К 80-летию со дня рождения Мильвидского Михаила Григорьевича 1

Содержание

1. К 80-летию со дня рождения Мильвидского Михаила Григорьевича 1
2. Ленинская премия за организацию первого в стране
3. Заслуженный деятель науки РФЗаслуженный металлург РФ
4. Научный Совет РАН по физике полупроводников и
5. Слайд 5
6. Слайд 6
7. Слайд 7
8. Гиредмет-16/02/2007
9. Возможные стоки для избыточных собственных точечных дефектов
10. Температурная зависимость равновесных концентраций и коэффициентов диффузии
11. Зависимость объёмной плотности оксидных преципитатов, возникающих при
12. Экспериментальное (а) и расчетное (b) распределение СТД
13. Различие между традиционным методом и метода MDZ
14. Быстрый термический отжиг (БТО) Первая стадия: гомогенизирующий
15. Влияние скорости охлаждения на формирование профиля распределения вакансий
16. Схема установки для RTA
17. Распределение фигур травления соответствующие концентрационному профилю вакансий,
18. Зависимость объёмной плотности микродефектов от расстояния от
19. Зависимость объёмной плотности микродефектов в пластинах на
20. Дефектообразование в процессе распада пересыщенного твёрдого раствора кислорода в кремнии
21. Зависимость размеров ЛПДС в образцах КТО и
22. Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах
23. Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах
24. Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах
25. ж) з) Сравнение основных
26. ж) з) Сравнение основных типов
27. Слайд 27
28. Скачать презентанцию

Ленинская премия за организацию первого в стране промышленного производства полупроводникового кремнияГосударственная премия СССР за разработку технологии и организацию производства монокристаллического арсенида галлияГосударственная премия СССР за решение проблемы создания высокоэффективных инжекционных лазеров,

Главная
Разное
К 80-летию со дня рождения Мильвидского Михаила Григорьевича 1

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1К 80-летию со дня рождения
Мильвидского Михаила Григорьевича

Слайд 2Ленинская премия за организацию первого в стране промышленного производства полупроводникового

кремния
Государственная премия СССР за разработку технологии и организацию производства монокристаллического

арсенида галлия

Государственная премия СССР за решение проблемы создания высокоэффективных инжекционных лазеров, светодиодов и фотоприемников на основе твёрдых растворов соединений А3В5

1964 год

1975 год

1984 год

Ленинская премия за организацию первого в стране промышленного производства полупроводникового кремнияГосударственная премия СССР за разработку технологии и

Слайд 3Заслуженный деятель науки РФ
Заслуженный металлург РФ

Слайд 4Научный Совет РАН по физике полупроводников и физико-химическим основам полупроводникового

материаловедения
Учёный Совет Гиредмета
Учёный Совет института Кристаллорафии РАН
Учёный Совет МИСиС
М.Г.

Мильвидский принимал активное участие в подготовке десятков кандидатских и докторских диссертаций

М.Г. Мильвидский является автором открытия, нескольких монографий, более 500 научных публикаций, 130 авторских свидетельств и патентов.

Научный Совет РАН по физике полупроводников и физико-химическим основам полупроводникового материаловеденияУчёный Совет ГиредметаУчёный Совет института Кристаллорафии РАН

Слайд 5

Слайд 6

Слайд 7

Слайд 8Гиредмет-16/02/2007

Слайд 9Возможные стоки для избыточных собственных точечных дефектов в малодислокационных чистых

монокристаллах.
Зависимость концентрации СТД от условий выращивания монокристаллов (после аннигиляции в

процессе охлаждения ). Типы «ростовых» микродефектов, образующиеся в «вакансионных» и «межузельных» кристаллах.

А – поверхность кристалла
В – дислокация
С – вакансионные поры
D – межузельные конгломераты

Возможные стоки для избыточных собственных точечных дефектов в малодислокационных чистых монокристаллах.Зависимость концентрации СТД от условий выращивания монокристаллов

Слайд 10Температурная зависимость равновесных концентраций и коэффициентов диффузии вакансий и собственных

межузельных атомов в кремнии (V.V.Voronkov, R.Falster - 2005)
Параметры при Тпл

Температурная зависимость равновесных концентраций и коэффициентов диффузии вакансий и собственных межузельных атомов в кремнии (V.V.Voronkov, R.Falster -

Слайд 11Зависимость объёмной плотности оксидных преципитатов, возникающих при проведении высокотемпературного теста,

от концентрации вакансий

H. Zimmermann at al 1991

Зависимость объёмной плотности оксидных преципитатов, возникающих при проведении высокотемпературного теста, от концентрации вакансийH. Zimmermann at al 1991

Слайд 12Экспериментальное (а) и расчетное (b) распределение СТД в продольном сечении

монокристалла после завершения процесса рекомбинации вакансий и междоузельных атомов

Экспериментальное (а) и расчетное (b) распределение СТД в продольном сечении монокристалла после завершения процесса рекомбинации вакансий и

Слайд 13Различие между традиционным методом и метода MDZ (Vacancy controlled DZ)

создания бездефектной зоны
COi – концентрация межузельного кислорода
Cv – концентрация

вакансий

R. Falster at al - 1998

Различие между традиционным методом и метода MDZ (Vacancy controlled DZ) создания бездефектной зоныCOi – концентрация межузельного кислорода

Слайд 14Быстрый термический отжиг (БТО)
Первая стадия: гомогенизирующий отжиг 1000оС/15 мин

Вторая стадия: нуклеационный отжиг 650оС/1-32 час
Третья стадия: разращивание зародышей

преципитатов до критического размера 800оС/4 час
Четвёртая стадия: «ростовой» отжиг 1000оС/0,5-16 час

