащих легированию.
Слайд 12Диффузия в потоке газа-носителя
Твердые источники
БСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3
ФСС (nP2O5∙mSiO2)
Газообразные источники
В2Н6 (диборан)
PH3 (фосфин)
Слайд 14Метод параллельного источника
Установка твердых планарных источников и пластин кремния –
в кварцевой кассете:
1 – кварцевая кассета;
2 – твердые планарные
источники;3 – пластины
BN (нитрид бора)
N2, O2
B2O3
Слайд 15Двух- и трехмерные точечные источники
r - расстояние от источника
диффузанта
m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух-
и трехмерного источниковФормула Пуассона
N(x,y,z,t) = N(x,t)∙N(y,t)∙N(z,t)
Слайд 17Источники диффузанта
Бор (В)
В2Н6 (диборан); смесь (порядка 5%) с
Ar
БСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3
2 B2O3 + 3Si → 3Si02 +
4ВТПИ – BN (нитрид бора)
BCl3 и BBr3
Фосфор (P), мышьяк (As) и сурьма (Sb)
PCl3, оксихлорид фосфора POCl3
PH3 (фосфин); 2 РH3 → 3H2 + 2P
P2O5, ФСС (nP2O5∙mSiO2)
2 Р2О5 + 5Si → 5SiО2 + 4P
Поверхностные источники: ортофосфаты кремния, (NH4)H2PO3, ФСС
ТПИ: нитрид фосфора, фосфид кремния, ФСС, метафосфат алюминия, пирофосфат кремния
Слайд 18Выбор легирующей примеси
Система энергетических уровней, создаваемых данной группой примесей
в запрещенной зоне полупроводника.
Все основные донорные и акцепторные примеси
в кремнии (элементы V и III групп) имеют Еа≈ 0.06 эВ. Исключением является In: Еа≈0.16 эВ от Еv (используется при создании фотоприемных устройств). Примеси, имеющие энергетические уровни, расположенные вблизи середины ЗЗ, например, Au, применяются для снижения времени жизни ННЗ.
Предельная растворимость примеси.
Р (1,5·1021 см-3), As (2·1021 см-3), Sb (5·1019 см-3 ).
B (5·1020 см-3), Al (2·1019 см-3).
Величина коэффициента диффузии.
Наибольший коэффициент диффузии D имеет Al. Заметно уступают ему B и P. Очень велики D у Au и О2.
Технологичность. В первую очередь D в Si и SiО2.
