Разделы презентаций


Вводная лекция

Содержание

2011Литература по цифровой схемотехникеДжон Ф. Уэйкерли Проектирование цифровых устройств. В 2 т. М.: Постмаркет. – 1088 с.Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника. – СПб.: БХВ-Санкт-Петербург, 2000. – 528 с.Лебедев О.Н. Применение микросхем памяти

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Вводная лекция

Вводная лекция

Слайд 22011
Литература по цифровой схемотехнике
Джон Ф. Уэйкерли Проектирование цифровых устройств. В

2 т. М.: Постмаркет. – 1088 с.
Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника.

– СПб.: БХВ-Санкт-Петербург, 2000. – 528 с.
Лебедев О.Н. Применение микросхем памяти в электронных устройствах: Справ. пособие. – М. : Радио и связь, 1994. – 216 с. : ил.
Федорков Б.Г., Телец В.А. Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение.– М.: Энергоатомиздат, 1990.– 320 с.: ил.
2011Литература по цифровой схемотехникеДжон Ф. Уэйкерли Проектирование цифровых устройств. В 2 т. М.: Постмаркет. – 1088 с.Угрюмов

Слайд 32011
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств: Справочник/ В.В. Баранов, Н.В. Бекин, А.Ю. Гордонов

и др. Под ред. А.Ю.Гордонова и Ю.Н. Дьякова. М.: Радио

и связь, 1986. – 360 с.
Большие интегральные микросхемы запоминающих устройств: Справочник/ А.Ю. Гордонов, Н.В. Белин, В.В. Цыркин и др.; Под. Ред. А.Ю. Гордонова и Ю.Н. Дьякова. – М. : Радио и связь, 1990. – 288 с.: ил.

2011Полупроводниковые БИС запоминающих устройств: Справочник/ В.В. Баранов, Н.В. Бекин, А.Ю. Гордонов и др. Под ред. А.Ю.Гордонова и Ю.Н.

Слайд 42011
Литература по ПЛИС
Максфилд К. Проектирование на ПЛИС. Курс молодого бойца.

М.: Изд.дом "Додэка-ХХІ", 2007. – 408 с.
Грушвицкий Р.И., Мурсаев А.Х.,

Угрюмов Е.П. Проектирование систем на микросхемах программируемой логики. СПб.: БХВ-Петербург, 2002. – 608 с.
Стешенко В.Б. ПЛИС фирмы "Altera": элементная база, система проектирования и языки описания аппаратуры. М.: Изд. дом "Додэка-ХХІ", 2002. – 576 с.
Кнышев Д.А., Кузелин М.О. ПЛИС фирмы "Xilinx": описание, структуры основных семейств. М.: Изд.дом "Додэка-ХХІ", 2001. – 240 с.
2011Литература по ПЛИСМаксфилд К. Проектирование на ПЛИС. Курс молодого бойца. М.: Изд.дом

Слайд 52011
Структура курса
Лекции: 32 часа
Практические занятия: 16 часов
Лабораторные работы: 32 часа
Курсовой

проект.
Экзамен.

Окончание семестра: 1 января 2012 г.
Последний срок сдачи курсовой: 9

января 2012 г.
2011Структура курсаЛекции: 32 часаПрактические занятия: 16 часовЛабораторные работы: 32 часаКурсовой проект.Экзамен.Окончание семестра: 1 января 2012 г.Последний срок

Слайд 62011
Промежуточный контроль
Раз в неделю (максимум в воскресенье до 21.00) сдается

отчет в объеме до ¼ страницы по выполненной работе.
Отчет служит

для контроля наличия движения.
Отсутствие отчета ведет к снижению оценки.
Сухой остаток.
Отчет сдается: в бумаге в пятницу или на почту Sergey.Ivanets@gmail.com
2011Промежуточный контрольРаз в неделю (максимум в воскресенье до 21.00) сдается отчет в объеме до ¼ страницы по

Слайд 72011
Классификация ЗУ
Тут большие длинные рассказы с картинками.
Нужно оставить страничку

чистую.

2011Классификация ЗУ Тут большие длинные рассказы с картинками.Нужно оставить страничку чистую.

Слайд 82011
Классификация ЗУ
ОЗУ делят на:
Статические RAM.
Динамические DRAM.
ПЗУ:
Масочные ROM-ПЗУ.
Однократно программируемые пользователем (PROM)

– ППЗУ.
Перепрограммируемые ПЗУ (EPROM) – РПЗУ.
По способу стирания:
Электрическое стирание РПЗУ

–ЭС.
Стираемые УФ – РПЗУ – УФ.
2011Классификация ЗУОЗУ делят на:Статические RAM.Динамические DRAM.ПЗУ:Масочные ROM-ПЗУ.Однократно программируемые пользователем (PROM) – ППЗУ.Перепрограммируемые ПЗУ (EPROM) – РПЗУ.По способу

Слайд 92011
Динамические параметры

2011Динамические параметры

Слайд 102011
Динамические параметры
Параметры, характеризующие длительность сигнала, паузы - tW(CS)
Параметры, характеризующие сдвиг

между сигналами - tSV(A-CS), tH(CS-A);
Время выборки tA, tCS
Время цикла обращения

tC(WR), tC(RD)
2011Динамические параметрыПараметры, характеризующие длительность сигнала, паузы - tW(CS)Параметры, характеризующие сдвиг между сигналами - tSV(A-CS), tH(CS-A);Время выборки tA,

Слайд 112011
Обозначение выводов ЗУ

2011Обозначение выводов ЗУ

Слайд 12Постоянные запоминающие устройства

Постоянные запоминающие устройства

Слайд 132011
Общие характеристики ПЗУ
Практически все обладают словарной организацией матрицы накопителя.
Основной режим

– считывание.
Энергозависимость.

2011Общие характеристики ПЗУПрактически все обладают словарной организацией матрицы накопителя.Основной режим – считывание.Энергозависимость.

Слайд 142011
Масочные ПЗУ (ROM)

2011Масочные ПЗУ (ROM)

Слайд 162011
Схемотехника ячейки памяти

2011Схемотехника ячейки памяти

Слайд 182011
Внеклассное чтение
http://www.netlore.ru/laser-graffity

2011Внеклассное чтениеhttp://www.netlore.ru/laser-graffity

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика