Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Элементы памяти
Содержание
- 1. Элементы памяти
- 2. Ячейки статической и динамической памятиRAM (Random Access Memory) – память с произвольным доступом.ДинамическаяDRAMСтатическаяSRAMТриггерТранзистор и конденсаторКэш-памятьОперативная память
- 3. Триггер КМОПСчитываниеЗаписьТ1 и Т2 – транзисторымалой мощности.Т3 – имеет мощность большую, чем Т1,Т2 дляобеспечения режимаПереключения.Статическая память
- 4. Динамические ЗУ. Базовая структура запоминающей ячейкиПозволяет на
- 5. Считывание и запись в динамической ячейке памятиКлюч записи нуляКлюч записи единицыПеред считыванием Сл заряжается дополовины Uсс
- 6. Классические ПЗУ – масочные диодные и транзисторныеВыборкасловаВыборка
- 7. Однократно программируемые ПЗУ PROM и EPROM-OTPИнформация однократно
- 8. EPROM и EEPROMОсновной режим - чтение, выполняется
- 9. Структуры транзисторов с с зонами хранения зарядов
- 10. Транзисторы с плавающим затворомИспользуются в ЗУ сультрафиолетовым
- 11. Транзисторы с двумя затворамиПрименяется в ЗУ с
- 12. EEPROMДлительность процесса «стирание –запись» значительно меньше ,
- 13. Флэш- памятьПо основным принципам работы сходна с
- 14. Классификация флэш-памяти1. По физическому принципуТранзисторс плавающимзатворомТранзистор с
- 15. МОП транзистор с плавающим затвором
- 16. Ячейка флэш памяти
- 17. Флэш на ячейках ИЛИ-НЕ (NOR)Полезная приемственность с
- 18. Флэш на ячейках И-НЕ (NAND)В два раза
- 19. Скачать презентанцию
Ячейки статической и динамической памятиRAM (Random Access Memory) – память с произвольным доступом.ДинамическаяDRAMСтатическаяSRAMТриггерТранзистор и конденсаторКэш-памятьОперативная память
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Элементы памяти
Цель: рассмотреть схемы базовых элементов памяти и транзисторов с
плавающим затвором
Слайд 2Ячейки статической и динамической памяти
RAM (Random Access Memory) – память
с произвольным доступом.
Динамическая
DRAM
Статическая
SRAM
Триггер
Транзистор и конденсатор
Кэш-память
Оперативная память
Слайд 3Триггер КМОП
Считывание
Запись
Т1 и Т2 – транзисторы
малой мощности.
Т3 – имеет мощность
большую, чем Т1,Т2 для
обеспечения режима
Переключения.
Статическая память
Слайд 4Динамические ЗУ. Базовая структура запоминающей ячейки
Позволяет на кристалле изготовить в
5 раз больше запоминающих
элементов, чем в статических ЗУ. Поэтому динамические
ЗУ дешевлестатических.
Регенерация заряда емкости через 2-3 миллисекунды.
Считывание разрушает емкость хранения.
Элемент памяти
Конденсатор в структуре кристалла
Слайд 5Считывание и запись в динамической ячейке памяти
Ключ записи нуля
Ключ записи
единицы
Перед считыванием Сл заряжается до
половины Uсс
Слайд 6Классические ПЗУ – масочные диодные и транзисторные
Выборка
слова
Выборка разряда слова по
Ш1
Увеличивают толщину подзатворного окисла.
За счет этого транзистор не включается
при подаче
рабочего напряжения.Программируемые при изготовлении
А
В
Слайд 7Однократно программируемые ПЗУ PROM и EPROM-OTP
Информация однократно записывается потребителем.
Плавкая перемычка
Встречно
включенные диоды
с разными характеристиками
по напряжению пробоя
Плавкая перемычка
Слайд 8EPROM и EEPROM
Основной режим - чтение, выполняется с большой скоростью.
Чтобы
заменить информацию микросхема выводится из рабочего режима и подвергается воздействию
ультрафиолетом или электрическими сигналами. При этом информация удаляется полностью.Основа данных ПЗУ – МОП транзисторы, над каналами которых созданы области – ловушки способные захватывать и удерживать электрический заряд. Репрограммирование это удаление или создание заряда.
Слайд 9Структуры транзисторов с с зонами хранения зарядов MNOS (Metal-nitrid-oxide-semicondaductor)
Отсутствие или
наличие заряда создают
условия хранения 0 или 1.
Заряд записывают, создавая под
затворомнапряженность электрического поля,
достаточную для возникновения тунельного
перехода электронов через слой двуокиси кремния.
Срок хранения до десятков лет. Количество перезаписей до 1000000.
ЛОВУШКА1
Слайд 10Транзисторы с плавающим затвором
Используются в ЗУ с
ультрафиолетовым стиранием
электрической записью.
Запись
0 – записывается путем приложение к
р-n переходу повышенного напряжения и
за счет этого в область плавающегозатвора вводится заряд инжекцией электронов.
за счет этого создается проводящий канал.
ЛИЗМОП транзистор
Отсутствует управление по затвору.
Слайд 11Транзисторы с двумя затворами
Применяется в ЗУ с
электрической записью и
стиранием.
Заряженный электронами плавающий затвор увеличивает пороговое
напряжение транзистора так, что
при подаче рабочего напряженияна затвор транзистор не работает, проводящий канал не образуется.
Программирование - подача высокого
напряжения на затвор и сток.
Стирание – подача низкого напряжения
на затвор и высокого на исток.
Слайд 12EEPROM
Длительность процесса «стирание –запись» значительно меньше , чем у EPROM.
Допускает до 100000 циклов.
Современные EEPROM обладают емкостью до 4 Мбит
и работают на 50 МГц.Стирание – запись единиц
Слайд 13Флэш- память
По основным принципам работы сходна с EEPROM, но имеет
структурные и технологические особенности. Для заряда плавающих затворов используется лавинная
инжекция, а для стирания – тунелирование электронов через тонкий слой диэлектрика (эффект Нордхайма-Фаули).Стирание и программирование производится блоками.
Разработка фирмы Тошиба Япония
Слайд 14Классификация флэш-памяти
1. По физическому принципу
Транзистор
с плавающим
затвором
Транзистор с хранением
уровня зарядов
Транзистор с
зеркальным
битом
1 бит
2 бита
2 бита
2. По схемотехнике
NOR
NAND
3. По способу организации
С не
симметричнымиблоками
С симметричными
блоками
Смешение принципов – 4 бита
Слайд 17Флэш на ячейках ИЛИ-НЕ (NOR)
Полезная приемственность с ЗУ предшествениками
Каждый столбец
–
группа ячеек ИЛИ-НЕ
При работе ячейки столбца – все транзисторы
заперты, кроме
транзистора выбранной строкиДля NOR микросхем размер стираемого блока варьируется
от единиц до сотен кБайт, сектор записи — от единиц до
сотен байт, страница чтения — единицы-десятки байт
Количество циклов до 100000
Время хранения 10-20 лет.
Слайд 18Флэш на ячейках И-НЕ (NAND)
В два раза компактнее, чем флэш
на или-не
Для считывания состояния адресованного
транзистора все остальные должны быть
открыты.Состояние разрядной
линии определяется
состоянием одного
транзистора в
линии.
Микросхема NAND может иметь размер стираемого блока в сотни
кБайт, размер страницы записи и чтения 4 кБайт.
