Разделы презентаций


Магнетронды тозаңдыру әдісі презентация, доклад

Содержание

Общие сведения метода Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме.Действие магнетронного распылителя основано на распылении материала мишени-катода при его бомбардировке ионами рабочего газа, образующимися в плазме тлеющего разряда.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Магнетронды тозаңдыру әдісі
Орындағандар:
Асқарұлы

Абдулғафур
Жумадилов Бауыржан

Кулшиев Халил


Тексерген:
Калкозова Жанар Каниевна
Магнетронды тозаңдыру әдісіОрындағандар:      Асқарұлы Абдулғафур      Жумадилов Бауыржан

Слайд 2Общие сведения метода
Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного

распыления мишени в плазме.
Действие магнетронного распылителя основано на распылении материала мишени-катода

при его бомбардировке ионами рабочего газа, образующимися в плазме тлеющего разряда. Основные элементы магнетронной распылительной системы - это катод, анод и магнитная система, предназначенная для локализации плазмы у поверхности мишени – катода. 
На катод подаётся постоянное напряжение от источника питания. Основные преимущества магнетронного способа распыления – высокая скорость нанесение плёнки и точность воспроизведения состава распыляемого материала. 
Общие сведения метода	Магнетронное распыление — технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме.Действие магнетронного распылителя основано на

Слайд 3Технологическая установка
Вакуумный универсиалный пост ВУП-5
Пленки были получены методом магнетронного

распыления. В ходе эксперимента использовались два магнетрона: верхний и нижний.

Технологическая установка Вакуумный универсиалный пост ВУП-5	Пленки были получены методом магнетронного распыления. В ходе эксперимента использовались два магнетрона:

Слайд 4Используемые оборудования в ходе экспериментов
Блок питания постоянного тока модели
ADL-03Z040
Контроллер

расхода газа MCV-500SCCM-D
Вакуумметр ионизационный-термопарный ВИТ-2

Используемые оборудования в ходе экспериментовБлок питания постоянного тока модели ADL-03Z040Контроллер расхода газа MCV-500SCCM-DВакуумметр ионизационный-термопарный ВИТ-2

Слайд 5Рисунок 1 – Схема технологии двух магнетронной системы
1,12 –

магниты; 2,13 – аноды; 3,14 – изолятор; 4 – графитовая

мишень марки МПГ-6; 5 – подложка; 6 –подачa рабочего газа; 7 – откачка газа; 8- заземления, 9- водоохлаждения магнетрона, 10 – контроллер расхода газа; 11 – газовая смесь Ar+H(40%); 15,17 – подача напряжение, 1*2*3*- число магнитов
Рисунок 1 – Схема технологии двух магнетронной системы  1,12 – магниты; 2,13 – аноды; 3,14 –

Слайд 6Схема проведения экспериментов по получению
углеродных пленок
Напыления углерода на кремний
Напыления углерода

на кремний с
буферным слоем меди

Схема проведения экспериментов по получениюуглеродных пленокНапыления углерода на кремнийНапыления углерода на кремний с буферным слоем меди

Слайд 7Процесс напыления углерода на кремниевую подложку

Процесс напыления углерода на кремниевую подложку

Слайд 8Напыления углерода на кремний
Напыления проводилось в атмосфере Аr+H2(40%) и рабочая

давления на камере составило 1*10-2 мм.рт.ст. Скорость потока газа варьировалась

6-8 sccm в зависимости от давления газа к расходомеру. Растояния от катода до подложки во всех экспериментах была равна 3 см. Напряжение на нижнем магнетроне поддерживалось постоянным 500В, в то время как напряжение верхнего магнетрона варьировалось от 150 до 300 В с шагом 50 В. Пленки напылялись на кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111]. Время напыления 3 часа.
Первая серия экспериментов была проведена с использованием всех трех магнитов на верхнем магнетроне. Напряжение верхнего магнетрона была от 150 до 300 В с шагом 50 В. Кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111].
Вторая серия экспериментов была проведена с использованием двух магнитов на верхнем магнетроне. Напряжение верхнего магнетрона была от 150 до 300 В с шагом 50 В. Кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111].
Третья серия экспериментов была проведена с использованием одного магнита на верхнем магнетроне. Напряжение верхнего магнетрона была от 150 до 300 В с шагом 50 В. Кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111].

Напыления углерода на кремний	Напыления проводилось в атмосфере Аr+H2(40%) и рабочая давления на камере составило 1*10-2 мм.рт.ст. Скорость

Слайд 9Процесс напыления углерода на кремния с
буферным слоем меди

Процесс напыления углерода на кремния с буферным слоем меди

Слайд 10Напыления углерода на кремний с
буферным слоем меди
Напыления проводилось в

атмосфере Аr+H2(40%) и робочие давление на камере составило 10-2 мм.рт.ст.

Сначала проводилось напыления буферного слоя меди в течение 15 мин, затем подложку переместили ко второму нижнему магнетрону, для напыления углерода на буферный слой меди, весь процесс напыление проводилось в вакууме. Скорость потока газа варьировалась 6-8 sccm в зависимости от давления газа к расходомеру. Растояния от катода до подложки во всех экспериментах была равна 3 см. Напряжение на нижнем магнетроне поддерживалось постоянным 500В, в то время как напряжение верхнего магнетрона варьировалось от 150 до 300 В с шагом 50 В. Пленки напылялись на кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111]. Время напыления 3 часа.
Первая серия экспериментов была проведена с использованием всех трех магнитов на верхнем магнетроне. Напряжение верхнего магнетрона была от 150 до 300 В с шагом 50 В. Кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111].
Вторая серия экспериментов была проведена с использованием двух магнитов на верхнем магнетроне. Напряжение верхнего магнетрона была от 150 до 300 В с шагом 50 В. Кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111].
Третья серия экспериментов была проведена с использованием одного магнита на верхнем магнетроне. Напряжение верхнего магнетрона была от 150 до 300 В с шагом 50 В. Кремниевые подложки с ориентациями [100] и [111]
Напыления углерода на кремний с буферным слоем меди	Напыления проводилось в атмосфере Аr+H2(40%) и робочие давление на камере

Слайд 11Молекулалы-сәулелі эпитаксия әдісі

Молекулалық-сәулелік эпитаксия (MBE – Molecular Beam Epitaxy) –

бұл жоғарғы вакуум жағдайында материалдарды термиялық тозаңдату әдістемелерінің жетілдірілген түрі.

