Омский государственный технический университет каф. Электроника

к.т.н. Пономарёв Д.Б.

(3/2)kT
Ek = 0,04 эВ при Т=20 °С
Электропроводность

зонной плавки.
•3. Кристаллизация из газовой фазы с использованием методов сублимации из

газовой фазы и химических транспортных реакций (CdS, ZnS, SiC).

многообразием электрических и физических свойств, а также большим многообразием химического

состава, что и определяет различные назначения при их техническом использовании. По химической природе современные  полупроводниковые материалы можно разделить на 5 основных групп:

Классификация

элемента. Такими материалами являются широко используемые в данное время германий,

кремний, селен, бор, карбид кремния и др.

Классификация

металлов. Главные из них: закись меди, окись цинка, окись кадмия,

двуокись титана, окись никеля и др. В эту же группу входят материалы, изготовляемые на основе титаната бария, стронция, цинка, и другие неорганические соединения с различными малыми добавками.

Классификация

пятой групп системы элементов Менделеева. Примерами таких материалов являются антимониды индия,

галлия и алюминия, т. е. соединения сурьмы с индием, галлием и алюминием. Они получили наименование интерметаллических соединений.

Классификация

А3В5

теллура с одной стороны и меди, кадмия и свинца с

другой. Такие соединения называются соответственно: сульфидами, селенидами и теллуридами.

Классификация

(нафталин, антрацен, виолантрен ) - полимеры с сопряженными связями - природные

пигменты (хлорофилл, -каротин ) - молекулярные комплексы с переносом заряда (донорно - акцепторные системы): бром-антрацен, иод-пирен. - ион-радикальные соли (тетрацианхинодиметан)

Классификация

олигомеры –производные тиофена с р-типом проводимости
Классификация

облучению некоторых органических полупроводников, делает возможным их использование в космосе. -

Создание транзисторов и датчиков, а также других полупроводниковых приборов. - С ними связана перспектива создания сверхпроводников с высокой критической температурой. OLED-телевизоры, OLED-мониторы, OLED-дисплеи, OLED-панели.

Классификация

(аморфные) – Кристаллические (монокристаллические и поликристаллические)
Классификация

γi + γпр.

кремния при комнатной температуре: 1 - кремний, 2 - германий

Кривые на рисунке показывают, что легирующие примеси оказывают огромное влияние на величину удельного сопротивления: у германия оно изменяется от величины собственного сопротивления 60 Ом*см до 10-4 Ом*см, т. е. в 5*105 раз, а у кремния с 3*103 до 10-4 Ом*см, т. е. в 3*109 раз.

In – акцептор
Валентность 3
Электропроводность

собственного полупроводника F(E)

D – коэффициент диффузии;
N – градиент концентрации носителей заряда;
q –

заряд электрона.

Электронно-дырочный (или p-n) переход

p-n переход

под действием излучений.

Он проявляется в изменении концентрации носителей зарядов

в среде и приводит к возникновению 
фотопроводимости или вентильного фотоэффекта.

фотоэффект

WФ > Wg

основан на эффекте фотопроводимости.

Эффект фотопроводимости (фоторезистивный эффект) заключается в

уменьшении электросопротивления полупроводникового материала при освещении.

свинца (PbSe), сернистого кадмия (CdS) и селенистого кадмия (CdSe). Высокая

фоточув-ствительность сульфида и селенида кадмия обеспечивается введением в их состав сенсибилизирующих примесей, способствующих увеличению времени жизни основных носителей заряда. Донорной примесью обычно служит хлор, в качестве акцепторных примесей используются медь или серебро. Существенную роль в механизме проводимости играют также структурные дефекты фоточувствительных полупроводниковых материалов.

при полной защите чувствительного элемента от излучения. В зависимости от

материала фоточувствительного элемента значение Rт составляет (0,022100)×106 Ом.
2. Кратность изменения сопротивления – отношение темнового сопротивления Rт фоторезистора к световому сопротивлению Rсв измеренному при освещенности в 200 лк. Значение отношения Rт/Rсв для различных типов фоторезисторов на основе CdS и CdSe колеблется в широком диапазоне от 3,5 до 1,5×106 (обычно 150...1500), для фоторезисторов на основе PbS значение Rт/Rсв постоянно и равно 1,2 отн. Ед.

котором фоторезистор работоспособен в течение заданного срока службы. Для различных

типов фоторезисторов значение Uр находится в пределах 2100 В.
4. Номинальная мощность рассеяния Рн – максимально допустимая мощ-ность, которую фоторезистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке и температуре окружающей среды, указанной в технической документации, при атмосферном давлении 105 Н/м2 и рабочем напряжении на фоторезисторе. Значение Рн для фоторезисторов невелико и составляет 0,010,35 Вт.

фоторезистор, определяемая при рабочем напряжении и полной защите фоточувствительного элемента

от излучения. Величина Iт = 0,01100 мкА.
6. Световой ток Iсв – величина тока через фоторезистор, определяемая при рабочем напряжении и освещенности 200 лк. Величина Iсв = 0,36 мА.
7. Удельная чувствительность К – это отношение фототока DIф к падающему на фоторезистор световому потоку Ф, лм, и приложенному к нему напряжению U, В:
, (7.17)

где DIф = Iсв – Iт – фототок, равный разности светового и темнового токов, протекающих через фоторезистор. Значение К для различных фоторезисторов составляет от 500 до 600×103 мкА/лм×В.

отнесенную к значению макси-мальной чувствительности, Кmax, от длины волны l

регистрируемого потока излу-чения. Очевидно, S= где – значение фототока, соответст-вующее максимальной чувствительности фоторезистора.
9. Инерционность t – это длительность промежутка времени, в течение которого фототок после включения или выключения источника света увеличивается или уменьшается в 2,73 раза.

, (7.18)

где Iф(0) – значение фототока при постоянном световом потоке, падающем на фоторезистор (fмод = 0).
10. Температурный коэффициент фототока (ТКIф) представляет собой относительное изменение фототока при изменении температуры на 1 градус:

aI,Т = . Значение ТКIф является отрицательной величиной,

поскольку общий фототок уменьшается с увеличением температуры.

Параметры фоторезисторов 4

буквами ФР) в основу обозначения фоторезисторов входил состав материала, из

которого изготовлялся их термочувствительный элемент:
СФ1 – на основе сульфида свинца (ранее обозначались ФСА);
СФ2 – сернисто-кадмиевые (ранее обозначались ФСК);
СФ3 – селенисто-кадмиевые (ранее обозначались ФСД);
СФ4 – на основе селенида свинца.
Далее через дефис указывается номер разработки и вариант конструктивного исполнения.
где Uш – действующее напряжение шума, мкВ.