Первая стадия: формирование заданного профиля распределения вакансий 1250оС/20 с
Вторая стадия: образование зародышей преципитатов до критического размера 800оС/4 час
Третья стадия: «ростовой» отжиг 1000оС/1-32 час

Традиционный отжиг (ТО)

Быстрый термический отжиг (БТО) Первая стадия: гомогенизирующий отжиг 1000оС/15 мин Вторая стадия: нуклеационный отжиг 650оС/1-32 час Третья

Слайд 15Влияние скорости охлаждения на формирование профиля распределения вакансий

Слайд 16Схема установки для RTA

Слайд 17Распределение фигур травления соответствующие концентрационному профилю вакансий, сформированному при БТО

(1250С).
Профили распределения по глубине диффузии платины, соответствующие концентрации вакансий.

Распределение фигур травления соответствующие концентрационному профилю вакансий, сформированному при БТО (1250С).Профили распределения по глубине диффузии платины, соответствующие

Слайд 18Зависимость объёмной плотности микродефектов от расстояния от поверхности пластины для

образцов групп 1 и 2 после БТО

традиционная т/о
БТО

Группа 1 – [Oi]=8x1017 cм-3

Группа 2 – [Oi]=5x1017 cм-3

Многоступенчатая термообработка в режиме
1250 °С/25 сек. + 800 °С/4 час. + 1000 °С/16 час.

Зависимость объёмной плотности микродефектов от расстояния от поверхности пластины для образцов групп 1 и 2 после БТО

Слайд 19Зависимость объёмной плотности микродефектов в пластинах на глубине 350 мкм

от длительности ростового отжига при 1000 С (для традиционной и

БТО обработок)

[Oi]=8x1017 cм-3

Зависимость объёмной плотности микродефектов в пластинах на глубине 350 мкм от длительности ростового отжига при 1000 С

Слайд 20Дефектообразование в процессе распада пересыщенного твёрдого раствора кислорода в кремнии

Слайд 21Зависимость размеров ЛПДС в образцах КТО и БТО группы от

размера генерирующих их пластинчатых преципитатов
В образцах группы «БТО» распад пересыщенного

твердого раствора кислорода протекает существенно интенсивней, благодаря созданию на начальном этапе многоступенчатой термообработки высокой концентрации вакансий

Зависимость размеров ЛПДС в образцах КТО и БТО группы от размера генерирующих их пластинчатых преципитатовВ образцах группы

Слайд 22Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на

различной глубине

ж) з)

мелкий пластинчатый
преципитат

(~50 мкм)

крупный пластинчатый
преципитат (≥300 мкм)

Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на различной глубине ж) з) мелкий

Слайд 23Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на

различной глубине

ж) з)

глобулярное ПДС (~50

мкм)

глобулярное ПДС (~300 мкм)

Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на различной глубине ж) з) глобулярное

Слайд 24Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на

различной глубине

ж) з)

линейное ПДС (~50

мкм);

линейное ПДС (~300 мкм);

Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на различной глубине ж) з) линейное

Слайд 25

ж) з)

Сравнение основных типов микродефектов

наблюдаемых в образцах серии БТО на различной глубине
дефект упаковки внедрённого

типа (~50 мкм)

дефект упаковки внедрённого типа (~300 мкм)

ж) з) Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на различной глубинедефект

Слайд 26
ж) з)

Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в

образцах серии БТО на различной глубине
полная дислокационная петля (~50

мкм);

полная дислокационная петля (~300 мкм);

ж) з) Сравнение основных типов микродефектов наблюдаемых в образцах серии БТО на различной глубине полная

Слайд 27

Скачать презентацию

Разделы презентаций

К 80-летию со дня рождения Мильвидского Михаила Григорьевича 1

Содержание

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1К 80-летию со дня рождения Мильвидского Михаила Григорьевича

Слайд 2Ленинская премия за организацию первого в стране промышленного производства полупроводникового

кремнияГосударственная премия СССР за разработку технологии и организацию производства монокристаллического

Слайд 3Заслуженный деятель науки РФЗаслуженный металлург РФ

Слайд 4Научный Совет РАН по физике полупроводников и физико-химическим основам полупроводникового

материаловеденияУчёный Совет ГиредметаУчёный Совет института Кристаллорафии РАН Учёный Совет МИСиСМ.Г.

Слайд 5

Слайд 6

Слайд 7

Слайд 8Гиредмет-16/02/2007

Слайд 9Возможные стоки для избыточных собственных точечных дефектов в малодислокационных чистых

монокристаллах.Зависимость концентрации СТД от условий выращивания монокристаллов (после аннигиляции в

Слайд 10Температурная зависимость равновесных концентраций и коэффициентов диффузии вакансий и собственных

межузельных атомов в кремнии (V.V.Voronkov, R.Falster - 2005)Параметры при Тпл

Слайд 11Зависимость объёмной плотности оксидных преципитатов, возникающих при проведении высокотемпературного теста,

от концентрации вакансийH. Zimmermann at al 1991

Слайд 12Экспериментальное (а) и расчетное (b) распределение СТД в продольном сечении

монокристалла после завершения процесса рекомбинации вакансий и междоузельных атомов

Слайд 13Различие между традиционным методом и метода MDZ (Vacancy controlled DZ)

создания бездефектной зоныCOi – концентрация межузельного кислорода Cv – концентрация

Слайд 14Быстрый термический отжиг (БТО) Первая стадия: гомогенизирующий отжиг 1000оС/15 мин

Вторая стадия: нуклеационный отжиг 650оС/1-32 час Третья стадия: разращивание зародышей