Молекулалы сәулелік эпитаксия Шоманов Рустем Н АНОМАТЕРИАЛДАР ЖӘНЕ

процессінің аса жетілдірілген технологиясы болып саналады. Оның вакуумды тозаңдандыру әдісінен

айырмашылығы технологиялық процесстің өте жоғары деңгейдегі бақылауымен ерекшеленеді. МСЭ әдісінде жұқа монокристаллды қабаттар қыздырылған монокристаллды подложкаға шоғырланады. Төсеніштің жоғары температурасы атомдардың төсеніш бетімен миграциялануына себеп болады, сол себептен де атомдар белгілі ретпен қатаң орналасады.

кристаллының өсу бағытын шамалаймыз. Эпитаксия процессінің табысты болуы қабықша мен

төсеніш тор параметрлерінің қатынасына және дұрыс таңдалған төсеніш температурасы мен атқылайтын сәуле интенсивтілігіне тәуелді.

құраушы атом мен молекулалар адсорбциясы;
Атомдардың беттік миграциясы және адсорбіленген молекулалар

диссоциациясы;
Бұрын алынған эпитаксиялы қабаттарға немесе төсеніштің кристалл торына атомдардың орнығу процессі;
Кристалл торға енгізілмеген атом және молекулаларды термиялық десорбциялау.

сызбасы.
1- беттік диффузия; 2 - десорбция; 3 – алмасу диффузиясы;

4 – торға бірігу; 5 – беттік агрегация;.

НАНОМАТЕРИАЛДАР ЖӘНЕ НАНОТЕХНОЛОГИЯ

08

1. Қабаттық өсу (layer-by-layer growth). Өсудің бұл түрінде қабықшаның әрбір

жаңа қабаты алдыңғы қабат толық қалыптасып біткен соң ғана отырғызылады. Бұл өсу процессін Франк ван дер Мерв процессі деп те атайды. Ол 3.2а суретте көрсетілген.
2. Аралдық өсу процессі немесе Вольмер – Вебер өсуі (island growth, Vollmer – Weber, VW). Бұл механизм қабаттық өсу процессінің қарама-қарсы нұсқасы болып саналады.
3. Бұл екі өсу процесстерінің арасында Странски – Крастанова өсу процессі жатады. Бұл процессте бірінші қабат төсеніш бетін толық жауып тұрады да, оның үстіне қабықшаның үшөлшемді аралы өседі.