Полупроводники. Собственная проводимость полупроводников. Полупроводниковые

Сопротивление

занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от

проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения.

Наиболее типичными полупроводниками являются германий и кремний.

электрической проводимости с ростом температуры. Вблизи температуры абсолютного нуля полупроводники

имеют свойства диэлектриков.

полупроводников могут быть вызваны освещением ( фотопроводимость ) и действием

сильных электрических полей

Особенности и строение полупроводников

он обладает собственной проводимостью, которая невелика.
Собственная проводимость бывает двух

видов: электронная и дырочная

полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при

увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл.поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.

атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может

перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.

Дырочная ( проводимость " p" - типа )

-типов и называется электронно-дырочной проводимостью.

Механизм проводимости у полупроводников

примесей изменяется число носителей эл.тока - электронов и дырок. Возможность управления

током лежит в основе широкого применения полупроводников.

электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число

свободных электронов в полупроводнике. Это проводники " n " - типа, т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда - электроны, а неосновной - дырки. Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью.

забирая в себя электроны. Это полупроводники " p "- типа, т.е.

полупроводники с акцепторными примесями, где основной носитель заряда - дырки, а неосновной - электроны. Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью.

контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на

дырочную (или наоборот).

зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная

диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой. Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.

Электрические свойства "p-n" перехода

(пропускном) направлении внешнего эл.поля эл.ток проходит через границу двух полупроводников.

Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.

область контакта двух полупроводников проходить не будет. Т.к. электроны и дырки

перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.

Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.

основные элементы выпрямителей переменного тока.