MBE әдісі берілген қалыңдықтың моноатомдық тегіс гетероқұрылымдарды және берілген легирлеу профилдарымен бірге өсіруге мүмкіндік береді. MBE қондырғысында «in situ» атты камерамен үлгілердің өсу кезіндегі сапасын зерттеуге болады.
MBE әдісінің идеясы8 ші суретте берілген, блок-схемалы технологиялық қондырғының көмегімен түсіндіруге болады. Атомның немесе молекуланың ағындары арқасында сұйық буының немесе қатты материалдың, сублимациясының эффузиондық ұяшықтар генерацияның (I) зонасында құралады. Атомның ( молекулалардың) ағындары төсеніштерге жіберіледі, араласу зонасынан өтіп (II) , және зонаның өсуіне қамалайды, соның нәтижесінде құрамына керек заттардан үлгі құралады.
Молекулалы-сәулелі эпитаксия әдісіМолекулалық-сәулелік эпитаксия (MBE – Molecular Beam Epitaxy) – бұл жоғарғы вакуум жағдайында материалдарды термиялық тозаңдату

Слайд 12MBE қондырғысының бойындағы келесі өсу аймағына кіретінэлементарлық үдерістер (7 суретте):

Адсорбция (жабысқақ) төсенішке атомдар мен молекулардың құралымдардың байланысуын қамтыйды;
• Миграция

(беттікдиффузия) жабысқақ атомдардың төсеніштің бетінде диссоциациалану молекулары (ыдырау) байланысады;
• Гетероструктуралардың тұтастық құрамдас бөлігіндеатомдардың түзілуі, төсеніштіңкристалдық торынанемесе өскелең моноатомдық қабаттың түзілуі;
• Термиялық десорбциялық (үзіп алу) атомдар, кристалдық ауа тартқыштың түзілмеуі;
• Құрылымдану мен екі еселі өсу кристалдарының төсеніште немесе үстіңгі қабатында өсуі;
• Кристалдық құрылымдағы өзара атомдардың араласуы [14].
MBE қондырғысының бойындағы келесі өсу аймағына кіретінэлементарлық үдерістер (7 суретте):• Адсорбция (жабысқақ) төсенішке атомдар мен молекулардың құралымдардың

Слайд 131 – төсеніш, 2 –қабыршақ, 3 – қалқалағыштар,
4 –

негізгі компонентті эффузиондық ұяшықтар, 5 - легирлеуші қоспаның эффузиондық

ұяшығы; I – молекулалық шоқтарының генерациясыныңаймағы, II – шоқтардың араласу аймағы, III – төсеніштің кристалдану аймағы
Сурет 7– MBE қондырғының сызбасы [14]
1 – төсеніш, 2 –қабыршақ, 3 – қалқалағыштар, 4 – негізгі компонентті эффузиондық  ұяшықтар, 5 -

Слайд 14Kaneda және басқалары [15] МВЕ әдісі Si(111) және β-SiC (0001)

төсеніштерінде 1100С-ден жоғары төсеніш температурасында SiС стехиометрия қабыршағын алады. Авторлар

стехиометриялық қабыршақтың адатомдар қатынасы Si:С 1:1 болу керек деген шешім шығарды [17,18].
V. Y. Karasev және басқалар [16] кремний карбиді үлгірлерінМЛЭ әдісімен таза алмастың қабатында алған. Алынған үлгілердің құрылымын уақыттың шынайы көлемінде, температураның өзгеруінде Si төсенішімен ағынын бақылауға болады. Олар уақыттың шынайы көлемінде басқарудың барлық мүмкіндіктерін Si құрылымды үлглерің алмасты төсеніште өзгеріс температурасын, өсуінің жылдамдығын зерттеді.
Andreas Fissel [18] және оның қызметкерлері гексагональды политипті (ἀ-) және кубтық (3C-) құрылымды гетероэпитиксалды SiC құрылымының өсуін бақылады. Бұл жұмыс қаттыфазалы көзді молекулярды-сәулелік эпитаксии әдісі арқылы жасалынды. Төсеніштерде мынандай құрылымдар алынды 4H/3C/4H-SiC (0001) және 6H/3C/6H-SiC (0001) , алғашында бірнеше қабаттың нанометрлерінің 3C-SiC бәсең температурада (1550) содан температураның көтерілгенде ἀ-SiC жоғарғы қабатының бөлігінде 3C- SiC ең жоғарғы температурада (1600 К) алынды. Өскеннен кейін көп аймақтарда, 3C-SiC тұратындар, SiC гексагональды қабатты материалдыңпластиналары табылды. Нәтижесінде гетероструктурлы өсудің бірнешеуі белгілі бір 3C-SiC ἀ-SiC нысанға келтіріледі.
Kaneda және басқалары [15] МВЕ әдісі Si(111) және β-SiC (0001) төсеніштерінде 1100С-ден жоғары төсеніш температурасында SiС стехиометрия

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика